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电压转换从 4.16kV 至 27.6kV Oakridge Acres ...
您的技术提案将遵循以下要求：电压从 4.16kV 转换为 27.6kV O:ikrldge Aero<: Ov,,rhoad Subdiv f ,;:ion London Ontt1rlo
分布式储能系统优化配置以提高电压稳定性并最大程度降低总成本
通过增加储能系统 (ESS) 可以提高配电网的能源效率。这些系统的战略布局和适当大小有可能显著提高网络的整体性能。适当尺寸和战略位置的储能系统有可能有效解决峰值能源需求，优化可再生和分布式能源的增加，协助管理电能质量并降低与扩大配电网相关的费用。本研究提出了一种利用蒲公英优化器 (DO) 来找到配电网中 ESS 的最佳位置和大小的有效方法。目标是降低系统的年度总成本，其中包括与功率损耗、电压偏差和峰值负荷需求相关的费用。本研究中概述的方法在 IEEE 33 总线配电系统上实施。将所提出的 DO 获得的结果与原始系统的结果进行对比，以说明 ESS 位置对总体成本和电压曲线的影响。此外，还对 Ant Lion 优化器 (ALO) 的结果和预期的实验设计 DO 进行了比较，结果显示 DO 比 ALO 节省了更多成本。所推荐方法的简单性和解决所研究优化问题的有效性使所获得的 ESS 位置和大小有利于在系统内实施。
全范数氧化还原流量电池的开路电压是从UV-VIS光谱获得的电荷状态的函数
传统的冯·诺伊曼（Von Neumann）体系结构，自成立以来一直是计算的基础，将处理和内存单元隔离，因此导致众所周知的瓶颈通常被称为“ von noumann瓶颈”。1 - 3由处理和内存单元之间的数据持续穿梭产生的瓶颈不仅会产生大量的能耗，而且对计算速度产生了限制。4,5学术界和工业界正在积极寻求替代计算档案，以维持计算能力的进步，因为摩尔法律的终止以及进一步的晶体管微型化的局限性。6 - 8最有希望的替代方法是神经形态计算，它从人的大脑中吸引了启示，并将加工和记忆整合到统一的实体中。9,10大脑充当中央处理单元，众所周知，信息传播仅消耗约10-20W。11因此，科学家通过开发称为神经形态计算的新原理范式来复制了脑启发的计算，旨在模仿人类大脑中的认知功能。据我们所知，人类神经系统由超过860亿个神经元组成。 如图所示 1a，这些神经元形成了通过突触互连的复杂网络，促进了化学介质的传播（例如 ，Ca +，Na +和K +）从突触前到Postsy-aptic终端。 受此启发，Iontronics已成为据我们所知，人类神经系统由超过860亿个神经元组成。如图1a，这些神经元形成了通过突触互连的复杂网络，促进了化学介质的传播（例如，Ca +，Na +和K +）从突触前到Postsy-aptic终端。受此启发，Iontronics已成为
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。
产品：NVIDIA IGX ORIN板套件 - 拆卸电池电压监视器电路BOM
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使用人工神经网络预测钒氧化还原液流电池的电压和过电位
摘要：本文探讨了经过训练的人工神经网络 (ANN) 在预测钒氧化还原液流电池行为方面的新应用，并将其性能与二维数值模型进行了比较。目的是评估两个 ANN 的能力，一个用于预测电池电位，一个用于预测各种操作条件下的过电位。先前用实验数据验证过的二维模型用于生成数据来训练和测试 ANN。结果表明，第一个 ANN 可以在充电和放电模式下精确预测不同充电状态和电流密度条件下的电池电压。负责过电位计算的第二个 ANN 可以准确预测整个电池域的过电位，在电极膜和域边界等高梯度区域附近的置信度最低。此外，计算时间大幅减少，使 ANN 成为快速理解和优化 VRFB 的合适选择。
设计一个支持宽输入电压和电池电压的应用程序
此外，宽 V IN 和 V OUT 充电器使工程师能够采用新技术，例如 USB Type-C™ 电源传输和太阳能充电。使用带有 MPPT 算法的宽 V IN 和 V OUT 充电器（如 BQ25756）可帮助工程师设计可在任何地方使用太阳能电池板充电的产品，同时为消费者提供快速充电体验。将 BQ25756 与 TI USB-C PD 控制器配对可消除适配器仅适用于一个设备的麻烦。通过这种配对，消费者可以利用双向充电并使用通用 USB-C 适配器为许多应用充电，包括电动工具、电动自行车和便携式电站。宽 V IN 和 V OUT 充电器可以改善客户充电体验并缩短您的开发时间。
评估衰老诱导的电压滑动是锂离子细胞浮动电流的原因
摘要：本文对锂离子电池中的浮点电流分析进行了全面的探索，这是一种有希望的新测试方法来评估日历老化。浮点电流定义为瞬态部分后的稳态trick流动电流。在文献中，报告了与容量损失的相关性。假设浮点电流会补偿随着时间的推移的电压衰减，并且与日历老化有关，则必须考虑电压滑动的效果。DU/DQ分析仅表明活跃锂的损失。因此，我们研究了固体电解质相（SEI）的生长，作为解释浮点电流起源的一般老化机制。我们的结果表明，电压滑理论在低至中间测试电压范围内保持真实。然而，该理论的解释能力开始在更高的电压范围内减少，这表明存在影响浮动电流的其他但未知的因素。通过电解质分解对阴极的穿梭反应或晶石是高压下最有前途的替代老化机制。本文提出了一个独特的电压滑模型，以检查老化机制，浮点电流测试和检查测试之间的相关性。为了更好地理解，提出了测试策略来验证/伪造SEI以外的老化机制。
具有电压依赖性活性表面的 SWCNT-Si 光电探测器
摘要 关于碳纳米管-硅 MIS 异质结构的新研究表明，可利用器件绝缘层中厚度的不均匀性来增强其功能。在这项工作中，我们报告了一种器件的制造和特性，该器件由 n 型硅衬底上的单壁碳纳米管 (SWCNT) 薄膜组成，其中纳米管和硅之间的氮化物中间层已被刻蚀以获得不同的厚度。三种不同的氮化硅厚度允许在同一器件内部形成三个区域，每个区域都有不同的光电流和响应度行为。我们表明，通过选择特定的偏置，可以打开和关闭区域的光响应。这种特殊行为使该器件可用作具有电压相关活性表面的光电探测器。在不同偏置下对器件表面进行的扫描光响应成像突显了这种行为。
Sb2S3 薄膜的晶粒工程可实现具有高开路电压的高效平面太阳能电池
Sb 2 S 3 是一种很有前途的环保半导体，可用于高性能太阳能电池。但是，与许多其他多晶材料一样，Sb 2 S 3 受到非辐射复合和晶界 (GB) 载流子散射的限制。这项工作表明，通过在 Sb 2 S 3 沉积的前体溶液中加入适量的 Ce 3 +，Sb 2 S 3 薄膜中的 GB 密度可以显著从 1068 ± 40 nm μ m − 2 降低到 327 ± 23 nm μ m − 2。通过对结构、形貌和光电特性的广泛表征，并辅以计算，我们发现一个关键因素是在 CdS/Sb 2 S 3 界面处形成一层超薄 Ce 2 S 3 层，这可以降低界面能并增加 Sb 2 S 3 和基底之间的粘附功，以促进 Sb 2 S 3 的异质成核，并促进横向晶粒生长。通过减少晶界和/或 CdS/Sb 2 S 3 异质界面的非辐射复合，以及改善异质结处的载流子传输特性，这项工作实现了高性能 Sb 2 S 3 太阳能电池，其功率转换效率达到 7.66%。开路电压 (V OC ) 达到了惊人的 796 mV，这是迄今为止报道的 Sb 2 S 3 太阳能电池的最高值。这项工作提供了一种同时调节 Sb 2 S 3 吸收膜的成核和生长的策略，以提高设备性能。