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World File Search System电容耦合
低压电容耦合等离子体细胞内粒子建模
电容耦合等离子体 (CCP) 广泛用于半导体工业中的薄膜蚀刻和沉积。在许多应用中，CCP 在低压（平均自由程与间隙相当）下运行，其中动力学现象主导等离子体行为。尽管流体和混合等离子体模型是业内用于等离子体系统设计的主要建模工具，但分析这些低压 CCP 需要动力学技术。粒子在单元 (PIC) 是动力学等离子体建模最具吸引力的选择之一，因为它简单且准确。然而，PIC 模拟速度可能很慢，而且 PIC 可以解决的问题范围有限。本演讲概述了我们应用材料团队近年来进行的一些 PIC 建模。我们首先描述我们的 PIC 建模代码，特别是使 PIC 模拟更快以及在二维圆柱几何中实用的方面。接下来将讨论 He、Ar 和 O 2 等离子体的几项 1D PIC 研究，重点是模型验证和确认。演讲的最后一部分涉及几种电容等离子体的 2D 建模。这些 2D 建模研究检查了低压 CCP 中的传输、低频偏置电压波形对双频 CCP 中等离子体均匀性的影响以及电容耦合空心阴极放电。
全差分电容耦合高 CMRR 低...
摘要 干电极的使用正在迅速增加。由于干电极的阻抗很高，因此在电极和放大器之间的连接节点处有一个高阻抗节点。这会导致吸收电力线信号，而高 CMRR 放大器对于消除这种情况至关重要。在本文中，我们提出了一种具有高 CMRR 的低功耗低噪声斩波稳定放大器。为了最大限度地降低输入参考噪声，采用了基于反相器的差分放大器。同时，设计了一个直流伺服环路来抑制电极的直流偏移。由于所有级都需要共模反馈，因此每个放大器都使用了合适的电路。此外，在最后一级实施了斩波尖峰滤波器以衰减斩波器的尖峰。最后，为了消除失配和后期布局造成的偏移效应，采用了直流偏移抑制技术。设计的电路采用标准 180 nm CMOS 技术进行仿真。设计的斩波放大器在 1.2 V 电源下仅消耗 1.1 l W。中频带增益为 40 dB，带宽为 0.5 至 200 Hz。其带宽内的总输入参考噪声为 1 l V rms。因此，设计电路的 NEF 和 PEF 分别为 2.7 和 9.7。为了分析所提出的斩波放大器在工艺和失配变化下的性能，进行了蒙特卡罗模拟。根据 200 次蒙特卡罗模拟，CMRR 和 PSRR 分别为 124 dB（标准偏差为 6.9 dB）和 107 dB（标准偏差为 7.7 dB）。最终，总面积消耗为 0.1 mm 2（不含焊盘）。
基于生成对抗网络的中风电容耦合电阻抗断层扫描图像重建
摘要：本研究探讨了基于机器学习的中风图像重建在电容耦合电阻抗断层扫描中的潜力。研究了使用对抗神经网络 (cGAN) 重建的脑图像的质量。使用二维数值模拟生成监督网络训练所需的大数据。无撞击损伤和有撞击损伤的头部轴向横截面模型平均为 3 厘米厚的层，与传感电极的高度相对应。使用具有特征电参数的区域对中风进行建模，这些区域是灌注减少的组织。头部模型包括皮肤、颅骨、白质、灰质和脑脊液。在 16 电极电容式传感器模型中考虑了耦合电容。使用专用的 Matlab ECTsim 工具包来解决正向问题并模拟测量。使用数字生成的数据集训练条件生成对抗网络 (cGAN)，该数据集包含健康患者和出血性或缺血性中风患者的样本。验证表明，使用监督学习和 cGAN 获得的图像质量令人满意。当图像对应于中风患者时，可以从视觉上区分，出血性中风引起的变化最为明显。继续进行图像重建以测量物理幻影是合理的。
神经形态计算辅助的互动电容耦合触觉传感器阵列用于无线混合现实互动
摘要：灵活的触觉传感器由于其生物适应性和快速信号感知而显示出对人工智能应用的希望。Triboeelectric传感器可实现主动动态触觉传感，同时整合静态压力传感和实时多通道信号传输是进一步开发的关键。在这里，我们提出了一个集成结构，该结构结合了一个用于静态时空映射的电容传感器和一个用于动态触觉识别的摩擦电传感器。4×4像素的液态金属柔性双模式互动耦合触觉传感器（TCTS）阵列可实现7毫米的空间分辨率，表现为0.8 PA的压力检测极限，快速响应6 ms。此外，使用基于MXENE的突触晶体管使用的神经形态计算在90个时期内通过TCTS阵列收集的动态互动信号在90个时期内实现了100％的识别精度，并实现了来自TCTS阵列的动态互动信号，以及从多键盘触觉数据中的交叉空间信息通信中实现了多型触觉数据的交流。结果阐明了在人界面和高级机器人技术中双模式触觉技术的相当大的应用可能性。关键字：互联网耦合，触觉传感器阵列，神经形态计算，人类 - 机器接口，混合现实
Ted Johansson，专利 更新于 2023-07-02
1. T. Johansson、J.-M. Gobbi，“用于最小化基板和耦合电容器之间产生的寄生电容的设备利用集成电路中不同功能块之间的电容耦合”，瑞典专利号 470 115，提交日期 1992-05-02。
VLSI 设计 – I
• 对于慢速信号和/或短线段，分布式 RC 模型（包括与相邻线的电容耦合）将提供足够准确的图像。 • 存在几种精确（尽管计算成本高昂）的方法来提取 R 和 C 值。 • 可以使用 RC 模型模拟延迟和耦合效应。
关键词列表 - EPE 2023
电容耦合 电容耦合 电容电压平衡 电容器 碳中和 级联 H 桥 共源共栅 CC-CV 充电 混沌抑制 EMI 充电补偿装置 充电调度 充电站 充电 电动汽车充电基础设施 电路 D 类放大器 闭式方程 组合 MMC-LLC 热电联产 公共接地 共模电流 电力电子通信 通勤 补偿 测量组件 压缩机 计算成本 状态监测 传导损耗 共识 基于共识的合作控制 接触电阻 非接触式能量传输 非接触式电源 控制相互作用 电气系统的控制方法 驱动控制 控制策略 控制器基准 控制器 转换比 转换器电路 转换器控制 转换器机器相互作用
增益提升折叠共源共栅运算放大器，带电容耦合辅助放大器 M. Rashtian* a、M. Vafapour b
介绍了一种使用简单单级辅助放大器的新型增益提升折叠共源共栅运算放大器。所提出的辅助放大器的设计方式是，无需使用共模反馈网络，即可获得适当的输入和输出直流共模电压。辅助放大器的输入端由耦合电容器和浮栅 MOS 晶体管隔离。因此，直流输入电压电平限制已被消除。辅助放大器的输出端也使用了二极管连接的晶体管，使输出电压电平保持在所需的水平。与更复杂的放大器相比，简单的单级辅助放大器对主放大器施加的极点和零点更少，而且功耗也更低。0.18μm CMOS 技术的仿真结果显示直流增益增强了约 20 dB，而输出摆幅、斜率、稳定时间、相位裕度和增益带宽几乎与之前的折叠共源共栅设计相同。