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学习目标：课程内容
ISBN：9788120351424。 实际作业清单：1。 在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。 4。 设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。 （a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN：9788120351424。实际作业清单：1。在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。4。设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。（a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
钴中的分子特征和无活化传输...
在分子结（MJ）中，已经研究了几种类型的分子，包括纯有机化合物[1-5]、蛋白质[5]以及最近基于硅[6,7]或锗的复合团簇[7]，以及有机金属化合物和无机复合物。[8-16]通常，在隧穿区域中，电荷传输速率很大程度上取决于有机分子的长度，饱和分子的衰减因子 β 值为 5 至 10 nm − 1，而π 共轭分子的 β 值在 2 至 3 nm − 1 之间。[1,2,5,17]但也发现了一些例外；例如，在多卟啉分子线[18]、卟啉纳米棒[19]和延伸的紫罗碱分子[20]中观察到几乎与长度无关的电导，而在碘化物端寡噻吩单分子隧道结中，尚未发现电导随长度呈指数依赖性的报道[21]。
计算神经科学国际硕士项目
学习成果 完成本模块后，学生将了解： - 计算神经科学的基本概念、理论基础和最常用的模型 - 相关的基本神经生物学知识和相关的理论方法以及这些方法迄今为止得出的结论 - 不同模型的优势和局限性 - 如何适当地选择用于建模神经系统的理论方法 - 如何在考虑神经生物学发现的同时应用这些方法 - 如何批判性地评估获得的结果。 - 如何使模型适应新问题以及开发新的神经系统模型。 内容 本模块提供有关神经系统组成部分及其建模的基本知识，包括有关神经元和神经回路内信息处理的基本神经生物学概念和模型。具体主题包括： - 神经元的电特性（能斯特方程、戈德曼方程、戈德曼-霍奇金-卡兹电流方程、膜方程） - 霍奇金-赫胥黎模型（电压依赖性电导、门控变量、瞬态和持续电导、动作电位产生） - 通道模型（状态图、随机动力学） - 突触模型（化学和电突触） - 单室神经元模型（整合-激发、基于电导） - 树突和轴突模型（电缆理论、拉尔模型、多室模型、动作电位传播） - 突触可塑性和学习模型（释放概率、短期抑制和促进、长期可塑性、赫布规则、基于时间的可塑性规则、监督/无监督和强化学习） - 网络模型（前馈和循环、兴奋-抑制、发放率和随机、联想记忆） -神经元和网络模型的相空间分析（线性稳定性分析、相图、分岔理论模块组件
多带 CsV3Sb5- 中的可调谐涡旋束缚态......
涡旋和束缚态是理解超导体电子特性的有效方法。最近，在新发现的 kagome 超导体 CsV3Sb5 中观察到了表面相关的涡旋核心态。虽然尖锐的零能量电导峰的空间分布看起来与来自超导狄拉克表面态的马约拉纳束缚态相似，但其起源仍然难以捉摸。在本研究中，我们利用低温扫描隧道显微镜/光谱法对两种化学掺杂的 kagome 超导体 Cs(V1xTrx)3Sb5 (Tr=Ta 或 Ti) 中的可调涡旋束缚态 (VBS) 进行了观测。与原始的 CsV3Sb5 相反，CsV3Sb5 衍生的 kagome 超导体表现出全间隙配对超导性，同时没有长程电荷序。零能量电导图表明涡旋晶格发生了场驱动的连续重新取向转变，表明存在多带超导性。Ta掺杂的CsV3Sb5表现出Caroli-de Gennes-Matricon束缚态的常规十字形空间演化，而Ti掺杂的CsV3Sb5表现出尖锐的、非分裂的零偏压电导峰（ZBCP），该峰在涡旋的长距离上持续存在。非分裂ZBCP的空间演化对表面效应和外部磁场具有鲁棒性，但与掺杂浓度有关。我们的研究揭示了多带化学掺杂CsV3Sb5系统中可调谐的VBS，并为先前报道的kagome超导体表面非量子极限条件下的Y形ZBCP提供了新的见解。2024年中国科学出版社。由爱思唯尔和中国科学出版社出版。版权所有。
具有多尺度扩散动力学的高级离子尖峰模式
抽象的流体离子基质是成为实现神经形态回路的独特平台，其特征是它依赖于与大脑相同的水性培养基和离子信号载体。借助了离子尖峰电路的最新理论进步以及形成流体回忆录的锥体离子通道的动态电导，我们扩大了离子型电路中提出的神经元尖峰动力学的曲目。通过模型的电路包含带有双极表面电荷的通道，我们提取阶段爆发，混合模式尖峰，补品爆发和阈值可变性，所有这些都带有哺乳动物神经元典型范围内的尖峰电压和频率。由于典型的电导记忆保留时间在通道长度上的强烈依赖性，因此这些特征是可能的，使得时间表从单个尖峰到单个电路中多个尖峰的爆发不等。这些高级形式的神经元状尖峰支持探索水离子化作为神经形态回路的有趣平台。
通过固态纳米孔特征的DNA折纸
图1。DNA纳米结构组件和纳米孔的表征。a）DNA螺旋束杂交的示意图：7249 NT M13MP13的热退火，带有190个短“主食”链。b）预期尺寸和3螺旋束组件的结构。c）1％琼脂糖凝胶电泳，显示了一个泳道中各种DNA长度的梯子，另一个车道完全组装了3HB结构。d）用于3HB结构的纳米孔感测的设置。黄色的色调描绘了电场强度。e）在13.2nm孔（顶部）中，在200 mV以下的12m licl中存在3HB引起的瞬时离子阻塞的串联电流痕迹（顶部）。单个封锁事件适合提取变量，例如最大电导阻塞和易位时间（底部）。f）在与（e）相同的实验条件下，最大电导阻塞与易位时间的散点图，n = 846。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
时间逆转对称性损坏的非中心超导体
在非中心对称超导体中，这对势具有均匀的单元和奇数三重态成分。如果打破了时间传感对称性，则这些组件的超导阶段是不相同的，例如在Anapole超导体中。在本文中表明，通过两个组分之间的相位差异打破时间反转对称性，显着改变了状态的密度和S +螺旋P波超导体中的电导。S +手性p波超频导导管中的状态密度和电导量通过添加相位差的影响较小，因为S + P波超导体中的时间反转对称性已经损坏。田中纳扎罗夫边界条件延伸到3D超导体，使我们能够研究更多的超导体，例如Balian-Werthamer超导体，其中D矢量的方向与动量方向平行。结果对于确定潜在的时间交流对称性损坏的非中心对称超导体中的配对电位很重要。
效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得