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SIC MOSFET电源开关的GAN和SI基于GAN和SI的性能评估
1。引言电力电子技术始终发展为更高效率，更高的功率密度和更集成的系统[1]，[2]。目前，大多数转换器均设计为嵌入到应用程序外壳中，因此其体积受产品案例大小的限制。使用较小的被动元素和较高的开关频率实现了这种尺寸的降低[3]，这构成了由于切换和驱动损失而引起的新挑战系统效率[4]。增加系统的功率密度而不影响整体效率需要提高功率开关的进步。不幸的是，基于硅（SI）的功率设备特性正在达到其理论限制，并且在阻断电压能力，操作温度和开关频率限制其使用方面具有重要的局限性[1]，[5]。在过去的几年中，基于宽带盖（WBG）半导体材料[6]的新一代电源设备可作为商业货架（COTS）产品使用。WBG半导体，例如碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN），显示出改进的材料特性，使其成为SI Power Devices替换时的绝佳选择。WBG材料的特征是它们的高电场强度，它允许具有高掺杂速率的非常薄的漂移层[7]，[8]。因此，基于这些材料的设备受益于降低州立电阻的能力，从而减少了传导损失[9]。此外，WGB材料中的载体移动性比SI优于SI，可以更快地转到 /关闭开关时间，从而降低开关损失。
国际电池日，2025年2月18日
2025年2月18日国际电池日，伊曼纽尔·伊沃奥哈教授提议锂离子电池作为南非的替代能源源（SA）已经遇到了数年的能源危机，持续了16年以上。电池在应对该国的能源挑战方面起着重要作用。他们存储并释放能源，电源设备，并帮助管理能源网格。电池是过渡到可再生能源的关键组成部分，也是更可持续的未来。2月18日庆祝国际电池日，以纪念意大利物理学家和化学家亚历山德罗·沃尔塔（Alessandro Volta）的诞生，他于1801年发明了第一个实用电池。国家科学技术论坛（NSTF）聚焦于Emmanuel Iwuoha教授的杰出屡获殊荣的研究，该研究获得了突破性的疾病诊断传感器设备，锂离子电池/超级电容器以及用于传感器和清洁能源的太阳能电池技术。Iwuoha教授是西开普大学（UWC）的纳米电化学和传感器技术的Sarchi主席。他获得了NSTF-South32奖项的享有声望的2024工程研究能力发展奖，称为SA的“科学奥斯卡”。（Sarchi =南非研究椅计划由科学，技术与创新部 - DSTI和国家研究基金会 - NRF成立）。
1 | Eke Panuku意图声明2024-27计划更改79决定
26。Beachlands South Limited Partnership（“ BSLP”）由Bill Loutit先生代表，他提供了法律意见。Leo Hills先生提供了运输证据，Vijay Lala先生提供了计划证据。Loutit先生建议BSLP通常支持通过专家会议和报告官的建议进行修改的PC 79。但是，BSLP仍然关注与以下原因有关的拟议控件：（a）电动汽车（EV）电源设备和充电能力； （b）可到达的停车位； （c）用于住宅通道的照明； （d）旅行生成并寻求进一步的修正案。希尔斯先生认为公共交通模式的旅行生成评估应与标准的意图保持一致，并且不应有可及的住宅停车位要求，因为它是不切实际的。Lala先生担心拟议的更改几乎不考虑申请人将如何解决这些变更，作为资源同意申请的一部分，以及理事会的报告计划者将如何处理此类申请，包括申请人需要哪种技术分析，以及理事会计划者的报告人员要求确认PC79。 Lala先生还认为，对与拟议更改相关的成本进行了很少的评估，即单独或累积考虑。 他进一步认为，所提出的规定过于复杂且复杂，无法纳入AUP，并且不是最有效或最有效的，因此不是最合适的。Lala先生还认为，对与拟议更改相关的成本进行了很少的评估，即单独或累积考虑。他进一步认为，所提出的规定过于复杂且复杂，无法纳入AUP，并且不是最有效或最有效的，因此不是最合适的。
高级电力电子：能源过渡和效率的推动力
新闻新加坡新闻稿，2022年6月2日，新加坡新加坡科学家开发了一种“面料”，将身体运动变成电力“面料”，有一天可以将其整合到衣服或可穿戴的电子产品中，向Nanyang Technological University，新加坡新加坡（新加坡NTU）的GO科学家使用电源设备，从而开发了一种可伸展的和水的“ Fabric” Fabric'Fabric'Faffic'能量生成的能量能量发电，使电型转向电力发动。织物中的关键成分是一种聚合物，当被压缩或挤压时，将机械应力转换为电能。它也用可拉伸的氨纶作为基础层制成，并与类似橡胶的材料集成，以保持其坚固，柔性和防水（请参见下面的图像在编辑器的注释中）。在4月的《科学杂志高级材料》中报道的概念验证实验中，NTU新加坡团队表明，敲击3厘米乘4厘米的新织物的新织物产生了足够的电能以点亮100 LED。洗涤，折叠和折断织物不会引起任何性能降解，并且可以保持稳定的电气输出长达五个月，这表明其可能用作智能纺织品和可穿戴的电源。材料科学家和NTU副教务长（研究生教育）领导该研究的Lee Pooi See教授说：“已经有很多尝试开发可以从运动中收获能量的面料或服装的尝试，但巨大的挑战是开发在洗涤后不会降低功能的事物，同时仍保留出色的电气输出。在我们的研究中，我们证明了我们的原型在洗涤和折磨后继续运转良好。我们认为它可以编织成T恤或整合到鞋底上，以从人体最小的动作中收集能量，将电源运送到移动设备。”
ecoflow delta Pro电池事实
1。环境光检测器：自动调整LCD屏幕的亮度2。LCD屏幕：提供有关电池3的信息。USB-A输出端口：电荷或功率较小的电子设备，例如智能手机，平板电脑和计算机4。主电源按钮：打开和关闭整个电池5。交流电源按钮：将电源转到AC端口打开和关闭6。交流输出插座：像标准墙出口一样的功能；您可以使用这些端口为大多数电子设备供电7。配对指示器：闪烁时，该设备已准备好用于蓝牙配对8。USB-A快速充电输出端口：供电较小的电子设备，例如智能手机，平板电脑和计算机；可以比标准USB-A端口更快地为设备充电9。主电源按钮指示器：灯指示电池打开还是关闭10。USB-C 100W输出端口：这些端口可以为比USB-A端口更多的电源充电和电源设备，例如笔记本电脑11。AC输出插座：此插座与常规墙壁出口不同；它通常与RVS或拖车一起使用12。交流电速度开关：此切换控制电池电量插入墙壁插座的速度13。太阳能/汽车充电输入端口：此端口允许您从太阳能电池板或汽车14中充电电池。X-Stream充电输入端口：您可以使用此端口和交流电缆为电池充电，将电池插入标准墙套筒15。额外的电池端口：如果您拥有多个电池并想将它们链接在一起，则可以使用这些端口来这样做超载保护开关：如果电池过载，它将自动关闭以确保安全目的；如果电池过载，您需要重置此开关以将电池重新打开16。
基于PCB的电力电子产品的自动型号生成
作为转换器的其余部分。设计师必须依靠制造商的设备型号（如果有）。由于其热性能低和电流能力有限，因此长期以来，PCB一直限于低功率转换（通常为10或100瓦，用于消费者的功能）。最近的改进，例如PCB嵌入技术[5]，可以在PCB中插入电源设备，或者厚铜层的可用性使PCB对多千瓦范围的转换器的吸引力更具吸引力（3。在[6]中为3 kW，或[7]中的50 kW）。结果，一个完整的转换器（包括电源，控制等）可以仅使用PCB进行互连，并带有裸露的DIES功率半导体设备。此“合理化”组件的一个结果是，有关转换器的所有信息都可以在PCB设计软件[8]中可用：布局的完整说明，材料清单（组件列表）等。从理论上讲，可以使用此信息来生成模型（热，电气等）以自动化的方式。实际上，从PCB设计软件中生成模型并不是一件容易的事：除了上述复杂性问题外，模型准备还需要大量的用户交互。最近，霍夫曼等人。[9]提出了一种解决方案，该解决方案允许用户在PCB中选择导体并自动计算寄生电感，电阻和焦耳加热；该论文的目的是通过快速计算算法以及仅将域仅减少到几个导体，提供“立即的价值量化”。相比之下，我们此处提出的方法旨在为整个PCB生成模型（以更长的计算时间为代价）。一旦完成PCB设计，就计算了每个轨道的寄生元件（电容，电阻，电感及其耦合），并将计算在电路模型中，并插入PCB的所有组件，以构成电路的完整“虚拟原型”。
sfp：在DC中输出的不间断电源
sfp：DC中输出的不间断电源谢谢您选择我们的产品。我们确信您对工作的改善支持将完全满足。DC-UPS SFP动力单元用于确保符合法规305/2011/EU的消防安全系统中的电连续性。其电气和机械特性使其符合标准EN 54-4：1997+A1：2002+A2+A2：2006（火灾检测和火灾报警系统。第4部分：电源设备）。一般说明SFP是一个额外的电源，它具有密封的铅电池，可确保对自动火灾检测系统的更有效的自主权，从而确保在正确的时间进行所有备份情况。它的尺寸和性能使其适用于必须避免长电缆的电源点的系统。sfp是全球在电气连续性领域的数十万个Adelsystem DC-ups产品应用中获得的经验的结果。产品的核心是DC-UP，CBI系列“全部”，它以单个，非常紧凑且高效的设备优化了系统的能量管理。使用“电源管理”设备将功率自动分布在负载和电池之间，该设备将电源重新分配并在需要时将电源加倍。也可以通过按下外部控制接口上的按钮直接从电池中打开设备。每个故障均通过诊断LED眨眼代码报告。坚固的容器保证对IP30的保护等级。主要特征“电池护理”概念始终区分了一个“ CBI”产品范围，可确保随着时间的推移和电池诊断的充电，以确保随着时间的推移有效的系统。一个非常简单的安装和使用设备，但内部复杂，涵盖了所有电气连续性管理功能，同时根据工作温度补偿电池充电。配备了简单但功能性的外部显示器，该产品监视实时自我诊断的系统故障，提供清晰且基本的信息，包括：测量电池内部电阻的测量，短电路中的单元格控制，信号，表明内部连接的意外断开连接，电池脱机信号。所有设备都配备了两个干净的输出触点，用于信号系统或电池故障条件。
一种可安装在皮肤上的细菌供电电池系统，用于自我……
用于自供电医疗设备的可皮肤安装细菌供电电池系统 Maedeh Mohammadifar 1、Mehdi Tahernia 1、JihyunYang 2、Ahyeon Koh 2 和 Seokheun Choi 1* 1 美国纽约州立大学宾汉姆顿分校电气与计算机工程系 2 美国纽约州立大学宾汉姆顿分校生物医学工程系 摘要 由于技术不成熟，从人体汗液中获取生化能量可以说是最不发达的。尽管如此，人们对从汗液中获取能量的兴趣日益浓厚，因为它是最适合用于接触皮肤的可穿戴设备的能源。尽管汗液发电具有巨大的潜力和前景，但该技术仅限于不稳定且效率低下的酶催化，这需要根本性的突破才能实现自给自足、长寿命的发电。在这里，我们首次展示了利用人体皮肤细菌表皮葡萄球菌的代谢从人体汗液中产生创新、实用且持久电能的能力。我们的汗液供电电池基于微生物燃料电池（MFC），利用汗液细菌作为生物催化剂，通过细菌代谢将汗液的化学能转化为电能。将 DC/DC 升压电路连接到堆叠的设备，以将工作电压（~500 mV）增加到最大输出 >3 V，从而为温度计供电。 关键词 基于汗液的发电；皮肤微生物；表皮葡萄球菌；电微生物学；微生物燃料电池 引言 可穿戴电子产品最近已成为一种新型电子产品平台，在健康诊断、治疗和监测中发挥着越来越重要的作用 [1-3]。然而，目前的可穿戴技术依赖于电池或其他储能设备来运行，由于体积庞大且能量预算有限，因此在实现紧凑且长寿命的先进功能方面面临挑战 [4-6]。此外，频繁充电或更换电源设备阻碍了可穿戴设备的实际和可持续使用 [7]。电源自主性是下一代可穿戴设备的关键要求，因此它们可以连续、独立和自我维持地工作。因此，下一代智能、独立、始终开启的可穿戴系统迫切需要一种现实且可访问的电源。在可能的技术中，基于汗液的能量收集因其高效、非侵入性的能量收集途径而为可穿戴、可贴合皮肤的应用提供了最合适的发电技术。汗液能量收集可以使用酶或微生物从佩戴者的体液中获取生化能量。基于酶的方法催化汗液中代谢物的氧化和氧气的还原，从而将能量转化为电能 [8-
课程Aziendale -DAC研究与工程
C。Abbate，R。Di Folco，A。Evangelista，“使用振幅和相位数据阐述的多基线SAR干涉法”。通用电气和电子工程杂志，3，55-63。，2015年，doi：10.13189/ujeee.2015.030204。C。Abbate，R。Di Folco，I。de Bellis和Z. Varga，基于散点参数的仿真和测量，对IGBT的稳定性分析，机械工程信，第1卷。13（2015），97-105。C。Abbate，R。Di Folco，“功率IGBT模块产生的EMI的建模和分析”。通用电气和电子工程杂志，3（2）：49-54，2015，doi：10.13189/ujeee.2015.030203。C。Abbate，R。Di Folco，“高功率IGBT模块的高频行为”。通用电气和电子工程杂志，3（1）：17-23，2015，doi：10.13189/ujeee.2015.030104。C。C. Abbate，G。Busatto，F。Iannuzzo：“高压，高性能开关，使用系列连接的IGBTS”，Power Electronics，IEEE EEEE交易卷，第25卷，第25期，第9期，第9个数字对象标识符：10.1109/tpel.2010.2010.2010.2010.2049272 Year：2010，2010年，Div。2450-2459。C。Abbate，F。Iannuzzo，G。Busatto，“硅电源设备中的不稳定性：现代电力设备中的故障机制的审查”，IEEE工业电子杂志，2014年，IEEE 8（3），第8（3）页，第28-39。C。C. Abbate，G。Busatto，A。Sanseverino，D。Tedesco，F。Velardi：“高频输入阻抗的度量，以研究短路中的电力设备的不稳定性”，Microelectrectronics Reliability 2018，https://doii.org/10.org/10.10.1016/j.microrer.2018.0.0.0.0.0.0.0. n.07.0.07.07.07.07.07.07. n.07.07.07.07.07.07.07. n.077.07.07.07.07.07.07.7. n.07.07.07.07.07.7.07. n。），pp。75-82，iOS出版社，2007年。（2015）。C。Abate，M。Moroozov，G。Ubine，A。S。Tamburn，S。verse：“用于定量和当前赌注的aree阵列涡流和想象中的想象力，e'nde，eann毁灭性的非毁灭性非破坏性非破坏性（x），S。takahaon（x），S。takahaon（x），S。takahashi，S。takahashi。C。C. Abben，N。Bonora，A。Rugger，G。Iannites，F。Iannice，G。Box，G。Busty，“ Mechhanuminscenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescenescencences cencencencence cencenescenescencence cencencencence of NlOud velocitil of yressick yression：杂志：L。Coldel，L。Turter，S。Turket，C。Bells：Manysiss Manage Manage Manage in Dralling frp。<2> Procemy，167（2016）206-215。L。Coldel，L。Turther，S。Turket，C。Bells：进行内部处理和温度监测温度。Jek Community，102（2016）46-48。L。Colla，S。Turket：监测持久层压持续时间的FRP的持续时间。L。Coldel，S。Turket，E。Venorro：直径底：力的分析。Deading＆Technology，82（2015）21年。
3.3-kV SIC MOSFET性能和通道长度相关的短路能力
1俄亥俄州立大学，俄亥俄州哥伦布，俄亥俄州，美国，xing.174@osu.edu 2基因半导体公司，美国弗吉尼亚州斯特林市，弗吉尼亚州斯特林，ranbir.singh@genesicsemi.com 3 sandia国家实验室，美国新罕布什尔州阿尔巴克基，美国，美国，satcitt@sandia.gov--- 5-A SIC MOSFET由基因制造。涉及静态特征和短路可持续能力。在不同的门电压下以2.2 kV的排水偏置探索它们的饱和电流。在2.2 kV和18-V门电压的排水电压下测量两种设备的短路承受时间。将短路测试结果与来自四个供应商的1.2 kV SIC MOSFET进行了比较。测试结果表明，在SC事件中，通道长度和较高电压等级的SIC MOSFET具有更长的持续时间。此外，开发了短通道设备的设备模型。所有测试均在室温下进行。简介和动机 - 中型电压宽带隙（WBG）半导体大于3 kV对于功率转换应用具有吸引力，以提高性能。尽管这些设备中的大多数仍在出现，但价格明显较低，并且很容易从基因上获得设备。需要评估这些设备的性能和可靠性，以确保将来会有大量的市场吸引力。在本文中，评估了新一代3.3-kV，5-A SIC MOSFET的基因。根据测试结果开发了香料模型。SC测试的电路图如图4。与针对相似设备的静态和动态评估的先前报告相比，在这种情况下，有两种具有不同通道长度的设计类型。结果和意义 - 第一象限I-V曲线和阈值电压如图1-2所示。在其排水量泄漏电流，闸门源泄漏电流和电容中没有明显差异。如图3所示，测量额定电压（2.2 kV）和三个不同的栅极电压下的饱和电流。最初设置了2.2-KV，18-V v g„的SCWT测量。A 1-1.TS增量。图5-6中显示了每个回合的设备故障波形和SC电流。从四个不同供应商的1.2 kV SIC MOSFET也以额定电压（0.8 kV）和18-V V GS的2/3进行测量。比较图如图7所示。与短通道设备相比，长通道设备的RDSON有1.23倍的RDSON，0.49个时间ID（SAT），18-V V g„和1.4倍SCWT。对于诱导设备故障的脉冲，短通道设备在5范围内消散了约900 MJ，而长通道设备在7 TTS内消散了799 MJ。由于两个设备的模具尺寸几乎相同，因此具有较大SC能量的短通道设备比长通道设备更早。将V GS拉到零后，这两个设备都失败。这种故障机制可以是通过设备的熔融铝穿透[2]。与1.2 kV设备相比，3.3-kV脱离显示更长的SCWT。由于末端电容没有差异，因此仅针对短通道设备执行动态评估，如图8所示。在2.4-kV DC电压和6-A I DS电流时，打开损失为850 TD，为25 kV/ps，关闭损耗为150 µJ，为53 kV/ias。用于香料建模零件，使用级别1，级别2和降压电荷模型[3]（图9）。拟合结果表明，降压电荷模型更适合这种中电压功率SIC MOSFET。车身二极管特性和末端电容也被建模并在图10中显示。参考 - [1] H. Wen，J。Gong，Y。Han和J. Lai，“ 3.3 kV 5 A SIC MOSFET的表征和评估，用于固态变压器应用”，2018年亚洲能源，电力和运输电气化会议（APTICERAIGT），2018。[2] K. Han，A。Kanale，B。J。Baliga，B。Ballard，A。Morgan和D. C. Hopkins，“ 1.2KV 4H-SIC MOSFETS和JBSFETS和JBSFETS的新短路故障机制”，2018 IEEE第6次IEEE第6届宽带电源设备和应用程序（WIPDA）（WIPDA）的第6届研讨会，2018年。[3] N. Arora，“ VLSI电路模拟的MOSFET模型”，计算微电子学，1993。