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<6 nm单壁碳纳米管束和SI底物之间的导热率
摘要：单壁碳纳米管（SWCNT）和底物之间的界面热电导很少被表征和理解，这是由于在探测跨这样的NM范围接触的能量传输方面的重大挑战。在这里，我们报告了<6 nm厚的SWCNT束和Si底物之间的界面热电导。用于测量能量传输状态分辨的拉曼，其中拉曼频谱在连续波（CW）下变化，并测量20 ns脉冲激光加热，用于在稳定和短暂的热传导下通过界面热导电持续的稳定和短暂热传导的热响应。由于样品的激光吸收和温度升高不需要知识，因此测量可以实现极端的能力和置信度。在SWCNT束的三个位置中，测量界面热电阻为（2.98±0.22）×10 3，（3.01±0.23）×10 3，以及（1.67±0.27）×10 3 K M W - 1，对应于范围内的热电导率（3.3-3-6.0-×10）。我们的分析表明，SWCNT束和SI基板之间的接触松散，这主要归因于样品的明显不均匀性，这是通过原子力显微镜和拉曼光谱法解决的。对于假定的接触宽度约为1 nm，界面热电阻的阶将为10-6 W m-2 k-1，与报告的机械去角质石墨烯和二维（2D）材料一致。
Microscale的添加剂制造-2023
Exaddon的Ceres µAM系统通过局部电沉积打印高电导金属对象。该系统将直接在预预生使的芯片和Micropcb上打印独立的结构，例如支柱，针和线圈。打印在室温下发生，不需要后处理，并且与IC和PCB制造步骤兼容。分辨率为<1 µm，结构可以以微米精度位于印刷表面上。可能的纵横比为100：1。应用包括半导体探针测试，神经接口/BCIS和MMWAVE/5G/THZ组件。
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。
表征超薄原子层中沉积的氧化物半导体MOS电容器中的界面和块状陷阱，< /div> < /div>
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体（CMOS）后端（BEOL）兼容设备的兴趣，用于整体3维（3D）集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体，至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积（ALD）氧化二颗粒（在2 O 3中）的性能卓越，例如高驱动电流，高迁移率，陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中，使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT，表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级，可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态（DOS）的高尺寸（DOS），这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
Cocemasov，Al。，Isacova，C.，Nika，D。半导体纳米结构，石墨烯和相关二维材料中的热运输。在：中文
我们回顾了半导体纳米结构中热传输的实验和理论结果（多层薄膜，核/壳和分段纳米线），单层和几层石墨烯，己酮硝化氢，二甲硝基硼，钼二硫化物和黑磷。讨论了用于优化电力和热电导的声子工程的不同可能性。揭示了声子能光谱修饰在半导体纳米结构中热导率中的作用。分析了石墨烯和相关的二维（2D）材料对温度，薄片尺寸，缺陷浓度，边缘粗糙度和应变的依赖性。
TiO2 -MOS2-有效水修复的PMMA纳米复合材料
1国家研究委员会，微电子和微系统研究所，CNR-IMM，通过S. Sofia 64，95123意大利卡塔尼亚； vanessaspano23@gmail.com（V.S. ）; massimo.zimbone@ct.infn.it（M.Z。 ）; federico.giuffrida@dfa.unict.it（f.g。）; giuliana.impellizzeri@ct.infn.it（g.i。） 2卡塔尼亚大学物理与天文学系，通过圣索非亚64，95123意大利卡塔尼亚3国家研究委员会，微电导和微系统研究所，CNR-IMM，工业区，Strada VIII n。 5，95121意大利卡塔尼亚； gianfranco.sfuncia@cnr.it（G.S. ）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。 ）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it1国家研究委员会，微电子和微系统研究所，CNR-IMM，通过S. Sofia 64，95123意大利卡塔尼亚； vanessaspano23@gmail.com（V.S.）; massimo.zimbone@ct.infn.it（M.Z。）; federico.giuffrida@dfa.unict.it（f.g。）; giuliana.impellizzeri@ct.infn.it（g.i。）2卡塔尼亚大学物理与天文学系，通过圣索非亚64，95123意大利卡塔尼亚3国家研究委员会，微电导和微系统研究所，CNR-IMM，工业区，Strada VIII n。 5，95121意大利卡塔尼亚； gianfranco.sfuncia@cnr.it（G.S. ）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。 ）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it）; giuseppe.nicotra@cnr.it（g.n。）; Alessandra.alberti@cnr.it（a.a.）; SILVIA.SCALESE@CNR.IT（S.S.）4国家研究委员会，CNR-IPCB复合和生物材料聚合物研究所，通过Paolo Gaifami 18，95126意大利卡塔尼亚； libera.vitiello@cnr.it（l.v. ）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.） *信函：maria.cantarella@ct.infn.it）; sabrinacarola.carroccio@cnr.it（s.c.c.）*信函：maria.cantarella@ct.infn.it
HSP90 C末端结构域抑制通过减少肝细胞癌中的K274单素化来促进VDAC1低聚
依赖电压的阴离子选择通道蛋白1（VDAC1）是线粒体外膜中最丰富的蛋白质，在控制肝细胞癌（HCC）进展中起着至关重要的作用。我们先前的研究发现，胞质分子伴侣热休克蛋白90（HSP90）与VDAC1相互作用，但是HSP90的C末端和N末端结构域对VDAC1寡聚物形成的影响尚不清楚。在这项研究中，我们专注于Hsp90的C末端结构域对VDAC1低聚，泛质国家和VDAC1通道活动的影响。我们发现HSP90 C末端结构域抑制剂Novobiocin促进了VDAC1低聚，细胞色素C的释放和激活的线粒体凋亡途径。原子粗粒子建模模拟揭示了HSP90α稳定的VDAC1单体的C末端结构域。将纯化的VDAC1重构为平面脂质双层，斑块夹的电生理实验表明，HSP90 C末端抑制剂Novobiocin通过促进VDAC1寡聚化增加了VDAC1通道电导。线粒体泛素化蛋白质组学的结果表明，Nokobiocin治疗后VDAC1 K274单泛素化显着降低。VDAC1（K274R）的位置定向突变弱的HSP90α-VDAC1相互作用和VDAC1寡聚的增加。综上所述，我们的苏尔特表明，HSP90 C末端结构域的抑制通过减少VDAC1 K274单素化来促进VDAC1寡聚和VDAC1通道电导，从而为HCC的线粒体靶向HCC靶向HCC提供了新的观点。
线粒体通透性过渡决定了造血前体的细胞身份转换时线粒体成熟
线粒体通透性过渡孔（MPTP）是一个超分子通道，可调节跨cristae膜的溶质交换，在线粒体功能和细胞死亡中具有执行作用。MPTP对正常生理学的贡献仍然存在争议，尽管证据表明在区分祖细胞中的线粒体内膜重塑中MPTP。在这里，我们证明对MPTP电导的严格控制形成了代谢机制，因为细胞向造血身份转移。经历了内皮到山摩托型过渡（EHT）的细胞紧密控制MPTP的主要调节元件。在EHT期间，在造血性承诺之前，成熟的动脉内皮限制了MPTP活性。在细胞身份过渡后，MPTP电导恢复。在用NIM811治疗的子宫治疗中，NIM811是一种分子，该分子阻止了MPTP对通过环蛋白D（CYPD）开放的敏化，在造血前胞菌中扩增氧化磷酸化（OXPHOS），并增加了Embryo中造血性的造血性。此外，分化多能干细胞（PSC）在CYPD基因敲低PPIF后，更大的线粒体Cristae和造血活性的组织更大。相反，OPA1的敲低是适当的Cristae结构至关重要的GTPase，会诱发Cristae不规则性并损害造血。这些数据阐明了一种调节造血前体中线粒体成熟的机制，并强调了MPTP在获得造血命运中的作用。
从超快电子衍射和科学机器学习的声子传输的全景映射
有效运输，转换和储存热能在促进脱碳和减轻全球变暖方面起着不可分割的作用。[1]已针对纳米级[2]的热运输进行了重大努力，该应用是由热电学收获，[3]微电子中的热量管理等应用所驱动的，[4]高效率热储存系统，[5] [5]和结构材料的被动冷却。[6]但是，我们对声子热传输的理解在很大程度上受到了无法获得频率分辨的声子传输的实验工具的阻碍。可测量的电导率κ和界面热电导G是最重要的两个可测量的两个，但提供了有限的微型信息。另一方面，频率分辨的松弛时间τ（ω）和