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石墨烯：一种有前途的电子应用材料
自 2004 年首次成功分离石墨烯以来，凝聚态物理和材料科学对石墨烯产生了浓厚的兴趣。这种单层材料是所有维度石墨材料的基本组成部分，具有优异的电导率和热导率。石墨烯具有独特的能带结构，带隙为零，导带和价带在称为狄拉克点的点相接。这种不常见的能带结构使快速电子传输成为可能。通过调节石墨烯和基底材料之间的相互作用，可以在一定程度上调节能带隙的大小，从而实现半导体行为，即通过掺杂可以改变电导率。随着计算机芯片和其他现代电子产品在过去几十年中不断进步，它需要不断缩小的硅芯片，但目前的纳米制造方法无法使硅芯片比现在小得多。石墨烯被认为在未来的半导体电子设备中非常有前途，可以替代硅，因为它应该能够制造出比传统材料制成的器件薄得多的器件。然而，除非找到增加能隙的方法，并找到大量生产高质量单层石墨烯的方法，否则石墨烯取代半导体是不可能的。尽管石墨烯无法彻底改变半导体行业，但它在各种电子应用方面仍然很有前景。
原始发表论文的引文（记录版本）：Nocerino, E., Stuhr, U., San Lorenzo, I. et al (2023). Q 依赖的电子-声子耦合
a 瑞典皇家理工学院，应用物理系，阿尔巴诺瓦大学中心，斯德哥尔摩，SE-114 21，瑞典 b 中子散射和成像实验室，保罗谢勒研究所，CH-5232，Villigen PSI，瑞士 c 纳米科学中心，尼尔斯玻尔研究所，哥本哈根大学，Nørre All e 59，DK-2100，哥本哈根 O，丹麦 d 都灵理工大学应用科学与技术系，Corso Duca Degli Abruzzi 24 10129，都灵，意大利 e 维也纳科技大学固体物理研究所，Wiedner Hauptstraße 8 e 10，1040，维也纳，奥地利 f 瑞典皇家理工学院 PDC 高性能计算中心，SE-100 44，斯德哥尔摩，瑞典 g Nordita，瑞典皇家理工学院和斯德哥尔摩大学，Hannes Alfv ens v € ag 12，SE-106 91，斯德哥尔摩，瑞典 h 东京大学固体物理研究所中子科学实验室，柏，千叶 277-8581，日本 i 东京大学跨尺度量子科学研究所，东京 113-0033，日本 j 高能加速器研究机构材料结构科学研究所，茨城 305-0801，日本 k 牛津大学无机化学实验室，牛津 OX1 3QR，英国 l 印度理工学院物理系，坎普尔 208016，印度 m 塔塔基础研究所 DCMPMS，孟买 400005，印度 n 查尔姆斯理工大学物理系，SE-412，哥德堡，瑞典
EE 459/559：电力电子控制与应用
参考阅读：[1] H. Akagi，E. Watanabe 和 M. Aredes，“瞬时功率理论及其在电源调节中的应用”，IEEE Press，2007 年，第 3 章。
电子与通信工程
1 Ansh Nikhra 2000910200018 Rxlogix 2 Ayushi Ojha 2000910200028 K＆S Partners，Emerson 3 Shruuti Mittal 2000910200095 Newgen 4 Utkarsh Singh 200091010200102001020010200107 K＆S Partners，Samsunk 5 Yashaswini Srivastava 2000910200113 Newgen 6 Abhik Mourya 2000910210001 Paytm 7 Abhishek Singh Chauhan 2000910210003 K＆S Partners 8 ATI GUPTA 20009101010016 CADENCE 9 RIII 9 RIIII Agrawal 2000910210043 UKG 10 Aaditya Pratap Malik 2000910310001 TCS Ninja 11 Aakarsh Gupta 2000910310002 Spark Minda，TCS Ninja 12 Abhishek Maurya Maurya 2000910101010101010101010 Spark Minda 13 2000910310017 Spark Minda 14 Aditya Singh 2000910310021 Akash Gupta 2000910310027 Spark Minda 16 Akash Shukla 2000910310029 Newgen 17 17 17 17 17 17 17 171010101010101010MM Bansal 2000910310031 Quontplay 19 Aman Maurya 2000910310032 Newgen 20 Amish Verma 2000910310033 Newgen 21 Amisha Pandney 2000910310034 UKG 22 AMIT GANGWAR Kandwal 2000910310042 Paytm 24 Anukriti Jaiswal 2000910310043 Acencencencenture，Newgen 25 Anushka Sribastava 200091010045 Accenture 26 Arnika Sharma Sharma 2000910310046 Immerson 27 2000910310054 Ericsson 28 Asmita Rai 2000910310055 K＆S Partners 29 Ayush Narayan Sinha 2000910310057 Accenture，Newgen 30 Divyansh Goenka Goenka Goenka 2000910310063 UKG 31 ukg 31 Ggaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygaurang tygauragigigigigigiii 2000910310068 PAYTM 32 GAUURAV MISHRA 2000910310069 DACBY 33 HARSHIL AWASTHI 2000910310074 ACPENTURE 34 HARSHITA 2000910310075 NEWGEN NEWGEN 35 HRDYANSH PANDEY 200091010078 SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN SHIN学习36 Hrithik Yadav 2000910310079 Avaada 37 Jatin Kumar Sharma 2000910310081 Persist Ventures
世贸组织问题和印度电子及电信行业
能力建设活动的初衷是解决印度在理解电信和电子设备贸易相关问题方面的能力差距，以及在世贸组织中以更明智和更细致的方式代表印度在这一领域的立场。研讨会的目的是让政府官员和私营部门参与者了解世贸组织的谈判和争端解决程序，重点关注电子和电信贸易问题，特别是 ITA-1 和 ITA-E 协议引起的国内行业实际贸易相关问题。研讨会的目的还在于鼓励 PLI 制造商和印度政府的“印度制造”运动，为私营企业和政府官员提供一个合作平台，讨论电信设备制造中的实际贸易相关问题，由学术界 (CWS) 的领域专家指导。本报告旨在总结 CBW 期间举行的活动和讨论，并试图具体化为期两天的研讨会的学习成果。
对表面质子耦合电子转移的反应性进行建模
Krauss，T。D.*; Bren，K。L.*; Matson，E。M*。 “通过多氧化烷层簇从CDSE量子点中增强光催化氢的活性”。 Commun。，2020，56，8762-8765。Krauss，T。D.*; Bren，K。L.*; Matson，E。M*。“通过多氧化烷层簇从CDSE量子点中增强光催化氢的活性”。Commun。，2020，56，8762-8765。
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