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World File Search System电子密度
JHEP01（2024）030
摘要：平面电子系统在电荷中立和有限的电子密度上表现出丰富的相关驱动相的景观，具有异国情调的电磁和热力学响应。在本文中，以这些发展为动机，我们明确地将化学势的影响包括大约平坦的频带的全息模型。特别是，我们探讨了该全息扁平带系统的相图作为化学电位的函数。我们发现，在低温和密度下，该系统具有列相位，随着化学电位或温度的增加，该系统过渡到Lifshitz阶段。为了进一步表征随之而来的阶段，我们研究了光导率，并发现可观察到的可观察到在列相的各向异性。
BIOVIA 材料工作室 DFTB+
BIOVIA MATERIALS STUDIO DFTB+ 有什么作用？Materials Studio DFTB+ 能够以量子力学精度优化和研究材料的动态特性，但所需时间却大大缩短。可以优化结构，并使用分子动力学研究结构的时间演变。可以计算和可视化能带结构、原子轨道和费米面等特性，从而深入了解材料的电子结构。可以使用群体分析和电子密度来可视化电荷分布。Materials Studio DFTB+ 使用称为 Slater-Koster 文件的参数库来封装材料中元素之间的相互作用。如果元素未参数化，Materials Studio DFTB+ 会包含一项特定的参数化任务来开发新的参数集，从而能够扩展到新系统。
库仑能量的 Lieb-Oxford 下限及其重要性
摘要 ：Lieb 和 Oxford (1981) 以电子密度局部泛函的形式导出了库仑排斥能间接部分的严格下限。给定电子数 𝑁 的最大下限单调地取决于 𝑁，并且 𝑁→∞ 极限是所有 𝑁 的界限。这些界限已被证明适用于交换和交换关联能量的精确密度泛函，必须近似这些能量才能准确且高效地描述原子、分子和固体。由此导出了双电子基态的精确交换能的严格界限，并推测适用于所有自旋非极化电子基态。这些和其他精确约束中的一些已被用于构建超出局部密度近似的两代非经验密度泛函：Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) 广义梯度近似 (GGA) 和强约束和适当规范 (SCAN) 元 GGA。
Synthesis_and_properties -Opuswürzburg
Tetrayne前体3A-C通过2倍铃木交叉偶联（2倍）与市售的1A-C（方案1）获得了良好的收率（72-76％）。17个四倍的氯化苯苯二苯甲酸是通过使用含有3和AGNTF 2处理的Tetrayne前体来实现的，并且所得的二皮肾上腺粒纳米仪4A-B以76％和81％的良好产率获得了4A-B。18,19这些化合物的计算结构在主链中表现出扭曲。然而，人们认为对映异构化的障碍是如此之低，以至于使化合物具有易感性。纳米摄影4C。存在羰基矫正物和para到苯量反应位点从这些位置中撤出电子密度，使它们过于反应，无法完全苯并式发生，并导致产物的复杂混合物。
热色素学：温度敏感的智能材料
为什么我们要使用太阳玻璃？“情绪戒指”背后的科学是什么？这两个配件的例子以铬材料的流派为中。铬材料是通过由外部刺激的影响引起的物质的电子密度（ð或d电子）改变各种颜色的材料。在大多数情况下，颜色变化是可逆的和可控制的。取决于外部刺激的性质，使用前缀为前缀的后缀染色体命名，该前缀用于描述刺激导致颜色变化。像热色素相似，与外部刺激热有关，光色素与光有关，由于离子的交换而发生离子化，息肉性与刺激的电位相关，溶剂化的溶剂与溶剂与溶剂相关，溶剂与溶剂交易，蒸气色素敏感受到蒸发和机械刺激的影响。表1提供了铬现象和负责任刺激的全面列表[1-3]。
![arxiv：2403.19793v8 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/4\4cd5856beb8f06657b805ac7d54b7b3602939b03.webp)
arxiv：2403.19793v8 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
在局部状态的单电子密度和可变范围跳动电导率的ES定律中，Efros-Shklovskii（ES）库仑差距是50年前。该理论及其第一个确认已在40年前出版的SE专着中进行了审查。本文回顾了ES法律的随后的实验证据，理论进步和新颖的应用。在多种材料范围内的数百种实验验证中，我专注于动态电导率范围超过四个数量级的那些。这些包括零磁场和高磁场下的三维半导体，量子大厅效应中的局部相，颗粒金属，纳米晶体阵列和导电聚合物。此外，我讨论了绝缘子 - 金属过渡附近的非荷花ES定律和库仑间隙。还讨论了SE书籍其他概念的最新发展。
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
一种新的Mars -Van Krevelen机制，用于Ti二装的MXENE
通过对电荷传递，状态的电子密度和相互作用系统的电荷密度差异的全面分析，进行了第一个原理计算，以研究CO在TI装饰的Cr 2 TIC 2 O 2 MXEN单层上的催化氧化。By comparing the reaction energy barriers, it is found that, rather than the traditional Langmuir–Hinshelwood, Eley–Rideal, and Mars-van Krevelen (MvK) mechanisms, the CO oxidation favours a new variant of the MvK mechanism, in which the anchored Ti atom activates the surface oxygen to spill over from the substrate and take part in the CO oxidation.这项工作强调了激活外国金属原子Mxene表面氧原子以改善催化活性的重要性，并建议进一步研究新的MVK氧化机制的CO氧化机制可能值得。
2025 年春季基础与生物医学科学课程列表
蛋白质和核酸的分子模型；工作表和动手探索。b) 数据库和数据本身：熟悉 PDB（蛋白质数据库）、EDS（电子密度服务器）以及不同类别分子数据的特性、注意事项和可靠性。c) 研究和描述大分子的计算方法：结构生物学中的模型构建、Molprobity 和全原子接触分析，以及多种构象、集合和移动性的方法。d) 学生项目：使用 kinemages 或其他分子图形程序对大分子的一些科学观点进行交互式 3D 说明，通常带有简短的非交互式介绍。学期末提供报告，定期显示进度。每周一次的课堂演示、讨论和使用物理和计算机分子模型的动手工作。家庭作业包括工作表和个人学生项目。3 个单元/评分
双层镍的两轨模型的磁相图，具有变化的掺杂
是由最近发现的高t c双层镍超导体LA 3 ni 2 O 7的动机，我们通过使用Lanczos方法对不同的电子密度n进行了全面研究BiLayer 2×2×2群集。我们还采用随机相近似来量化第一个磁不稳定性，而哈伯德耦合强度的提高也有所不同。基于自旋结构因子s（q），我们在固定的hund耦合下定义的平面中获得了丰富的磁相图，其中u是Hubbard的强度和W带宽。我们观察到许多状态，例如A-AFM，条纹，G-AFM和C-AFM。在半填充，n = 2（每个Ni位点，对应于n = 16个电子）时，规范的近方交互作用导致具有抗firomagnetic Couplings的稳健的G-AFM状态（π，π，π，π），均带有内在的层和层之间。通过增加或降低电子密度，从“半空”和“半满”机制中出现铁磁趋势，从而导致许多其他有趣的磁趋势。另外，与半完成相比，在孔或电子掺杂区域中，自旋旋转相关性在较弱。n = 1。5（或n = 12），密度对应于La 3 Ni 2 O 7，我们获得了“条纹2”基态（抗铁磁耦合在一个平面方向上，另一个面积为非磁磁耦合，另一个耦合的铁磁耦合，沿Z AxiS沿2×2×2×2 Cluster沿Z AxiS沿Z Axiis沿Z AxiS）。另外，我们获得了沿Z轴的AFM耦合要比XY平面中的磁耦合要强得多。此外，具有q /π=（0。< /div>的状态6，0。随机相近似的计算具有不同的n的结果，即使这两种技术都是基于完全不同的程序，但n的结果与兰斯佐斯的结果非常相似。6，1）在我们的RPA计算中发现了靠近电子期波形，通过将填充略微降低到n = 1，可以找到。25，可能负责在实验中观察到的电子期SDW。我们的预测可以通过化学掺杂LA 3 Ni 2 O 7来测试。