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Ge1-Sn薄膜的热电功率因数
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电编程的掺杂梯度优化了共轭聚合物的热电功率因子
功能分级的材料（FGM）在无机热电学的背景下被广泛探索，但尚未在有机热电学中进行。在这里，研究了掺杂梯度对化学掺杂共轭聚合物的热电特性的影响。柜台的平面漂移用于中等电场中，用于在由寡聚侧链的聚噻吩中创建侧向掺杂梯度，并用2,3,5,5,6-Tetra-fuoro-tetra-tetra-fuoro-tetrace-tetrachachacyanoquinainoimeneimetimethane（f 4 tcnq）（F 4 TCNQ）。拉曼显微镜表明，在50μm宽的通道上的偏置电压仅为5 V，足以触发反逆漂移，从而导致掺杂梯度。分级通道的有效电导率随偏置电压降低，而观察到Seebeck系数的总体增加，可产生高达八倍的功率因数。动力学蒙特卡洛模拟分级纤维的模拟解释了在高电导率下，在高电导率下seebeck系数的掷骰，以及由于高掺杂剂浓度下的库仑散射而增加的迁移率。因此，发现FGM概念是提高尚未最佳掺杂的有机半导体的热电性能的一种方式，这可以减轻新材料的筛选以及设备的制造。
可提取功的波动限制了量子电池的充电功率
量子系统热力学的研究可以追溯到量子理论的起源，但最近，随着重大进展 [1] 的出现，人们对此的兴趣激增，其中量子信息理论工具的使用起着关键作用 [2 – 8] 。尽管取得了这些进展，但基本问题仍然存在争议。突出的例子包括量子领域的热力学功概念 [9 – 13] ，量子相干性的作用及其作为热力学资源的潜在用途 [14 – 21] 。在此背景下，对热机和量子机器的研究已被证明是有用的，有助于说明量子装置的能力和局限性 [22 – 31] 。对这些装置的分析建立了热机中功波动和耗散之间的权衡 [32,33] ，当对存储设备进行并行集体操作时，充电功率会增加 [34 – 37] 而波动会减少 [38] ，这在热机 [39] 和难以区分的热机 [40] 的许多循环中都具有充电功率优势，而且在考虑关联热机时效率会提高 [41] 。另一方面，研究也表明，纠缠对于功提取并不是必不可少的 [42] ，在给电池充电的高斯运算集合中，存储的功不可没地会出现波动 [43] 。与此同时，Mandalstam 和 Tamm 考虑了量子力学对量子演化速率的限制 [44] 。通过考虑一个状态演变为正交状态所需的最短时间，他们的工作启发了广泛的结果[45-54]，这些结果通常包含在进化的量子速度限制这一术语下[55]。
超大规模集成电路设计中的漏电功率恢复方法综述
关键词：工程变更单 (ECO)、状态相关泄漏功率、总负松弛 (TNS)、亚阈值泄漏功率。1. 引言无线通信设备、网络模块设计模块的主要性能参数是最小化功率。另一方面，更高的性能、良好的集成度、动态功耗是推动 CMOS 器件缩小尺寸的一些参数。随着技术的缩小，与动态功耗相比，漏电流或漏功率急剧增加。静态功耗增加的主要原因是漏功率，它涉及许多因素，如栅极氧化物隧穿泄漏效应、带间隧穿 (BTBT) 泄漏效应和亚阈值泄漏效应 [1]。器件在电气和几何参数方面的差异，例如栅极宽度和长度的变化，会显著影响亚阈值漏电流 [2]。某些泄漏元素包括漏极诱导势垒降低 (DIBL) 和栅极诱导漏极泄漏 (GIDL) 等，[3]。 65 nm 及以下 CMOS 器件最重要的漏电来源是：栅极位置漏电、亚阈值漏电和反向偏置结处 BTBT 引起的漏电。电压阈值的降低会导致亚阈值电流的增加，这允许在电压下降的帮助下保持晶体管处于导通状态。由于缩放