机构名称：
¥ 1.0
高介电材料的研究最近引起了极大的关注，这是用于应用金属构造器金属（MIM）电容器的关键被动组件。在本文中，通过原子层沉积技术（ITO）氧化锡（ITO）预涂层的玻璃底物和氮化钛（TIN）涂层的SI覆盖的Si底物在本文中制备了50 nm厚的Al 2 O 3薄膜。光刻和金属提升技术用于处理MIM电容器。用探针站的半导体分析仪用于使用低中等频率范围进行电容 - 电压（C-V）表征。MIM电容器的电流 - 电压（I-V）特性在精确源/测量系统上测量。在电压范围从-5到5 V的玻璃上，Al 2 O 3膜在玻璃上的性能从10 kHz到5 MHz。Au/Al 2 O 3/ITO/玻璃MIM电容器在100 kHz时显示1.6 ff/µm 2的电容密度为1.6 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.005，在1 mv/cm（5 v）下，在100 kHz时损耗〜0.005，泄漏电流为1.79×10 -8 a/cm 2。Au/Al 2 O 3/TIN/SI MIM电容器在100 kHz时的电容密度为1.5 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.007，较低的泄漏电流为2.93×10 -10 -10 -10 -10 A/cm 2，在1 mv/cm（5 v）处于1 mv/cm（5 v）。获得的电源可能表明MIM电容器的有希望的应用。关键字
ALD生长的Al2O3膜用于微电体应用的实验表征
主要关键词
相关文件推荐
