我们使用密度功能理论(DFT)框架研究了铜 - 甘油(CU – G)复合材料的电子传输性能。通过改变铜/石墨烯/铜(Cu/g/cu)界面模型的界面距离来研究复合材料中的传导。使用kubo-greenwood公式计算的模型的电子电导率表明,电导率随Cu – g的降低而增加,并且饱和以下是阈值Cu – g g距离。基于DFT的BADER电荷分析表明,在界面层和石墨烯的Cu原子之间的电荷转移增加,Cu – G距离降低。状态的电子密度揭示了铜和碳原子在费米水平附近的贡献,而Cu – G界面距离降低。通过计算Cu/g/cu模型的空格电导率,我们表明石墨烯在小Cu – G距离处形成了电子传导的桥梁,从而增强了电导率。