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CMI电子和微电体系统课程
教师在工程学的物理学和科学学科领域提供了广泛的培训，从研究基本颗粒到力学和电子产品，通过凝结物质，材料和纳米科学。将三个独立的地点用于课程：历史校园，Cronenbourg的CNRS校园和Illkirch-Graffenstaden的技术大厅。培训优惠包括大约二十个文凭培训，包括与工程学校共同培训，国际合作伙伴关系和共同住宅。这种多元化的报价以其强大的锚定向国家和国际著名实验室以及与区域工业结构的合作，从而为学生提供实践学习和专业经验机会的区别。这种坚实的联系使教师在物理和工程领域具有显着的可见性。
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
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浮动风电船舶-漂浮物可达性的多体动力学评估
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基于谐振器的介电体和半导体材料表征的先进建模技术
摘要：本文报道了基于有限差分时域 (FDTD) 和有限元法 (FEM) 的介电谐振器材料测量装置建模的最新进展。与介电谐振器设计方法不同，介电谐振器设计方法使用贝塞尔函数的解析展开来求解麦克斯韦方程，而本文仅使用解析信息来确保场的固定角度变化，而在纵向和径向方向上应用空间离散化，从而将问题简化为 2D。此外，当在时域中进行离散化时，全波电磁求解器可以直接耦合到半导体漂移扩散求解器，以更好地理解和预测基于半导体的样品的谐振器的行为。本文将 FDTD 和频域 FEM 方法应用于介电样品的建模，并根据 IEC 规范规定的 0.3% 范围内的测量结果进行验证。然后采用内部开发的耦合多物理场时域 FEM 求解器，以考虑电磁照明下的局部电导率变化。由此展示了新方法，为介电谐振器测量的新应用开辟了道路。
人工智能手语翻译工具试用会
3.与聋哑运动员的特别对话会 2023年聋哑足球世界锦标赛亚军成员冈田拓哉（埼玉县聋哑足球俱乐部、越谷FC）、中井健人（TDFC、LesPros Tokyo）、经理植松隼人 ★秘密嘉宾登场！ ！
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
ALD生长的Al2O3膜用于微电体应用的实验表征
高介电材料的研究最近引起了极大的关注，这是用于应用金属构造器金属（MIM）电容器的关键被动组件。在本文中，通过原子层沉积技术（ITO）氧化锡（ITO）预涂层的玻璃底物和氮化钛（TIN）涂层的SI覆盖的Si底物在本文中制备了50 nm厚的Al 2 O 3薄膜。光刻和金属提升技术用于处理MIM电容器。用探针站的半导体分析仪用于使用低中等频率范围进行电容 - 电压（C-V）表征。MIM电容器的电流 - 电压（I-V）特性在精确源/测量系统上测量。在电压范围从-5到5 V的玻璃上，Al 2 O 3膜在玻璃上的性能从10 kHz到5 MHz。Au/Al 2 O 3/ITO/玻璃MIM电容器在100 kHz时显示1.6 ff/µm 2的电容密度为1.6 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.005，在1 mv/cm（5 v）下，在100 kHz时损耗〜0.005，泄漏电流为1.79×10 -8 a/cm 2。Au/Al 2 O 3/TIN/SI MIM电容器在100 kHz时的电容密度为1.5 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.007，较低的泄漏电流为2.93×10 -10 -10 -10 -10 A/cm 2，在1 mv/cm（5 v）处于1 mv/cm（5 v）。获得的电源可能表明MIM电容器的有希望的应用。关键字
日本医学生物工学会甲信越支部长野地区
有。当进行EMD时，测得的EEG波形根据波形不同可以达到IMF3，甚至IMF4。从 IMF2 开始的所有添加的波形都使用以下方法进行区分。本实验对Fz、Cz、Pz三个电极进行EMD分析，对四个选项分别比较IMF中P300分量的幅值，输出并统计幅值最大的选项。然后将最受欢迎的选项确定为受试者选择的菜单。 3.结果表1显示了所有受试者的两级菜单选择实验的结果。括号内的刺激为目标刺激，括号左边的刺激为选择刺激。目标刺激和选定刺激匹配的情况显示为黄色。受试者 A 能够在任务 2 和 3 中选择第二层和第三层中的目标刺激。受试者B能够在任务1和4中选择目标刺激，并且能够区分第一层级中的所有目标。受试者 C 在所有试验中都能够区分两个层级。