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World File Search System电容耦合
集成电荷传感器揭示 InAs 纳米线三重量子点中的电荷态、三重点和四重点
通过细指栅技术，在 InAs 纳米线上实现了集成量子点 (QD) 电荷传感器的串行三量子点 (TQD)。通过直接传输测量和电荷传感器检测测量，研究了器件在少电子状态下的复杂电荷状态和有趣特性。由 TQD 中的 QD 和传感器 QD 形成的电容耦合并联双 QD 的电荷稳定性图显示 TQD 和传感器 QD 之间存在明显的电容耦合，表明电荷传感器具有良好的灵敏度。通过电荷传感器测量 TQD 的电荷稳定性图，同时进行的直接传输测量和基于有效电容网络模型的模拟很好地再现了电荷稳定性图中的整体特征。使用集成电荷传感器在能量退化区域详细测量了 TQD 的复杂电荷稳定性图，其中所有三个 QD 都处于或接近共振状态，并且观察到了四重点和所有可能的八种电荷状态的形成。此外，还演示并讨论了 TQD 作为量子细胞自动机的运行。
平面射频磁控等离子体中的电子动力学：I.霍尔加热机制和µ模式
摘要 研究了低压射频 (RF) 驱动磁增强电容耦合等离子体中的电子动力学和功率吸收机制。重点研究的装置是一个几何不对称的圆柱形磁控管，轴向具有径向不均匀的磁场，径向具有电场。使用冷等离子体模型和单粒子形式对动力学进行分析研究，并使用内部能量和电荷守恒粒子室内/蒙特卡罗碰撞代码 ECCOPIC1S-M 对动力学进行数值研究。发现动力学与未磁化的参考放电有显著不同。在通电电极前方的磁化区域中，在鞘层膨胀期间会产生增强电场，在鞘层塌陷期间会产生反向电场。这两个场都是确保放电维持电子传输以抵抗磁场限制效应所必需的。相应的方位 E × B 漂移可以将电子加速到非弹性能量范围，从而产生一种新的射频功率耗散机制。它与霍尔电流有关，性质上不同于欧姆加热，以前的文献中将其归类为欧姆加热。这种新的加热方式有望在许多磁化电容耦合放电中占主导地位。建议将其称为“µ 模式”，以将其与其他加热模式区分开来。
在整个储能系统中扩展精确的电池管理设计
图 1 显示了垂直接口配置，其中两个 BQ79616 电池监视器引脚驱动南北方向的双绞线电缆。链的底部是控制器模块，其中 BQ79600-Q1 桥接集成电路用于高压隔离，并将电池数据从垂直接口转换为通用异步接收器发送器 (UART) 或串行外设接口 (SPI) 和主机处理器。链中每个设备的电流或电容耦合隔离都是可能的。可选地，环形配置可以在链发生故障或中断时用作冗余通信路径。
实验系统，用于连续监测架空电源线和变电站绝缘
摘要。本文介绍了一种系统，用于根据安装在塔和绝缘体上的传感器来监视高架电源线和变电站的绝缘条件。传感器在电容耦合上与绝缘结构一起工作，并在绝缘子附近注册电气放电的外观和生长。传感器的数据具有预定频率（从1分钟或更长时间）是将蜂窝通信传输到操作服务计算机（智能手机），并显示为更改屏幕上的图形。在本文中，提出了系统的运行和功能图，并在实验室和现场条件下使用了110 kV线的实验室和现场条件中的制成产品样品进行了描述的测试和实验结果。现场实验的结果显示了与传统诊断设备相比，监测绝缘材料的优势。
采用双路径设计高选择性带阻滤波器...
本文介绍了一种宽带带阻滤波器 (BSF) 的设计，其最终目标是提高选择性。设计的滤波器由双路电容耦合阶跃阻抗谐振器 (DP-CCSIR) 组成。本文对所提出的 DP-CCSIR 结构进行了理论分析。据观察，可以通过增加双耦合阶跃阻抗谐振器的阶数来提高选择性。所提出的设计产生了以 5.25 GHz 为中心的宽带 BSF，分数带宽为 58.5%。结果表明，可以通过改变 CCSIR 的电长度来调节谐振频率。此外，还认识到双路 CCSIR 参与产生有限频率传输极点，从而实现更好的选择性。然而，所提出的设计已通过制造三个原型进行了验证。测量结果与模拟结果一致。
应变锗双量子阱中的垂直栅极定义双量子点
硅锗异质结构中的栅极定义量子点已成为量子计算和模拟的有力平台。迄今为止，发展仅限于在单个平面中定义的量子点。在这里，我们提出通过利用具有多个量子阱的异质结构来超越平面系统。我们展示了应变锗双量子阱中栅极定义双量子点的操作，其中两个量子点都与两个储层进行隧道耦合，并发生平行传输。我们分析了与附近栅极的电容耦合，发现两个量子点都聚集在中央柱塞栅极下方。我们提取了它们的位置和大小，由此得出结论，双量子点垂直堆叠在两个量子阱中。我们讨论了多层器件的挑战和机遇，并概述了量子计算和量子模拟中的一些潜在应用。
聚酰亚胺薄膜的电场直流电导率依赖性
1 简介 隔离器是一种电子设备，它向控制器传输数字信号，同时还提供电流隔离，为用户界面和低压电路提供安全的电压水平。它们具有广泛的应用，包括工业、汽车、消费和医疗电子产品，每种产品都需要特定的最低隔离水平。隔离的基本形式是由光耦合、电容耦合和磁耦合提供的 [1]。隔离器必须通过多项监管标准才能投放市场。这些标准包括可靠性测试，如耐压和浪涌电压以及高压耐久性 (HVE)。耐压和浪涌电压是相对较快的持续时间测试，但 HVE 可能需要几个月到几年才能完成 [2]。本研究基于对磁耦合隔离器中使用的材料的隔离能力的评估。为了更好地管理隔离器的可靠性测试，最好事先优化组件材料。在这项工作中，我们讨论了加工效应对隔离器中使用的各种材料的影响，并
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最近已经提出了大量的自由流量亚MM和MM植入式装置，作为神经科学中的下一代记录和刺激技术[1]。 这些设备可以比采用固定电极放置的整体微电极阵列（MES）[2]，[3]的常规方法进行高空间和时间分辨率记录和刺激涵盖大脑更大的大脑区域。 此外，拟议的游离植入物技术提供了较小的侵入性植入过程，对长期疤痕的安全性和鲁棒性提高[4]。 随着脑表面覆盖面积的增加，这些植入物的数量迅速增长。 大量植入物引入了从外部设备的无线电源传输设计中引入的新挑战。 通过超声耦合，电感耦合和电容耦合，已实现了无线电源传递到小型植入物。 在深度植入深度的情况下，超声耦合是有利于植入物在单个芯片上的整合，并且对未对准的较高敏感性有利电感和电容式耦合[5]。大量的自由流量亚MM和MM植入式装置，作为神经科学中的下一代记录和刺激技术[1]。这些设备可以比采用固定电极放置的整体微电极阵列（MES）[2]，[3]的常规方法进行高空间和时间分辨率记录和刺激涵盖大脑更大的大脑区域。此外，拟议的游离植入物技术提供了较小的侵入性植入过程，对长期疤痕的安全性和鲁棒性提高[4]。随着脑表面覆盖面积的增加，这些植入物的数量迅速增长。大量植入物引入了从外部设备的无线电源传输设计中引入的新挑战。通过超声耦合，电感耦合和电容耦合，已实现了无线电源传递到小型植入物。在深度植入深度的情况下，超声耦合是有利于植入物在单个芯片上的整合，并且对未对准的较高敏感性有利电感和电容式耦合[5]。
交流耦合宽带神经记录前端，效率低于 1 毫米 2 × fJ/conv-step，NEF 为 0.97
摘要 — 本信介绍了一种用于多通道宽带神经信号记录的能量和面积高效的交流耦合前端。所提出的单元使用基于反相器的电容耦合低噪声放大器调节局部场和动作电位，然后是每通道 10-b 异步 SAR ADC。单位长度电容器的调整可最大限度地减少 ADC 面积并放宽放大器增益，从而可以集成小型耦合电容器。与最先进的产品相比，65 纳米 CMOS 原型的面积缩小了 4 倍，能量面积效率提高了 3 倍，占位面积为 164 µ m × 40 µ m，能量面积性能系数为 0.78 mm 2 × fJ/conv-step。在 1 Hz 至 10 kHz 带宽内测得的 0.65 µ W 功耗和 3.1 µ V rms 输入参考噪声对应的噪声效率因子为 0.97。