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电容耦合等离子体 (CCP) 广泛用于半导体工业中的薄膜蚀刻和沉积。在许多应用中，CCP 在低压（平均自由程与间隙相当）下运行，其中动力学现象主导等离子体行为。尽管流体和混合等离子体模型是业内用于等离子体系统设计的主要建模工具，但分析这些低压 CCP 需要动力学技术。粒子在单元 (PIC) 是动力学等离子体建模最具吸引力的选择之一，因为它简单且准确。然而，PIC 模拟速度可能很慢，而且 PIC 可以解决的问题范围有限。本演讲概述了我们应用材料团队近年来进行的一些 PIC 建模。我们首先描述我们的 PIC 建模代码，特别是使 PIC 模拟更快以及在二维圆柱几何中实用的方面。接下来将讨论 He、Ar 和 O 2 等离子体的几项 1D PIC 研究，重点是模型验证和确认。演讲的最后一部分涉及几种电容等离子体的 2D 建模。这些 2D 建模研究检查了低压 CCP 中的传输、低频偏置电压波形对双频 CCP 中等离子体均匀性的影响以及电容耦合空心阴极放电。
低压电容耦合等离子体细胞内粒子建模
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