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金属团簇中通过逆法拉第效应产生的轨道磁性
摘要：鉴于最近人们对纳米长度尺度上的光诱导磁性操控的兴趣日益浓厚，这项工作提出金属团簇是产生全光超快磁化的有前途的基本单元。我们使用时间相关密度泛函理论（TDDFT）在实空间中通过从头算实时（RT）模拟对金属团簇的光磁特性进行了理论研究。通过对原子级精确的简单金属和贵金属团簇中圆偏振激光脉冲等离子体激发的从头算计算，我们讨论了由于光场在共振能量下通过光吸收转移角动量而产生的轨道磁矩。值得注意的是，在近场分析中，我们观察到感应电子密度的自持圆周运动，证实了纳米电流环的存在，由于团簇中的逆法拉第效应（IFE），纳米电流环产生轨道磁矩。研究结果为理解量子多体效应提供了宝贵见解，该效应影响金属团簇中 IFE 介导的光诱导轨道磁性，具体取决于金属团簇的几何形状和化学成分。同时，它们明确展示了利用金属团簇磁化的可能性，为全光磁控领域提供了潜在的应用。
伪计算机断层扫描图像产生大脑...
相对于计算机断层扫描（CT），磁共振成像（MRI）的软组织对比增加使其成为决定放射治疗（RT）的合适成像方法。当将MRI扫描用于治疗计划时，剂量计算和基于X射线的患者位置仍然需要CT扫描。这增加了工作量，由于图像注册间模式的必要条件，因此导致了不必要的，并且需要不必要的辐射。即使仅使用MR图像是有利的，但必须使用一种估计伪CT（PCT）的方式来生成电子密度映射和患者参考图像。因此，本文带来了一个有效的深度学习模型，可以使用以下步骤从MRI图像中生成合成的CT； a）在收集了CT和MRI扫描图像的数据中，b）使用图像进行预处理，以避免使用诸如Outier Emplier Empliering，数据平滑和数据归一化的技术避免异常和噪声，C）使用原理组件分析（PCA）和回归方法进行特征提取和选择，DCN和DCN（DCN）（DCN）（dcn）（dcn）（dcn）（dc）。此外，我们为此模型评估了DC，SSIM，MAE和MSE等指标。但是，我们建议的模型的精度为95％。关键字
在0.5 m H 2中增强对乙酰胺对碘化物腐蚀的抑制作用，因此4环境
石油运营最大的问题之一是材料的腐蚀，这导致了巨大的财务损失。金属工业结构经常暴露的环境使腐蚀过程更容易[1-3]。石油行业使用酸溶液来泡菜，酸清洁和降钢钢组件[4,5]。为防止碱金属腐蚀，添加酸化抑制剂。预防腐蚀的潜在疗法是使用有机抑制剂[6]。这些有机抑制剂通常在静电上与金属表面结合或在沉积在那里之前形成的共价键（化学吸附）（物理吸附）。这些物质产生了不溶性复合物或被吸附到金属表面上，阻塞了活性腐蚀位点[7]。先前的研究表明，吸附主要取决于P-或D-ELECTRON和该分子的杂原子，这会导致更多的抑制剂分子与低碳钢表面结合。大多数具有高电子密度杂原子的有机化合物，例如用作吸附位点的磷，硫，氮和氧气，是有效的金属腐蚀抑制剂[8-11]。酰胺化合物作为有机腐蚀抑制剂的有效性最近已成为众多研究的主题[12-14]。然而，对使用金属腐蚀抑制剂的兴趣已经扩展了简单的预防，以包括抑制剂的效力水平。
使用单斜 ZrO 2 的电荷密度和态密度 (DOS)
在固体物理学和凝聚态物理学中，态密度 (DOS) 量化了所考虑材料中易被占据并具有确定能量的电子态的数量。只要知道色散关系，就可以计算出这个量。可以为各种各样的系统计算 DOS。某些量子系统由于其晶体结构而具有对称性，这简化了 DOS 的计算。总 DOS 是一个允许确定材料电子传导特性的参数。对于晶体中的每个原子，我们确定一个半径为的球体，在该球体内部，我们将电子密度投影到球谐函数（类型：s、p、d 或 f）上。部分 DOS 用于识别晶体中化学键的结构。使用 DFT（密度泛函理论）对单斜 ZrO 2 (m-ZrO 2 ) 的电荷密度和 DOS 进行了第一性原理研究，其中 m-GGA (TPSS) 函数用于交换关联势、伪势 (PP) 近似和 STO (斯莱特类型轨道) 作为集成在 ADF-BAND 代码中的基本函数。氧化锆 (ZrO 2 ) 是一种高 k 电介质 (k 25 和 E g 6 eV)。ZrO 2 是一种很有前途的高 k 电介质候选材料，可取代 SiO 2 作为 CMOS 中的栅极氧化物，因为它兼具出色的机械、热、化学和介电性能。
由于电隔离的 GaAs 量子阱双层中的激子凝聚而导致的强层间电荷转移
我们介绍了一种电隔离的“浮动”双层 GaAs 量子阱 (QW) 设计，其中施加可控且高度可重复的大栅极电压会诱导电荷，这些电荷在移除栅极电压后仍被捕获在双层中。在较小的栅极电压下，双层通过厚绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的 2D 电子系统的总密度和差分密度。浮动双层设计提供了一种独特的方法来研究无法通过简单的传输测量进行研究的系统。它还提供了测量层间电荷转移的能力，即使 2D 系统的平面电阻率不同。我们测量了 QW 双层的电容和层间隧穿光谱，并独立控制顶层和底层电子密度。我们的测量显示，在 v T ¼ 1 时，层间隧穿电流大大增强，这是强层间关联双层系统激子凝聚的标志。由于各个层的密度完全可调，浮动双层 QW 系统提供了一个多功能平台来获取有关电子双层系统中量子相的先前无法获得的信息。
EPSM 2022，《医学中的工程和物理科学》
方法深度剂量（PDD）和传输测量值是在Varian TrueBeam加速器上进行的。通过CT扫描（Toshiba Aquilon）和Alderson-Rando Head Phantom的CT扫描（Toshiba Aquilon）和光学成像（Einscan Pro 2X）获得了用于设备设计的表面轮廓。该设备是在Autodesk Meshmixer软件中建模的3D，并使用Bilby3D TPU和Colorfabb Bronzefill填充剂使用Rish3D Pro2加上FDM打印机生产。使用Varian Eclipse TPS实施了治疗计划，并使用Gafchromic EBT3纤维进行了验证。结果，印刷的TPU在质量和相对电子密度方面表现出与常规推注相似的放射学特性。需要大约10毫米的印刷屏蔽才能将相对剂量减少95％，而9 MeV梁则需要15毫米的9 MeV梁。创建了一个组合的推注/屏蔽装置，初始结果显示幻影可接受。结论TPU和金属纤维均表现出适当的放射学特性，目的是将其作为推注和屏蔽材料在下部电子束能量内用作。使用一种新型生产方法，两种材料都成功地纳入了组合的推注和屏蔽装置中。
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碳是一种极具吸引力的支撑材料，因为它并不昂贵，当前的化学和热稳定性，并且通过修改其结构，更改了对确定催化性能至关重要的电子和几何特性，它具有多种用途[12-15]。此外，通过简单地燃烧（焚化）碳材料或提取，金属NP可以很容易被回收[16]。的确，碳表面结构特征强烈影响金属支持的相互作用[17-19]。Zhao等。 报道了碳纳米纤维（CNFS）结构中表面菌株的PD NP结合能的增加[20]。 PD-C相互作用在存在空缺的情况下也得到了加强，并从PD 4D轨道转移到C悬挂键[21]。 为了调整碳材料的表面是杂原子的引入，例如 o，n，b和p在其蜂窝晶格结构中。 沉积在杂种掺杂的碳表面上的 NP吸引了研究人员的注意，因为NPS结合更强并防止了烧结问题[22]。 这些催化剂的电子结构也会影响其在诸如水力氧合[23]，电催化氧还原[24]，光催化氧化等反应中的活性[25]。 氧作为掺杂剂会影响碳和金属纳米颗粒之间的电荷转移，实际上，大多数杂原子增强了相邻碳原子的电子密度，从而增加了从C到金属原子的反向构成[26]。Zhao等。报道了碳纳米纤维（CNFS）结构中表面菌株的PD NP结合能的增加[20]。PD-C相互作用在存在空缺的情况下也得到了加强，并从PD 4D轨道转移到C悬挂键[21]。为了调整碳材料的表面是杂原子的引入，例如o，n，b和p在其蜂窝晶格结构中。NP吸引了研究人员的注意，因为NPS结合更强并防止了烧结问题[22]。这些催化剂的电子结构也会影响其在诸如水力氧合[23]，电催化氧还原[24]，光催化氧化等反应中的活性[25]。氧作为掺杂剂会影响碳和金属纳米颗粒之间的电荷转移，实际上，大多数杂原子增强了相邻碳原子的电子密度，从而增加了从C到金属原子的反向构成[26]。氮和硼掺杂的C材料已受到越来越多的考虑因素，因为它们直接影响了固体的费米水平[27,28]，而对其支持的PD和PD合金NP在FA分解反应中显示出有希望的活动和耐用性[29-32]。尽管PD NPS在氧气和磷掺杂碳上的沉积是甲酸脱氢反应仍然是一个挑战，但Xin等人。通过XPS揭示了磷掺杂的影响，即P掺杂会影响PD的电子特性增强其活性和催化剂稳定性[33]。
新的MBTI抑制剂复合物的结构研究
摘要：来自结核分枝杆菌（MTB）的MBTI是Mg 2+依赖性的水杨酸酸盐合酶，属于综合剂利用酶（CUE）家族。作为采购铁的基本参与者，MBTI促进了感染宿主中MTB的生存和致病性。因此，它在过去十年中成为了结核病抗病毒疗法的创新，潜在的靶标。在这种情况下，已经将5-苯基氟烷-2-羧酸鉴定为有效的MBTI抑制剂。在2020年描述了MBTI与该类别成员的第一个共结构结构，显示了采用开放式构造的酶。由于与结合口袋相邻的环的迁移率很高，因此在电子密度图中未定义大部分氨基酸链，因此阻碍了旨在结构驱动配体优化的计算工作。在此，我们报告了MBTI的一种新的高分辨率共结晶结构，其基于Furan的衍生物，其中酶的封闭形成允许在绑定的抑制剂的情况下追踪整个活性位点口袋。此外，我们描述了MBTI的新晶体结构，并与已知的抑制剂甲基AMT复杂化，这表明体外效力与观察到的酶构象无关。这些发现将证明是通过基于理性结构的药物设计方法来提高本系列效力的基本。
![arxiv：2501.01526v1 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月2日](/simg/a\af30dccb66a49215bfb27adbd5eeffcd8ffd4340.webp)
arxiv：2501.01526v1 [cond-mat.mes-hall] 2025年1月2日
我们在单轴电荷密度波（CDW）的基端状态下，在强烈的外部磁磁场垂直于导电平面的情况下，在单轴电荷密度波（CDW）的基底状态下，在单轴电荷密度波（CDW）的基础状态下，在单轴电荷密度波（CDW）的基础状态下报告了磁性电导率量σ。单轴电荷否定波将最初闭合的费米表面重建为开放的表面，并伴随着在费米能量周围状态的电子密度中形成伪间隙。在量子密度矩阵和半经典磁分解方法中计算了磁性张量，该方法着重于主，所谓的“经典”对磁磁性的贡献，这是通过磁故障对磁导体的贡献，忽略了较高的校正。In the presence of magnetic breakdown, in spite of open Fermi surface configuration, all classical magnetoconductivity compo- nents, the one along the CDW apex σ xx ∼ B − 2 , perpendicular to the CDW apex σ yy ∼ const, as well as the Hall conductivity σ xy ∼ B − 1 , undergo strong quantum oscillations vs. inverse magnetic field.这些振荡并不是仅仅是添加剂校正，而是改变经典结果成为其固有的部分，将其转变为本质上是非古典的。
单层 MoS2 的低温固源合成
摘要：二维 (2D) 半导体已被提议与现有的硅技术进行异质集成；然而，它们的化学气相沉积 (CVD) 生长温度通常太高。在这里，我们展示了在 50 分钟内在 560 °C 下直接使用 CVD 固体源前体合成连续单层 (1L) MoS 2 薄膜，在 450 至 600 °C、2 小时的热预算窗口内，以实现与现代硅技术的后端兼容。晶体管测量表明，在 1 V 漏极 - 源极电压下，100 nm 通道长度的导通电流高达 ∼ 140 μ A/μ m，这是迄今为止使用固体源前体在 600 °C 以下生长的 1L MoS 2 的最高值。在 6.1 × 10 12 cm − 2 电子密度下，传输长度法测试结构的有效迁移率为 29 ± 5 cm 2 V − 1 s − 1，这与在较高温度下生长的薄膜的迁移率相当。这项工作的结果为实现高质量、热预算兼容的 2D 半导体与硅制造的异质集成提供了一条途径。关键词：2D 材料、过渡金属二硫属化物、MoS 2、二硫化钼、BEOL、后端生产线、化学气相沉积、CVD 生长、载流子迁移率■ 介绍