Markets News 6 Mini-LEDs to challenge OLEDs in high-end display market • GaN device market grows at 12.13% CAGR to $7bn in 2022 Microelectronics News 8 CML buys Microwave Technology • Micross buys KCB Solutions • NEC achieves record output power in 150GHz band using mass- producible GaAs technology Wide-bandgap electronics News 11 Wolfspeed to supply SiC devices for梅赛德斯 - 奔驰EV•CEA和雷诺开发基于WBG的双向板载充电器•Infineon符合与Resonac的SIC材料材料多年供应与合作协议•Finwave加入了美国半导体创新联盟•Navitas•Navitas在塞里卡尼(IC JV)的材料和加工设备中剩余的股份•Meterogation 28 k-Space启动•X. XR XR X.XRFFIR•xrfffir• Epi appoints Neil Gerrard as director of epitaxy LED News 34 Nichia and Infineon launch first fully integrated micro-LED light engine for HD adaptive driving beams • MICLEDI demos red AlInGaP micro-LEDs at CES Optoelectronics News 48 NIST and AIM Photonics collaborating to boost photonic chip designs to 110GHz •Ganvix and BluGlass to co-develop green GaN VCSELS•荷兰联盟投资350万欧元的Lionix•OpenLight任命CEO Optical Communications News 48生产诗人的光学发动机,以100G,200G和400G PHOTOVOLTAICS NEWS 52 FRAUNHOFER ISE ISE ISE ADVANCE ADVANCTION PEROVSKITE PEROVSKITE -SILICON TANDEM Cell and Module to Industrial Maturility Maturility Maturility
摘要 - 高空离子辐射会导致碳化硅动力装置降解和/或灾难性故障。测试程序和数据解释必须考虑重型离子诱导的现状泄漏电流增加将对随后的单事件效应敏感性和可检验性产生的影响。在轨道上,由于累积离子诱导的非胃动态性单事件效应,必须在整个任务寿命中确保可靠的表现。这项工作为不同的二极管,Power MOSFET和JFET设备提供了大量的重离子测试数据。SIC和SI功率设备之间比较了对单事件效应的敏感性。对硅碳化物电源设备的重型离子辐射测试方法的初步建议进行了,并讨论了辐射硬度保证,目的是将一步更近的一步移动到可靠地将这项技术从地面上脱离地面的航天器和仪器,从而使其从其独特的功能中受益。
Masanori Tsukuda *,Li Guan *,Kazuha Watanabe *,Haruyuki Yamaguchi†,Kenshi Takao†,Ichiro Omura *电子邮件:tsukuda@life.kyutech.kyutech.acutech.ac.ac.ac.ac.ac.ac.ac.ac.ac.jp * kyushu日本福库卡†田芝三菱电动工业系统公司(TMEIC),1东芝 - 乔,富丘 - 福,东京,东京183-8511,日本摘要 - 根据社会中电力电子系统在社会上的重要性,Power Semiconductor设备的可靠性问题构成了Power Semiconductor设备的可用性问题。另一方面,由于电源设备的生命周期与使用的生产批量或条件很大,因此基于较高可用性的常规间隔维护可提高运行成本。电源半导体设备的基于条件的维护(CBM)将是电力电子系统维护的可用性和成本的有前途解决方案。在这项研究中,已经证明了高信号分辨率监测系统板。系统为开关设备和二极管的实时V-I曲线使用案例温度监视,并且数据存储在板内存中,并且可以在线监视。将板安装在守门驾驶员板上,该板板从栅极驾驶员板上提供电源,并在商业60kVA逆变器上演示。