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World File Search System电气特性
估计各种Rebco磁带的物理和电气特性，用于建造非常高的Rebco磁铁
摘要 - 评估了四个Rebco CC的物理和电气特性：1）theva； 2）上海超越。技术； 3）日本法拉第工厂； 4）藤库拉。为了估算其物理特性，通过删除粘贴在胶带上的聚酰亚胺色带并在预锡后切割胶带来检查每个胶带的分层强度。还通过我们的金属悬挂过程研究了其厚度的均匀性和厚度的均匀性。用于评估其电气性能，在垂直于AB平面的各种外部磁场下在4.2 K下测量其临界电流。在自田77 K的液体氮浴中制造每条胶带的关节样品。在本文中为四个磁带描述了结果。
“用于内存计算和加密应用的 RRAM 设备电气特性”博士职位（男/女/其他）
作为“材料研究”部门“自适应材料”研究团队的博士生，您将为 RRAM 设备领域做出贡献。您的任务将包括单个 RRAM 设备以及更复杂的基于 RRAM 的矢量矩阵乘法电路的特性描述。这种特性描述将侧重于寻找最佳技术和最佳编程方法，以通过使用内存计算范例优化 RRAM 设备在加密应用中的使用。在您的工作中，您必须大量使用电气特性实验室的设备和不同的软件工具来实现数据的自动化和分析。一个由 10 名科学家组成的国际团队期待着您的加入，其中包括经验丰富的科学家和几名博士生。扁平层级和相互支持对我们很重要。我们认为观点的多样性是我们团队的一大优势。
纳瓦布沙阿户外条件下半切双面PERC单晶光伏组件的电气特性
摘要：光伏组件通常在标准测试条件下的实验室中进行额定值和测试。由于环境条件和运行参数的随机性，例如目标位置的地形、坡度、方向、海拔、反照率和现有技术，此类条件无法在室外维持。由于双面组件能够从正反两面发电，其背面对发电量的影响仍不确定。本研究旨在通过实验分析和预测纳瓦布沙阿室外条件下半切双面PERC单晶光伏(PV)组件的电气特性。为此，我们在一栋部门大楼上方安装了一套实验系统，用于数据记录和分析。使用测光表(HD-2302)测量研究地点的太阳总辐射(Grad)，并使用数字风速计PROVA AVM-05测量环境温度(Ta)、风速(Ws)和相对湿度(Rh)。使用PROVA-1101记录组件正反两面的电气特性。这些数据是在2023年2月至6月的五个月内，从上午9:00到下午4:00，每小时一次持续收集的。此外，我们还使用了不同的现有模型，根据记录数据预测双面光伏组件的电气特性。在分析期间，我们观察到组件正面产生了约91%的输出功率，而背面则占9%。我们发现，Evan-Florschuetz模型方程更适合预测双面组件的效率，因为它基于测量数据的误差更小。关键词：环境温度、半切双面光伏组件、湿度、统计分析、太阳辐射、风速。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率
温度对 Al/SiO2/n++-Si RRAM 器件电气特性影响的研究 Maciej:，Micromachines，MDPI，第 13 卷，第 10 期，2
现代纳米电子学的发展依赖于技术进步和能够改善系统性能的新型器件概念。科学家和工程师的不懈努力使得现代集成电路 (IC) 和性能增强器的尺寸不断缩小，从而能够保持 IC 性能的进步 [1,2]。与此同时，人们也投入了类似的努力来开发现代电路中不可或缺的存储器件。然而，为了保持这种进步，需要新型器件。近年来，出现了新的存储器件概念，例如电阻式 RAM (RRAM) [3–6]、自旋转移力矩 RAM (STT-RAM) [7,8]、铁电 RAM (FeRAM) [9] 和相变 RAM (PCRAM) [10]。电阻式 RAM (RRAM) 因其结构简单、能够缩小器件尺寸以实现高密度、低功耗和高速运行而备受关注。它们有可能以并行方式对大量数据进行计算，为了实现如此卓越的性能，人们测试了不同的新型计算范例，例如脑启发计算、内存计算、随机计算和神经形态计算 [11–13]。人们已经测试了各种氧化物材料作为 RRAM 器件中电阻切换层的候选材料 [14–16]。一些工作提出了对 SiO 2 作为这些器件的有前途的材料的研究 [17–20]。在我们最近的研究中，我们表明，Al/SiO 2 /n++-Si 材料堆栈中众所周知的氧化硅也可以表现出电阻切换特性 [21,22]。然而，很少有研究涉及温度对器件性能的影响 [23–25]。在这项工作中，我们研究了温度变化对器件电性能的影响，以研究它们的电传输机制并了解它们的行为。我们分析了电铸电压，并表明它
使用扫描探针显微镜进行电气特性分析
除了成像模式外，CAFM 还使用光谱模式测量局部电流-电压 (IV) 或电流-力 (IZ) 光谱。为了获得 IV 光谱，停止成像扫描并将尖端保持在固定位置，同时样品偏压上升或下降。绘制通过样品的电流与施加的偏压的关系图（图 3a）。用户可选择的参数包括斜坡的起始和结束电压、斜坡方向、斜坡速率以及各个斜坡之间的延迟时间。该软件可以记录单个光谱或多个光谱的平均值。对于某些测量，最好限制通过样品的电流。在这种情况下，软件为用户提供了一个“触发”选项，一旦达到用户选择的电流值，就会停止电压斜坡。为了获得 IZ 光谱，样品偏压保持不变，而扫描仪沿 Z 方向移动，类似于力-位移曲线的测量。绘制通过样品的电流与扫描仪的 Z 位置的关系图。同样，多个参数允许用户执行和控制特定的 IZ 斜坡实验。