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印度理工学院鲁尔基分校电子系和...
印度理工学院鲁尔基分校的通信系统小组计划在无线和光通信、信号处理和计算机视觉、无线传感器网络和大数据挖掘以及认知无线电领域开展前沿研究。我们的目标是弥合学术机构与通信、信号处理和数据挖掘行业之间的差距。该小组的学生接受了最先进的课程培训，为他们未来作为未来通信应用的领导者和研究人员履行职责奠定了坚实的基础。学生将全面接触最新的系统设计和特性工具以及实际实验。
学院网站的教职人员详细信息表格
职业简介 电子系教授 自 1995 年起在 Acharya Narendra Dev 学院工作。 行政任务 负责老师 2004-2006、2016-17、2021-22 管理机构教师代表：2004-05 和 2017-2018。 员工委员会秘书 2008-2010 成员。委员会课程 奖励和奖学金委员会委员 2022-24 招生委员会召集人 2018-2020 内部评估委员会召集人 2019-2021 SEC/AECC 评估中心协调员 2016-2018 电子音乐协会召集人 2016-17、2021-22 Dhun 音乐协会召集人 2019-21、21-23 考试委员会召集人 2006-2008 电子俱乐部召集人 2004-2006 电子系特设助理教授遴选委员会 2018-19 感兴趣的领域/专业
更正为：针对信号相关噪声滤波的改进各向异性扩散方案
在本文中，应将以下提到的隶属关系添加到作者 Jihene Malek 的现有隶属关系中。“苏塞大学应用科学与技术高等学院电子系，4003 苏塞，突尼斯”。原文已更正。
工程与电子系，技术学院，阿布贝克尔贝勒凯德大学，阿尔及利亚，特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 数字
工程和电子系，阿布贝克尔贝尔卡德大学技术学院，阿尔及利亚特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 基于 AlGaN/GaN/AlGaN 的 UV LED 单量子阱数值模拟 摘要。发光二极管 (LED) 等光源是制造更坚固、转换效率更高、更环保的灯具的良好解决方案。这项工作的目的是使用 SILVACO 软件研究和模拟夹在两层之间（分别为 p 掺杂和 n 掺杂的 AlGaN）的单个 GaN 量子阱的紫外发光二极管。通过这种模拟，我们可以提取 LED 的不同特性，例如电流-电压 (IV) 特性、发射光功率、自发辐射率、辐射复合、俄歇复合、肖克利-里德-霍尔复合、光增益、光通量、光谱功率密度、整体效率。这些模拟使我们能够提取基于 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的单量子阱紫外发光二极管的电学和光学特性，并检查其性能。光学器件、发光二极管 (LED)、双色灯和发光二极管przyjaznych dla środowiska。 Celem tej pracy 开玩笑 zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą Studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p 掺杂 in n 掺杂 AlGaN， przy użyciu oprogramowania SILVACO。此 symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED、takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (IV)、moc emitowanego światła、szybkość emisji spontanicznej、rekombinacja radiacyjna、重新组合 Augera、重新组合 Shockleya-Reada-Halla、wzmocnienie optyczne、strumień świetlny、gęstość widmowa mocy、ogólna wydajność。该符号与 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 和 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的其他器件有关。 ( Numeryczna symulacja pojedynczej Studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN) 关键词：GaN、AlGaN、紫外发光二极管、silvaco Tcad。 Słowa kluczowe：GaN、AlGaN、二极管发射器、UV、silvaco Tcad。简介 基于氮化镓 (GaN) 的固态照明技术彻底改变了半导体行业。 GaN 技术在减少世界能源需求和减少碳足迹方面发挥了至关重要的作用。根据报告，2018 年全球照明需求减少了约 13% 的总能源消耗。美国能源部估计，到 2025 年，明亮的白色 LED 光源可以减少 29% 的照明能耗。近十年来，全球的研究人员致力于 III-N 材料研究，以改进现有技术并突破 III-V 领域的极限。现在，随着最近的发展，GaN 不仅限于照明，最新创新还推动了微型 LED、激光投影和点光源的发展。这些发展将 GaN 推向了显示技术领域。基于 GaN 的微型 LED 的小型化和硅上 GaN 的集成推动了其在快速响应光子集成电路 (IC) 中的应用。将详细讨论 GaN LED 领域的大多数最新进展 [1] III 族氮化物 (GaN、AlN 和 InN) 及其合金因其优异的物理性能和在恶劣环境条件下的稳定性而被认为是各种光电应用中最有前途的半导体材料 [2, 3, 4]。如今，基于 III 族氮化物的发光二极管 (LED) 因其效率高、功耗低、寿命比荧光灯和白炽灯长而被广泛应用于世界各地的固态照明 (SSL) 应用 [5, 6]。LED 是一种更有前途的低功耗光源，可取代传统的荧光灯。除 LED 外，基于 III 族氮化物的激光二极管 (LD)、高功率电子器件、光电探测器等也是其他扩展的光电应用，这些应用也已得到展示 [7, 8]。这项工作包括对基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果以及它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。
hamdy.abdelhamid@gmail.com； h.hamed@ajman.ac.ae
• 阿治曼科技大学，工程学院 副教授（全职）- 晋升教授职称 2019 年 1 月 – 至今 阿治曼，阿拉伯联合酋长国 • 泽瓦尔科技城 副教授，纳米电子学和设备（全职） 2012 年 10 月 – 2019 年 1 月 开罗，埃及 • 开罗美国大学 副教授，纳米电子学和设备（兼职） 2012 年 10 月 – 2019 年 1 月 开罗，埃及 • 埃及英国大学 助理教授，电子工程系（全职） 2009 年 10 月 – 2010 年 9 月 开罗，埃及 • 麦克马斯特大学，工程学院 博士后奖学金，微电子工程系（全职） 2007 年 10 月 – 2009 年 9 月 加拿大安大略省汉密尔顿 • 鲁汶天主教大学 高级研究员（全职） 2007 年 3 月 – 2007 年 6 月比利时新鲁汶 • 利物浦大学，电气工程和电子系 全职研究员（电气工程和电子系） 2005 年 5 月 – 2005 年 9 月 英国利物浦
Hemant Kumar Srivastava
在2019年2月27日至28日，物理和电子系，Ayodhya的Ram Manohar Lohia Avadh University博士组织的材料科学和电子技术的进步（Ramse-2019）。11。“作为智能生物分子的溶质结合蛋白：结构和功能性特征”在2019年3月15日至16日在全国智能材料，设备和可持续技术会议上，由MMM Technology Applied Physick，MMM Technology系（Gorakhpur）gorakhpur 12。“溶质结合蛋白及其同源配体：结构，功能及其在
电子工程系
我于 1991 年加入该系，担任特设讲师，并于 1993 年戏剧性地获得成为常任教员的机会。自那以后，我从未停止过我的教学之旅。数千名学生、数百名同事和多位系主任/主任始终激励着我。从高级讲师晋升为副教授，然后是教授，第五、第六和第七个薪酬委员会让我的薪资基础从四位数增加到了六位数。从电气系的单层楼和共用房间，到 ECED 的独立建筑和独立房间，ECED 的横向和纵向扩展为带有独立办公室的四层新 ECED 建筑，我亲眼目睹了多么迷人的发展，从一个拥有有限数量教员的婴儿电子系成长为一个完全成长为年轻而充满活力的电子系。作为系主任和教职工福利副院长的历程真是令人惊叹。当我的老学生来见我时，看到他们在职业生涯中安顿下来，我感到非常高兴。这只是我与 SVNIT 和 ECED 相关的很长故事的摘要。我的故事总长度相当于一本书。这个空间太小了。太多事件、太多情节、太多作品集。而且，随着我继续直接或间接地与该部门合作，直到我生命的最后一刻，这个故事将进一步扩展。Upena Devang Dalal 博士（夫人）教授兼前任主任，萨达尔瓦拉巴伊国立科技学院电子工程系，苏拉特