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摘要 - 高空离子辐射会导致碳化硅动力装置降解和/或灾难性故障。测试程序和数据解释必须考虑重型离子诱导的现状泄漏电流增加将对随后的单事件效应敏感性和可检验性产生的影响。在轨道上，由于累积离子诱导的非胃动态性单事件效应，必须在整个任务寿命中确保可靠的表现。这项工作为不同的二极管，Power MOSFET和JFET设备提供了大量的重离子测试数据。SIC和SI功率设备之间比较了对单事件效应的敏感性。对硅碳化物电源设备的重型离子辐射测试方法的初步建议进行了，并讨论了辐射硬度保证，目的是将一步更近的一步移动到可靠地将这项技术从地面上脱离地面的航天器和仪器，从而使其从其独特的功能中受益。
空间辐射对SIC电源设备可靠性
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