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功能。[1–6] 然而，迄今为止研究的大多数二维磁体的半导体特性都受到其导带和价带极窄宽度的强烈影响，通常为几十 meV 或更小。[7–13] 如此窄的带宽会导致电子局域化并阻碍低温电导率测量，这就是为什么探测二维半导体磁性的传输实验迄今为止仅限于研究穿过原子级薄多层势垒的隧穿。[14–21] CrSBr [22]（见图 1a）——一种最近推出的二维磁性半导体——似乎是个例外。[23,24] 第一性原理计算（如图 1b 所示）预测其导带宽度约为 1.5 eV。 [24,25] 因此，可以成功进行低温平面磁阻测量（见图 1c、d），并通过分析确定磁相图。[23] 这种材料的独特磁性能通过范德华 (vdW) 界面实验得到进一步展示，其中发现 CrSBr 在相邻的石墨烯层中留下了巨大的交换相互作用，比早期在类似异质结构研究中报道的要强得多。[26]
二维磁性半导体中的准一维电子传输
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