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World File Search System电导
单分子连接中的工程运输轨道
摘要：通过分子控制电荷运输是具有挑战性的，因为它需要工程进行运输过程中涉及的分子轨道的能量。虽然侧基是维持许多分子材料中溶解度的核心，但它们在通过单分子连接调节电荷传输中的作用却较少。在这里，使用两种断裂结构技术和计算建模，我们系统地研究了电子粉丝和 - 抽水侧基团对通过单分子电荷传输的影响。通过表征电导和热电器，我们证明了侧基可用于操纵传输轨道的能级。此外，我们开发了一种新型的统计方法，以通过分子连接来模拟量子转运。所提出的方法不会将电极的化学电位视为游离参数，并导致对我们实验证实的更强大的电导预测。新方法是通用的，可用于预测分子的电导。
生命体征技术：基于状态的人体监测
心率超出正常范围可能表示存在心动过缓（心率过低）或心动过速（心率过高）等疾病。呼吸是另一个关键生命体征。血液的氧合水平可以用光电容积描记法 (SpO 2 ) 测量。氧合不足可能与影响呼吸系统的疾病或紊乱有关。其他可以指示一个人身体状况的生命体征测量包括血压、体温和皮肤电导反应。皮肤电导反应，也称为皮肤电反应，与交感神经系统密切相关，而交感神经系统又直接参与情绪行为的调节。测量皮肤电导可以指示患者的压力、疲劳、精神状态和情绪反应。此外，测量身体成分、瘦体重和脂肪重量百分比以及水合和营养程度可以清楚地指示一个人的临床状况。最后，测量运动和姿势可以提供有关受试者活动的有用信息。
引用Beatakker，C。W. J.（1991）。量子点电导中库仑阻滞振荡的理论。取自https://hdl.handle.ne
研究设计，大小，持续时间：在小鼠模型中首先优化了CRISPR-CAS9对诱导靶向基因突变的效率。在B6D2F1菌株中比较了两种CRISPR-CAS9递送方法：S期注射（Zygote阶段）（N¼135）ver- SUS Sus-Sus II期（M相）注射（卵母细胞阶段）（卵母细胞阶段）（N¼23）。包括四个对照组：未注射的培养基控制Zygotes（N¼43）/卵母细胞（N¼48）；伪造的Zygotes（n¼45）/卵母细胞（n¼47）; Cas9-蛋白注射的Zygotes（n¼23）;和CAS9蛋白和加扰引导RNA（GRNA）注射的Zygotes（n¼27）。在POU5F1靶向的Zygotes（N¼37），培养基控制Zygotes（N¼19）和假注射的Zygotes（n¼15）中进行了免疫荧光分析（N¼19）（n¼15）。评估POU5F1 -NULL胚胎进一步发展体外的能力，将其他组的POU5F1靶标合子（N¼29）和培养基对照合子（N¼30）培养为种植体后植入阶段（8.5 dpf）。旨在确定归因于菌株变化的POU5F1 null胚胎的发育能力差异，第二个小鼠菌株的Zygotes -B6CBA（n¼52）的目标是针对的。总体而言，在IVM（中期II期）（n¼101）之后，在人卵母细胞中应用了优化的方法。对照组由注射的精子（ICSI）IVM卵母细胞（N¼33）组成。在注入人类CRISPR（n¼10）和培养基对照（n¼9）人类胚胎中进行免疫荧光分析。
PWL – 操作人员通用指导
1. 用途 ................................................................................................ 3 2. PWL 系列 .............................................................................................. 3 3. 公司信息 .............................................................................................. 4 4. 认证 .............................................................................................................. 4 5. 安全和处理 ................................................................................................ 5 6. 安装和拆卸设备 ...................................................................................... 6 7. 运输 ...................................................................................................... 6 8. 交货检验 ................................................................................................ 6 9. 储存 ...................................................................................................... 7 表 9.0-A. 基于温度的储存期 ............................................................. 7 表 9.0-B. 典型的开箱电导值 ............................................................. 7 10. 充电 ...................................................................................................... 8 表 10.0-A. 11. 安装注意事项 ................................................................................ 9 表 11.0-A. 典型电导参考值 .............................................................. 9 表 11.0-B. 扭矩规格 .............................................................................. 11 表 11.0-C. 浮动和温度补偿 .............................................................. 11 12. 维护和更换 ...................................................................................... 12 12.1 日常维护 ...................................................................................... 12 12.2 使用寿命结束 ................................................................................ 12
原子和分子连接中的量子闪烁噪声
闪烁噪声通常被视为本质上最普遍的噪音（参见，例如，参考文献。[1 - 4]）。它也可以实现实验性访问并进行了广泛的研究。然而，实际上，射击噪声是用于量子传输和相关多体效应的基本表征的主要噪声。这是由于其相对小信号所涉及的射击噪声所涉及的挑战。具体而言，量子相干调节器中电子电导和射击测量的组合已被广泛用于提取有关量子传输的信息。例如，这种测量在分析分数量子霍尔效应[5,6]，近距效应[7,8]，自旋极化的量子传输[9-14]，电子 - phonon相互作用[15-18]中起着核心作用，并在揭示了局部原子结构对原子质和分子的影响方面[19-14]电子射击噪声是信息的有用来源，因为它取决于传输通道的分布，这决定了Landauer形式主义框架中的量子传输[25]。对于ev≫k b t，[12,25] ssn¼2eif给出了射击噪声在传输通道上的功率谱密度的依赖性，其中f¼½piτiτið1 -τið1 -τi= p iτi是fano因子是fano因子，并且τi是i th ins of the th ins of the th频道的传输可能性（ Boltzmann的因子；考虑电导G对传输通道的明显依赖性[25]，g¼g0 piτi，其中g0¼2e 2 = h是电导量子（H，Planck的常数），射击噪声和电导可以提供有关量子轴承中传输通道分布的信息，并允许多个量子相互作用的探索量量的量化量。
基于多层 RRAM 的深度学习推理引擎的读取扰动和双极读取方案研究
摘要——基于多层电阻式随机存取存储器 (RRAM) 的突触阵列可以实现矢量矩阵乘法的并行计算，从而加速机器学习推理；然而，由于模拟电流沿列相加，因此单元的任何电导漂移都可能导致推理精度下降。在本文中，在基于 2 位 HfO 2 RRAM 阵列的测试车辆上统计测量了读取干扰引起的电导漂移特性。通过垂直和横向细丝生长机制对四种状态的漂移行为进行了经验建模。此外，提出并测试了一种双极读取方案，以增强对读取干扰的恢复能力。建模的读取干扰和提出的补偿方案被纳入类似 VGG 的卷积神经网络中，用于 CIFAR-10 数据集推理。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
2025 CCO质量激励计划：测量摘要
建造热信封。建筑物的元素包围了条件空间，通过该空间可以通过该空间传播，从外部或从无条件的空间传播。c（导热电导）。请参阅“导热电导”。条件空间。建筑物内的一个空间，与建筑物的热膜与无条件的空间分离，通过引入条件空气，加热和/或冷却的表面，或通过直接条件空间的空气或热传递在55ºF（13ºC）的温度下保持空气或传热，或用于加热和/或855°F（29.4ºC）或下面的高温（13ºC）或更高。（条件空间之间的封闭走廊应视为条件空间。空间，由于环境条件，温度介于此范围之间的空间不应被视为条件空间。）
医学科学（MEDS）
MEDS 5378. 计算神经科学。（3 个学分）学生通过使用计算机模拟来研究单个神经元和神经系统的功能。将讲座和课堂讨论与进行计算机模拟相结合。模拟将包括练习和学期项目。每位学生将在学期后半段完成一个神经模拟学期项目。学期项目的主题应在学期中期得到教师批准。成绩将根据练习和学期项目确定。课程包括：模拟神经元细胞膜的电路分析和相关的微分方程；鱿鱼轴突中电压和时间依赖性钠和钾电导的 Hodgkin-Huxley 模型；电压钳和电流钳；两个速率常数与每个电导的稳态值和时间常数之间的关系；与电压依赖性和钙依赖性离子通道相关的神经元反应特性；单室和多室模型，离子电导模拟文献中描述的特定神经元反应特性；兴奋性和抑制性突触后电流和潜在的配体门控离子通道；树突电紧张和突触整合；突触输入到树突树和细胞体的时间和空间相互作用；轴突中的动作电位传播；神经回路。查看课程（https://catalog.uconn.edu/course-search/?details&code=MEDS%205378）
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。