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World File Search System电气特性
创新的多层OT选择器用于性能调整和提高可靠性
摘要 - 我们介绍了基于N掺杂SBSE和GE层的堆叠的卵子阈值开关（OTS）多层（ML）选择器设备的工程。通过调整单个层厚度和ML堆栈的N含量，我们证明了在集成后端（BEOL）（BEOL）期间可高度提高选择器稳定性的可能性，并降低设备对设备的变化。我们展示了OTS ML如何呈现基本的电气特性，这些特性与通过共同输入技术实现的标准散装OT兼容，但可以实现可靠的切换操作，最高可变可变异性的160°C。我们通过FTIR和拉曼光谱研究了层结构，即使在400°C下3小时后，在OTS/EDX分析中，在循环和退火的设备上进行了ots ml wrt buld ots的高稳定性，我们突出了OTS ML WRT量的无链结构的保留完整性。最后，由于对层结构和性能的更高控制，OTS ML解决方案允许可靠的耐力超过10个9周期，并提高了缩放设备的产量。
超低成本、简便制造用于皮层脑电图的透明神经电极阵列，采用无光电伪影光遗传学
透明植入式设备将神经记录和光学模式相结合，在神经科学和生物医学工程领域引起了广泛关注。用于电生理学的不透明金属电极阵列会阻碍光学成像并导致光电伪影，使其难以与光遗传学相结合。本文介绍了一种无光电伪影、高导电性和透明的聚（3,4-乙烯二氧噻吩）聚苯乙烯磺酸盐 (PEDOT:PSS) 电极阵列，作为有前途的神经植入物。与应用于植入工具的其他透明材料相比，本研究开发的技术通过低成本、超简便的方法提供了透明的神经接口。由于采用了简单的乙二醇浸渍工艺，该设备表现出优于其他研究的光学、机械和电气特性。通过将其光刺激效率和光电伪影程度与传统的薄金电极在体外和体内进行比较，突出了该设备的性能。该平台可以比任何其他候选材料更有效地组装透明神经接口，因此具有许多潜在的应用。
DQL AC 015 - 测量标准要求...
高强度聚焦超声 (HIFU) 领域测量标准的要求 Adam Shaw 和 Gail ter Haar * 生活质量部，NPL * 癌症研究所 摘要 本报告讨论了国际电工委员会框架内与高强度聚焦超声 (HIFU) 领域相关的测量标准要求。已审查了与表征这些类型的超声波场的方法相关的现有科学文献，并报告和分析了发送给国际治疗超声学会 (ISTU) 成员和其他选定人员的问卷答复。确定了一些被认为对 HIFU 的发展很重要的主题，现有知识似乎足以在大约两年内产生第一份委员会草案。它们是：设备安全和基本性能；超声功率的测量；场参数的规范；热剂量的定义；以及换能器的电气特性。很可能在一份文件中解决其中几个主题。确定了第二组主题，它们也很重要，但缺乏足够的知识或共识来如此迅速地开始标准化。对于这些主题，更有可能在 5 年内完成：一种可靠的压力测量方法；温度测量；HIFU 场与靶向系统的配准测试；以及用于 QA/工程评估的组织模拟材料。
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通过可再生能源进行运输和发电的电气化起着减少能源使用对环境的影响的至关重要作用。从召开燃料到可再生能源的过渡到运输和发电，需要以所需的电力密度和相对较高的C速率值的巨大能力存储电力。然而，根据电池电池的化学和结构，热特性和电气特性差异很大。在这一点上，锂离子（锂离子）电池在大多数应用中更适合其优势，例如寿命长，高可回收性和能力。然而，放热电化学反应会导致温度突然升高，从而影响细胞，衰老和电化学反应动力学的降解。因此，严格的温度控制会增加电池寿命，并消除不希望的情况，例如降解和热失控。在文献中，有许多不同的电池热管理策略可以有效控制电池电池温度。这些策略根据电池电池的几何形式，大小，容量和化学性而有所不同。在这里，我们专注于拟议的电池热管理策略和电动汽车（EV）行业的当前应用。在这篇综述中，各种电池热管理策略进行了文档，并详细比较了几何，热均匀性，冷却液类型和锂离子和lITHIUM后电池的传热方法。
加速器DY 073-1
在5°C时的保质期12个说明DOW一部分热疗法（添加固化）通常在100°C（212°F）或更高的情况下固化。用热量迅速加速其治愈率（请参阅表中的治疗时间表），最佳的治疗时间表将平衡处理性能和成本。对于较厚的部分，或者如果观察到在70°C（158°F）的30分钟预固定或使用低空隙技术的粘合剂的使用可能会减少空隙。添加固定硅硅酮是用所有必要的固化成分配制的，并且在治疗过程中没有产生副产品。深层疗法或受限疗法是可能的，因为治愈反应在整个材料中均匀进展。这些粘合剂通常的工作时间很长，因此用户可以享受最大的制造灵活性并减少浪费。道琼斯指数粘合剂将其原始的物理和电气特性保留在广泛的操作条件下，从而提高了电子设备的可靠性和使用寿命。这些粘合剂的稳定化学和多功能处理选项为各种电子需求提供了好处，从增加组件安全性和可靠性，降低总成本或提高设备或模块的性能信封。混合和去射线
氮氧化铪的制备技术及优化（...
本研究致力于脉冲直流反应磁控溅射氧氮化铪 (HfOxNy) 薄膜的技术和优化。采用田口正交表法优化 HfOxNy 薄膜的制备工艺，以获得具有最佳电气参数的材料。在优化过程中，通过对以氧氮化铪为栅极电介质的 MIS 结构的电气特性监测介电薄膜的参数。还检查了制备的 HfOxNy 层的热稳定性。结果显示，热处理后制备的薄膜的电气参数有所改善。即，我们观察到有益的平带电压 (Vfb) 值、CeV 特性的频率色散消失、有效电荷 (Qeffi/q) 降低以及所检查的 MIS 结构界面陷阱 (Dit) 密度降低。然而，与参考样品相比，介电常数值略低。证明了 HfO x N y 层在高达 800 °C 的温度下具有优异的稳定性。尽管观察到层体中结晶相的显著增加，但未发现电气性能或表面形貌的恶化。本研究的结果使所研究的采用脉冲直流反应磁控溅射制备的 HfO x N y 成为 MIS 结构和器件中栅极电介质的可能候选者。
准二维范德华过渡金属trichalcogenides
过渡金属三卡构基化（TMTC）是准二维（1D）MX 3-Type van der wa wa waals分层半导体，其中M是IV和V组的过渡金属元素，X表示chalcogen元素。由于独特的准1D晶体结构，它们具有多种新型的电气特性，例如可变的带镜，电荷密度波和超导性，以及高度各向异性的光学光学，热电和磁性。TMTC的研究在1D量子材料字段中起着至关重要的作用，从而在材料研究维度中实现了新的机会。目前，已经在材料和固态设备方面取得了巨大进展，证明了在实现纳米电子设备中的有希望的应用。本评论提供了一个全面的概述，以根据TMTCS调查材料，设备和应用程序的最新技术。首先，已经讨论了TMTC的符号结构，当前的主要合成方法和物理特性。其次，提出了各个领域中TMTC应用的示例，例如光电探测器，储能设备，催化剂和传感器。最后，我们概述了TMTC研究的机会和未来观点，以及基础研究和实际应用中的挑战。
对 p-GaN 功率 HEMT 进行预处理以实现可重复的 V 测量
在可靠性研究中，当使用阈值电压 (V th ) 作为指标时，阈值电压 (V th ) 的不稳定性会造成问题，因为它会完全模糊由于实际器件老化而导致的最终漂移。这种不稳定性是在电气特性测量期间观察到的，与晶体管的“偏置历史”有关，这会在结构的不同层中引入载流子捕获/去捕获。因此，需要新的方法来克服这种与捕获相关的不稳定性问题，以便准确监控器件老化。为了解决阈值电压测量的可重复性问题，我们研究了其在 GaN 晶体管上的不稳定性。研究了在实际 V th 测量之前应用的预处理步骤。所提出的预处理方法基于在栅极端子上应用专用的 V GS (t) 偏置，从而导致 V th 的稳定和可重复值。通过分析预处理的 V th 测量后的漏极泄漏测量，可以确定实现观察到的 V th 稳定性的机制。它展示了空穴注入结构的作用。提出预处理 V th 测量方法作为补充测量，以便在未来的可靠性研究中正确跟踪 pGaN HEMT 的老化。
光学，电气和机械性能
生物聚合物是有前途的材料，如果其低机械和生物活性特性都得到改善，则可以在骨骼替代应用中广泛使用。在这方面，这项研究的主要目的是改善机械和生物学特性，除了改善光学和电气特性以适合于裂缝愈合目的使用。因此，在这项研究中，将一批聚（乙烯基醇； PVA）和生物学提取的羟基磷灰石（BHA）机械地以（70:30 vol。％）为准。然后，将氧化镁（MGO）和碳化硅（SIC）添加到该批次中，其体积百分比不同，在120°C时加热。测量了物理，机械，光学和电气性能。此外，通过将它们浸入模拟的体液（SBF）中，然后通过扫描电子显微镜（SEM）进行检查，从而评估了这些样品在其表面上形成磷灰石层的能力。获得的结果澄清说，由于这些添加剂的添加剂，改善了微度，压缩强度，Young的模量，纵向模量，纵向模量，大量模量和剪切模量的机械性能。也观察到，BHA和MGO纳米颗粒的存在增强了准备样品的生物活性，光学和电性能。获得的结果令人鼓舞，这项研究的目的已成功实现。
L3G4200DH - MEMS 运动传感器：三轴数字输出...
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 表 3.过滤值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 表 4.机械特性 @ Vdd = 3.0 V, T = 25 °C 除非另有说明。.........8 表 5。电气特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明。.............9 表 6.温度。传感器特性 @ Vdd =3.0 V, T=25 °C 除非另有说明 ........9 表 7.SPI 从属时序值。..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.10 表 8.I2C 从属时序值（TBC） ....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.11 表 9.绝对最大额定值 ...................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表10.串行接口引脚说明 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.I2C 术语。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......18 表 12.SAD+读写模式。...< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.19 表 13.主机向从机写入一个字节时的传输 ...............................19 表 14.主机向从机写入多个字节时的传输 ..........................20 表 15.当主机从从机接收（读取）一个字节数据时进行传输 ..............20 表 16.主机从从机接收（读取）多个字节数据时的传输 ........20 表 17.文档修订历史 ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26