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拓扑绝缘体 (TI) 因其独特的物理特性和广阔的应用前景而在光子学和声学领域引起了广泛关注。由于电子学在构建复杂拓扑结构方面具有优势，它最近成为研究各种拓扑现象的一个令人兴奋的领域。在这里，我们利用标准的互补金属氧化物半导体技术在集成电路 (IC) 平台上探索 TI。基于 Su–Schrieffer–Heeger 模型，我们设计了一个完全集成的拓扑电路链，该电路链使用多个电容耦合电感电容谐振器。我们对其物理布局进行了全面的布局后模拟，以观察和评估显着的拓扑特征。我们的结果证明了拓扑边缘状态的存在以及边缘状态对各种缺陷的显着鲁棒性。我们的工作展示了使用 IC 技术研究 TI 的可行性和前景，为未来在可扩展 IC 平台上探索大规模拓扑电子学铺平了道路。
全集成拓扑电子器件
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