XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电导
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
概念注意Veer Gatha 4.0项目...
Veer Gatha项目是在2021年在Gallantry Awards Portal（GAP）下成立的，目的是传播勇敢的获奖者勇敢行为的细节以及这些勇敢的心中的学生在学生中的生活故事，以提高爱国主义的精神，并培养他们的公民意识的价值观。Veer Gatha项目通过为学校学生（印度所有学校的学生）提供一个基于Gallantry奖的获奖者的创意项目/活动，从而加深了这个高贵的目标。作为其中的一部分，学生们通过各种媒体构建了不同的项目，例如艺术，诗歌，论文和多媒体，这些勇敢的获奖者和最佳项目是由国防部和教育部在国家一级授予的。该项目每年都与共和国日庆祝活动有关。veer Gatha在2021 - 22年进行的Veer Gatha 1.0参与了80万卢比，在2022-23的Veer Gatha 2.0电导下，在2022 - 23年进行了1.37千万电导。Hon'ble Raksha Mantri和Hon'ble教育部长赞扬Veer Gatha是“印度学生之间革命的预示”。
aln：3D集成电路的工程热材料
氮化铝（ALN）是由于其高热电导率高的3D集成电路（IC）的热管理材料。然而，在低温下生长的Aln薄膜中实现了高温的高温电导率，这对后端（Beol）兼容性构成了显着的挑战。这项研究报告了高温度SIO 2底物在低温（<200°C）下在低温（<200°C）下降低的近300 nm厚的Alnfms溅射，接近90 wm-1 K-1的高平面热电导率。探索了跨平面与平面导热率，质地，晶粒尺寸，氧含量，Al：N原子比和这些纤维的热边界电导之间的相关性。这些发现揭示了晶粒方向对齐在达到高导热率和高热边界电导方面的关键作用。使用X射线差异引入了一种方法来有效地监测Aln薄膜的导热率。这项研究提供了有价值的见解，可以帮助在半导体生产线上实施有效的热管理材料。
AC响应中的近距 - 莫霍拉纳相互作用的签名
我们分析了混合纳米结构的动力传输特性，其中包括嵌入源和排水电极之间的相关量子点，这些点嵌入了AC电压，这些点均具有AC电压，重点介绍了由副标士零零能模式印在电荷传输上的签名。考虑因素是基于Kubo公式，该公式通过使用数值重量化组方法来确定相关的相关函数，这使我们能够考虑由于库仑排斥而引起的相关效应及其与Major的相互作用，并以非扰动方式与Majorana模式相互作用。我们指出了动力电导的通用特征，出现在近杂志 - 马约拉那策略中，并将它们与常规的近托和主要系统系统区分开来。，我们预测主要的准粒子在近距尺度下低于峰值以下的峰值频率范围内会产生AC电导的通用分数值。我们还显示了这种近托量表，以实际增加与拓扑超导电线的耦合。
B.Sc.（荣誉）（NEP-ugcf-2022）的日期表
iii 32175913 S，P块元素，物质和化学动力学状态III 32175915溶液，相位平衡，电导，电化学和功能组有机化学 - III III III 32175916 d block元素和量子化学元素32171717171717171717171717171717171717171717171717171717171717171717171717171717171717.生物无机化学，多核碳氢化合物和紫外线，红外光谱计算机科学III 32345302计算机网络
补充材料：关于腔体效应的拓扑保护范围
使用上述公式用于电流响应功能，可以获得偏振子系统的温度依赖性运输。相应的结果在手稿的主要文本中显示。用于完整性和支持计算，在图中1，我们为参考文献中的实验报道的参数提供了极化系统的有限温度转运。[9]，ω=2π×0。14thz和n 2d = 2×10 11 cm - 2，并扩大δ=2π×5×10 - 3 thz，我们在图中使用了2中的主要文本。图1（a）我们显示了两个不同高原ν= 8，4（b = 1，2 t）的霍尔电导偏离拓扑预期的量化值。图1（b）我们显示了纵向电导σyy的热行为。我们观察到预期的指数热激活。在低温方向上，t <0。4K，我们看到量子大厅传输的修改与图2中的主要文本。更精确，腔诱导的运输偏差在t <0。4 K，对于B = 1 T（ν= 8）为〜2×10-4，对于B = 2 T（ν= 4）为〜5×10-5。这些值与ω=2π×0的t = 0传输一致。14thz如图2中的主要文本。
旋转对杂交马拉纳线量子点系统中传输和零偏置异常的影响
我们检查了自旋影响对纳米何纳米式托管零能量模式的非平衡传输特性的影响，并与铁磁铅与量子点连接耦合。使用实时示意技术，我们确定了非线性响应制度中的电流，差分电导和电流互相关。我们还探索了系统的不同磁性构型中的传输，可以通过隧道磁场量化。我们表明，Majorana准粒子的存在在所有自旋分辨传输特性中都产生了独特的特征，尤其是零偏置异常，负差分电导，负隧道磁磁性，并且在当前的交叉相交中也会反映出来。此外，我们研究了零偏置异常对各种系统参数的依赖性，并证明了其对系统的磁构型的依赖性以及铅中的自旋极化程度。也发现了隧道磁场抗性的高度非平凡行为，该磁力磁力表现出增强或负值的区域，这是由耦合到Majoragaina丝导致的新特征。
设计心脏组织工程的电导性生物材料的最新进展
可植入的心脏斑块和可注射的水凝胶是心肌梗塞（MI）后心脏组织再生的最有希望的疗法之一。将电导率纳入这些斑块和水凝胶已被发现是改善心脏组织功能的有效方法。导电纳米材料，例如碳纳米管（CNT），氧化石墨烯（GO），金纳米棒（GNR）以及导电聚合物，例如聚苯胺（PANI），聚吡咯（PPY），聚（PPY），聚（3,4-乙二基二苯基二苯乙烯）pssyrene pssyrene sulfot（p.s），因为它们具有硫磺素（pd），因为它们是PD：半导体的电导性能易于处理，并且有可能恢复通过梗塞区域的电信号传播。许多研究已将这些材料用于具有电活动（例如心脏组织）的生物组织的再生。在这篇综述中，我们总结了有关使用电导材料进行心脏组织工程及其制造方法的最新研究。此外，我们重点介绍了开发电导性材料的最新进步，用于递送治疗剂，作为治疗心脏病和再生受损心脏组织的新兴方法之一。
基于分子动力学的氮化镓/石墨烯/ 金刚石界面热导研究*
设备，采用非平衡分子动力学方法来研究工作温度，界面大小，缺陷密度和缺陷类型对氮化碳/石墨烯/钻石异种结构的界面导热率的影响。此外，计算各种条件下的声子状态密度和声子参与率，以分析界面热传导机制。结果表明，界面热电导随温度升高而增加，突出了异质性固有的自我调节热量耗散能力。随着温度从100升的增加，单层石墨烯结构的界面热电导增加了2.1倍。这归因于随着温度升高的重叠因子的增加，从而增强了界面之间的声子耦合，从而导致界面导热率增加。此外，在研究中发现，增加氮化岩和石墨烯的层数会导致界面热电导量减少。当氮化壳层的数量从10增加到26时，界面的导热率降低了75％。随着层数增加而减小的重叠因子归因于接口之间的声子振动的匹配减少，从而导致较低的热传递效率。同样，当石墨烯层的数量从1增加到5时，界面热电导率降低了74％。石墨烯层的增加导致低频声子减少，从而降低了界面的导热率。此外，多层石墨烯可增强声子定位，加剧了界面导热的降低。发现引入四种类型的空缺缺陷会影响界面的导电电导。钻石碳原子缺陷导致其界面导热率增加，而镀凝剂，氮和石墨烯碳原子的缺陷导致其界面导热降低。随着缺陷浓度从0增加到10％，由于缺陷散射，钻石碳原子缺陷增加了界面热电导率，增加了40％，这增加了低频声子模式的数量，并扩大了界面热传递的通道，从而提高了界面热电导率。石墨烯中的缺陷加强了石墨烯声子定位的程度，因此导致界面导热率降低。胆汁和氮缺陷都加强了氮化炮的声子定位，阻碍了声子传输通道。此外，与氮缺陷相比，甘露缺陷会引起更严重的声子定位，因此导致界面的界面热电导率较低。这项研究提供了制造高度可靠的氮化炮设备以及广泛使用氮化壳异质结构的参考。