机构名称：
¥ 1.0
本研究研究了脉冲CF 3 I/C 4 F 8 /Ar/O 2 电感耦合等离子体用于低k刻蚀，研究了C 4 F 8 /Ar/O 2 中添加CF 3 I对等离子体特性和低k材料刻蚀特性的影响。随着混合气体中CF 3 I/(CF 3 I + C 4 F 8 )比例的增加，等离子体中CF 3 自由基增多，CF 2 自由基减少，其中CF 3 自由基和CF 2 自由基分别与刻蚀和聚合有关。因此，SiCOH的刻蚀速率随CF 3 I比例的增加而增大。然而，当CF 3 I比例为0.5时，等离子体中的CF 2 /F通量比和聚合物层上的C/F比最高，因此对非晶碳层和光刻胶的刻蚀选择性在比例为0.5时最高。 SiCOH 损伤随 CF 3 I 比率的增加而减小，并且 SiCOH 损伤似乎非常低，特别是当 CF 3 I 比率≥0.5 时，Si–CH 3 键损失低、F 渗透低、表面粗糙度低。因此，与仅使用 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物相比，将 50% CF 3 I 混入 C 4 F 8 /Ar/O 2 气体混合物中不仅可以产生相对于掩模材料的高蚀刻选择性，而且还可能减少蚀刻损伤。
文章
主要关键词
相关文件推荐
