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World File Search System电子密度
铜 - 终止复合材料中的电子传输
我们使用密度功能理论（DFT）框架研究了铜 - 甘油（CU – G）复合材料的电子传输性能。通过改变铜/石墨烯/铜（Cu/g/cu）界面模型的界面距离来研究复合材料中的传导。使用kubo-greenwood公式计算的模型的电子电导率表明，电导率随Cu – g的降低而增加，并且饱和以下是阈值Cu – g g距离。基于DFT的BADER电荷分析表明，在界面层和石墨烯的Cu原子之间的电荷转移增加，Cu – G距离降低。状态的电子密度揭示了铜和碳原子在费米水平附近的贡献，而Cu – G界面距离降低。通过计算Cu/g/cu模型的空格电导率，我们表明石墨烯在小Cu – G距离处形成了电子传导的桥梁，从而增强了电导率。
用于蛋白质-配体相互作用的物理感知神经网络
使用量子化学 (QC) 量化分子间相互作用可用于解决许多化学问题，包括了解蛋白质-配体相互作用的性质。不幸的是，对于大多数用例而言，蛋白质-配体系统的 QC 计算在计算上过于昂贵。机器学习 (ML) 潜力的蓬勃发展是一个有前途的解决方案，但它受到无法轻松捕捉长距离非局部相互作用的限制。在这项工作中，我们开发了一个原子对神经网络 (AP-Net)，专门用于模拟分子间相互作用。该模型受益于许多物理约束，包括一个双组分等变信息传递神经网络架构，该架构通过单体电子密度的中间预测来预测相互作用能量。AP-Net 模型还受益于由成对的配体和蛋白质片段组成的综合训练数据集。该模型以计算成本降低了几个数量级的方式准确预测蛋白质-配体系统的 QC 质量相互作用能量。
石墨烯中波动驱动的热传输double- ...
我们在石墨烯双层中发展了热传输中流动驱动现象的理论。我们在电子流体力学方面工作，并专注于双重电荷中性点。尽管在中立点，电荷转运与流体动力流相关，但电子密度的热闪光导致层之间的阻力和热传递。双层系统中的热传输受这两种现象的控制。我们以层间距离和电子液体的内在电导率来表达拖动摩擦系数和层间导电性。然后，我们获得热电导矩阵，并确定系统中流体动力速度和温度的空间依赖性。对于较短的系统，热阻力是由阻力确定的。在更长的系统中，实现了完美的热阻力的情况，其中两层的流体动力速度在系统的内部相等。给出了单层和双层石墨烯设备的估计值。我们的理论的预测可以通过高分辨率热成像和Johnson-Nyquist非局部噪声温度计来测试。
CDMFT+HFD：动态平均场理论的扩展...
我们使用CDMFT + HFD，群集动力学平均场理论（CDMFT）的组合和Hartree Dynamial-Fock均值段的群体间消除群群间扩展相互作用的组合。对于有吸引力的非局部相互作用，该模型在半填充附近表现出一个相分离的区域，在附近，我们发现了D波超导性的岛屿，随着掺杂的函数迅速衰减，具有较小的（高）电子密度的扩展S-波序的断开区域。另一方面，当扩展的相互作用令人反感时，在强耦合限制下，孔掺杂以hole掺杂的稳定性，有利于D-波超导性。在颗粒 - 孔不变的化学电位上，我们发现了从抗铁磁性（AF）到d波超强度的一阶相变，这是有吸引力的最近邻居相互作用的函数，以及密度偏离半填充极限的偏差。反复的扩展相互作用而不是半填充的电荷密度波（CDW）订单。
通过 F4-TCNQ 功能化定制 SiC 外延石墨烯中的永久载流子密度
优异的性能和大规模制造的潜力为碳化硅衬底上外延石墨烯的电子应用开辟了广阔的领域。然而，在不使用静电栅极的情况下，可靠的掺杂方法可以永久控制载流子浓度并将其调整到所需值，这具有挑战性，并且仍在研究中。在本研究中，研究了一种后生长分子掺杂技术，该技术通过使用受体 F4-TCNQ 来补偿原始外延石墨烯的高电子密度。通过精确调节掺杂剂浓度，载流子密度可以在从本征 n 型到 p 型的宽范围内进行调整。制造的量子霍尔器件可以直接使用，无需进一步处理。不同掺杂水平的石墨烯基器件的高精度电阻测量显示量化精度为 10 − 9，这强调了所制造器件的高质量以及该方法对器件应用的适用性。实验观察到的载流子密度与量子霍尔平台开始之间的相关性为量子电阻计量中的器件选择提供了可靠的标准。
太阳-地球模型和应用软件
简要说明：国际参考电离层 (IRI) 是由空间研究委员会 (COSPAR) 和国际无线电科学联合会 (URSI) 赞助的一个国际项目。这些组织在 20 世纪 60 年代末成立了一个工作组，根据所有可用的数据源，制定电离层的经验标准模型。该模型的几个稳步改进版本已经发布。IRI 描述了从约 50 公里到约 2000 公里的高度范围内的电子密度、电子温度、离子温度和离子成分。它提供了磁平静条件下非极光电离层的月平均值。主要数据来源是全球电离层网络、强大的非相干散射雷达（Jicamarca、Arecibo、Millstone Hill、Malvern、St. Santin）、ISIS 和 Alouette顶部探测器，以及几颗卫星和火箭上的现场仪器。IRI 每年在特别 IRI 研讨会期间更新（例如，在 COSPAR 大会期间）。计划进行几项扩展，包括离子漂移模型、极光和极地电离层的描述以及对磁暴效应的考虑。
二进制化合物的伽马射线屏蔽特征的全面研究
在这项研究中，使用Geant4 Monte Carlo模拟工具，我们研究了氧化铝，氟化镁，氟化铝，氟化铝，二氧化钛，二吡啶镁，镁镁，硅酸镁，二氧化钙，二氧化钙和液态的燃料范围，并在0.015至10 c. 10 c. 10 c.10 c. 10 c. 10 c.10 c.10 c.10 c.10 c上。在这篇综述中，我们已经计算并分析了线性衰减系数（LAC）和质量衰减系数（MAC），半价值层（HVL），第十值层（TVL），平均自由路径（MFP），有效的原子数，有效的原子密度，有效的电子密度，等效原子原子数和构建量和构建因素和构建因素和构建因素。在工作的延续中，我们已经比较了Geant4 Monte Carlo Simulation Tool的质量衰减系数的计算结果与其他人的实验结果，并通过Xmudat代码的仿真数据进行了比较，并且它们的相对误差非常低，并且彼此吻合非常吻合。最后，以适当的数字显示了所选材料获得的结果。
![arxiv：2312.13059V2 [cond-mat.supr-con] 2024年4月18日](/simg/b\b7f01802536568ee5c7fb1dbedda9a20b5d0b277.webp)
arxiv：2312.13059V2 [cond-mat.supr-con] 2024年4月18日
基于外部电场的超导抑制，超电场效应在各种纳米级设备中实现，可有效。尽管进行了激烈的研究，但缺少这种影响的微观理论。在这里，提出了薄膜中语音介导的超导性超导性的微观理论，其中介绍了量子限制对状态的电子密度，费米能量和电子库仑抑制的影响。通过考虑量子限制，外部静电场，电子 - phonon矩阵元素中的托马斯 - 弗米筛选之间的复杂相互作用，以及限制对库仑排斥参数的影响，该理论预测了外部电场的临界值，这是膜厚度的临界值，而薄膜厚度是在膜厚度上的功能，而超过了超级构造。尤其是，与最近的实验观察一致，电场的这种临界值呈指数降低薄膜的较薄。至关重要的是，当考虑到托马斯 - 弗米筛选和库仑伪电势以及对薄膜厚度的依赖性时，这一效果是由理论预测的。这种微观理论为超电场效应和电场门控量子材料打开了新的可能性。
Matere Bond -RSC Publishing
键，导致电子密度的各向异性分布，在大多数情况下，产生了积极的电势区域。This phenomenon is particularly prominent in heavier p-block elements, such as germanium and tin in group 14 (tetrel bonds), 13 arsenic and antimony in group 15 (pnicto- gen bonds), 14 selenium and tellurium in group 16 (chalcogen bonds), 15 and bromine and iodine in group 17 (halogen bonds), 16 all of which act as σ -hole donors.σ-孔之间的相互作用，包括卤素，chalcogen，Pnictogen和Tetrel键，在超分子化学和晶体工程中是关键的，在摩尔组装过程中提供了方向性和特异性。17这些相互作用是形成高度有序的超分子结构的组成部分，并且越来越多地用于功能材料，分子识别系统和超分子催化剂的设计。在催化中，σ孔相互作用有助于过渡态和中间体的稳定，从而提高了催化效率和选择性。18，随着我们对σ孔相互作用的理解加深，它们的应用继续扩展，为高级材料和催化剂的设计和合成中创新的新途径提供了扩展。19
氧化物界面超导相图中的多带效应
LaAlO 3 /SrTiO 3 和 LaTiO 3 /SrTiO 3 异质结构表现出由电子密度控制的复杂相图。 [1,2] 虽然系统在低密度下处于弱绝缘状态，但当通过静电门控（采用背栅、侧栅或顶栅结构）添加电子时，就会出现超导性[1,3,4]（图1）。当载流子密度（n 2D）增加时，超导 T c 升至最大值 c max T ≈ 300 mK，然后随着掺杂的进一步增加而降低。由此产生的圆顶状超导相图类似于在其他超导体家族中观察到的相图，包括高 T c 铜酸盐、Fe 基超导体、重费米子和有机超导体。 [5,6] 在氧化物界面相图中，普遍观察到两个明显的掺杂点：低密度下的量子临界点 (QCP)，它将弱绝缘区与超导区分开；最佳掺杂下的最大临界温度点 (c max T)，它定义了欠掺杂区与过掺杂区之间的边界。尽管进行了大量研究，但对这两个点的起源尚无共识。在 LaAlO 3 /SrTiO 3 异质结构中，电子