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World File Search System电学
GaN微管挠曲电学研究平台的建立
摘要。本文提出了一种经济高效的工艺流程设计与开发，用于研究 GaN 微管的挠曲电性能，微管直径为 2 - 5 μm，微管壁厚为 50 nm。研究了设计以及电化学蚀刻参数（施加电压、阳极氧化持续时间）对获得的通道尺寸的影响。所提出的技术路线意味着在高蚀刻速率下在环保电解质中对 n-InP 半导体晶体进行电化学蚀刻。通过实验优化了工艺流程。建议引入一个垂直通道，微管将放置在该通道中，以便在测量过程中在平台上达到更高的稳定性。
压电学和电纺压电材料与器件简介
1 米尼奥大学物理中心，4710-057，布拉加，葡萄牙 2 米尼奥大学 IB-S 可持续发展科学与创新研究所，4710-057，布拉加，葡萄牙 3 米尼奥大学聚合物与复合材料研究所 IPC/I3N，4800-058 吉马良斯，葡萄牙 4 BCMaterials，巴斯克材料、应用与纳米结构中心，HU 科技园，48940 Leioa，西班牙 5 IKERBASQUE，巴斯克科学基金会，48013，毕尔巴鄂，西班牙
工程学士学位（荣誉）（机器人技术和机电学）
UNSW机械和制造工程•澳大利亚的第一届机械，航空和制造工程（QS主题排名2024）•在一流的教学实验室和尖端的实验室和尖端设施中学习和探索，其中包括飞行模拟器，Mechatronics研究空间，用于启动和启用式启动式刺激性实验室和启动式刺激性的刺激性实验室，并进行启动的启动调整，并调整了刺激性调整，刺激性调整效果，刺激性调节器，刺激性调整，刺激性调整效果。机械研讨会•UNSW与澳大利亚高级航空技术，现代NGV，波音公司和新疆金管科科学技术等行业领导者建立了合作伙伴关系
不同GaAs衬底上生长的磺化聚苯胺薄膜的电学性能
本文描述了n型GaAs衬底的晶体取向对在不同n型GaAs衬底取向（即（100）、（311）A和（311）B GaAs面）上生长的厚度为120nm的磺化聚苯胺 (SPAN) 薄膜电学性能的影响。利用室温和不同温度（60−360 K）下的电流密度-电压 (J−V) 进行电学表征。从正向J−V特性中提取了理想因子 (n)、肖特基势垒高度 (Φb) 和活化能 (Ea)。从J−V结果可知，SPAN/(311)B GaAs混合器件在0.5 V时的整流值高于在（100）和（311）A GaAs面上生长的SPAN的整流值。此外，随着这三个异质结器件的温度升高，Φ b 的值增加，n 下降，E a 上升。E a 测量表明，SPAN/(311)B n 型 GaAs 异质结构的 E a 低于在 (100) 和 (311)A n 型 GaAs 平面上生长的 SPAN 样品。这可能与 SPAN/(311)B 中的缺陷数量低于其他两个样品有关。这些结果使得在高指数 GaAs 平面上生长的厚度为 120 nm 的 SPAN 成为未来器件应用的有趣混合器件。
工程学士学位（荣誉）（机器人和机电学）BH-erm
所有硕士，学位，文凭和基金会课程的学生将在第一学期自动注册参加学术完整性培训模块（注意：预计从基金会研究中阐明的学生有望将本单元作为复习进行。该在线模块中有4个主题，建议在您开始学习期的第1-4周完成。在此模块结束时，要求学生完成由10个问题组成的测验，并取得至少90％的分数。
烃类环境对Ge-As-Se-S硫系玻璃电学特性的影响
对现有科学文献的比较分析表明，基于陶瓷（Al 2 O 3 、TiO 2 、SiO 2 ）及其主轴连接制成的传感器既有优点，也有缺点。采用特殊工艺方法制造的SiO2多孔材料成本高，对SO 2 、CO 2 、CO、NH 3 、CH 4 等有毒气体的灵敏度低，等效逆反应时间<10秒[1]。研究表明，由薄非晶态片状硫属玻璃（As 2 (Se 0.9 Te 0.1 ) 3 、As 2 Se 3 ）制成的传感器的灵敏度取决于它们的成分，其惰性极低。主要原因是作为电子过程的体电导率变化发生得相当快[2]。另一方面，硫属化物玻璃传感器（As 4 S 3 和 As-Ge-Te）体积小、成本低、能耗低，灵敏度高 [3]。基于硫属化物 As 4 S 3 和 As-Ge-Te 玻璃薄层的电阻式传感器对丙胺 (C 3 H 7 NH 2 ) 和二氧化氮 (NO 2 ) 介质高度敏感，可成功用于监测这些介质，因为它们具有对湿度的动态响应、高恢复性和可逆性的特点 [3]。硫化物硫系玻璃（例如As-S）的波长主要在0.6~7微米范围内，而含锗（Ge）、硒（Se）、硫（S）和碲（Te）的硫系玻璃（Ge-S、Ge-Se、Ge-As-S、Ge-As-Se、Ge-As-Se）的波长更宽，光学透明度高（2~12微米），可以在相对较宽的温度范围内（200~300℃）作为更有效的光纤材料应用[4.5]。
磁控溅射生长的钒酸锶薄膜的结构、电学和光学特性
Axel Rouviller、Moussa Mezhoud、Alex Misiak、Meiling Zhang、Nicolas Chery 等人。磁控溅射生长的钒酸锶薄膜的结构、电学和光学特性。ACS Applied Electronic Materials，印刷中，6 (2)，第 1318-1329 页。�10.1021/acsaelm.3c01642�。�hal-04400444�
推荐使用X射线光电学光谱量化氧空位的策略
氧空位在塑造金属氧化物的特性中起着至关重要的作用，例如催化，铁电性，磁性和超导性。尽管X射线光电子光谱（XPS）是一种健壮的工具，但准确的氧气空位定量仍然是一个挑战。XPS分析中的一个常见错误是将O 1 S光谱中的531 - 532 eV特征与氧空位相关联。这是不正确的，因为空的氧气位点不会发出光电子，因此不会产生直接的XPS光谱特征。为了解决这个问题，我们提出了三种通过间接特征通过XPS进行氧气空位分析的替代方法：（1）量化阳离子价状态变化，（2）通过归一化的氧气光谱强度和（3）评估FERMI能量从粘合En-Ergy中的电量移位来评估Fermi Ensightic Engy的Fermi Ensive变化。推荐的策略将促进氧气空位的精确XPS分析，从而促进未来的理解和操纵氧空位以进行先进材料开发的研究。
量子电气标准 - NIST 的 TSAPPS
大多数人，包括物理学家，可能都不知道实验室里的电压表或手机里的电池是如何校准的。这两项活动以及许多其他活动都主要依赖于基于国际单位制的电学单位的成功传播。电学单位的标准有着悠久的历史，可以追溯到基础实验——例如安培定律的测试。然而，今天的电学标准正受到基于量子定律和设备的现代工作的挑战，而这些定律和设备在 1960 年国际单位制建立时并不存在。理论上，电学单位都是基于两根载流导线之间的力。实际上，目前的电学单位系统基于两个不方便且具有挑战性的物理实验。电流单位由现代版的安培实验定义，该实验使用一种称为瓦特天平的设备（见图 1）。电容单位由可计算电容器实验定义，在该实验中，一个大型铜圆柱体在真空室中移过其他圆柱体。然而，在实际操作中，大多数电气单位（特别是电压和电阻）的校准可以追溯到反映量子物理的固态设备，而不是经典的库仑或安培定律。基于约瑟夫森电压 (JV) 的量子标准