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World File Search System电特性
机器学习辅助陶瓷电力电子电路载体局部放电特性分析
导电介质，用于传输电荷。因此，总而言之，电场强度必须超过绝缘材料的击穿极限才能发生放电。缩小后，这意味着只要超过最大局部固有场强并且有起始电子，绝缘体的部分区域也可能会发生放电。因此，在整个绝缘体的一部分中发生的放电称为局部放电。尽管局部受限，但这些以及完全击穿都可能通过热量发射、振动、光子或化学方式损坏绝缘体。
基于充电特性和反向传播神经网络的健康状态评估
等效电路模型 (ECM)、电化学模型和经验退化模型 (EDM) 是常用的 SOH 估算模型。基于 ECM 的方法不研究电池内部复杂的物理化学反应过程，而是基于电路模型，采用滤波算法进行参数辨识，并更新模型参数进行 SOH 估算。例如，余 [3] 采用递归最小二乘 (RLS) 法辨识 ECM 的参数，然后采用自适应 H∞ 滤波算法估计 SOH。徐 [4] 也采用 RLS 辨识参数，然后估算 SOH。基于模型的方法虽然简单、计算成本低，但自适应性较差，且估算结果更多地依赖于参数辨识和滤波算法的有效性。
光电特性
Hammett 对功能化二酮吡咯并吡咯 (DPP) 体系中取代基效应的分析：光电特性和分子内电荷转移效应 Gabriel Monteiro-de-Castro； a Itamar Borges Jr. a,b，* Instituto Militar de Engenharia (IME)，Praça Gen. Tibúrcio 80，里约热内卢，RJ，22290-270，巴西。 a Departamento de Química, IME b Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Defesa, IME * 电子邮件：itamar@ime.eb.br 摘要 二酮吡咯并吡咯 (DPP) 系统在不同的有机电子器件中具有广阔的应用前景。在这项工作中，我们研究了 20 种不同的取代基对 DPP 基衍生物作为有机光伏 (OPV) 器件中的供体 (𝐷) 材料的光电特性的影响。为此，我们采用了 Hammett 理论，该理论量化了给定取代基的电子供体或吸电子特性。基于机器学习 (ML) 的 𝜎 # , 𝜎 $ , 𝜎 #
MoiréSystems的纳米电特性
最近，Moiré系统已成为2D材料研究领域的新领域。moiré系统是指显示超晶格样图案的材料，这些模式是由2D双层结构中两个或更多层的蜂窝晶格之间的轻微错位引起的[11]。除了由于单个层之间略有晶格常数不匹配而形成的莫伊尔图案（图1A），另一种形成这些模式的方法是通过以较小的角度扭曲或旋转两个单独的层（图1B）。这种现象在扭曲的双层石墨烯中尤为明显，在扭曲的双层石墨烯中，所产生的moiré模式显着改变了材料的电子特性，最终导致以1.1°的魔法角度出现非常规超导性[12]
合成和介电特性，XPS光谱研究
是由Xrd确定的，标称组成BI 2 Cr 1 /6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 ni 1/6 ni 1/6 Cu 1/6 cu 1/6 ta 2 o 9+δ，不管合成条件如何，包含均量含量的均量含量的异位甲酸盐溶剂甲酸甲酸酯抗溶剂。在Bi 2-cr 1 /6 Mn 1/6 1/6 Fe 1/6 CO 1 /6 Ni 1/6 Cu 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+Δbismuth sublattice中获得了bimuth原子的缺乏。复杂的氧化物在pyrochlore结构类型中结晶（sp。gr。fd -3 m，。= 10.4811（2）Å）。陶瓷的特征是多孔，松散的微观结构，平均晶粒尺寸为0.5 –1μm。根据XPS数据，Pyrochlore中的过渡元件离子主要在Cr（III），Fe（III），MN（II），CO（II），CO（II），Ni（ii），Cu（ii），Cu（ii）状态中。在室温下，BI 2-1 / 3 Cr 1/6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 CO 1/6 Ni 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+δ的介电常数和介电损耗分别为1 MHz，分别为≈46和≈0.004。提出了一个等效电路，该电路模拟样品的电性能。
层状钙钛矿 Bi2LaO4I 的结构稳定性、电子、光学和热电特性
利用密度泛函理论 (DFT) 方法（即多体系统 Kohn-Sham 状态方程的量子力学处理）计算了 Bi 2 LaO 4 I 的各种性质。40,41 对于计算，我们使用了 WIEN2k 代码，这是一个增强平面波加局域轨道程序。42,43 考虑到电子交换关联函数，标准广义梯度近似 (GGA) Perdew-Burke-Ernzerhof 已用于参数化。44 除此之外，修改后的 Becke-Johnson (mBJ) 势已用于带隙估计。45 在整个布里渊区 (BZ) 中使用由一组 600 k 点生成的 11 11 4 k 网格，这对应于不可约 BZ 中的 63 个 k 点。自洽计算采用能量收敛标准 10 5 Ry 和电荷收敛标准 10 4 e 实现。弹性性质采用四方对称 IRelast 程序包计算。26 传输系数采用 BoltzTraP 计算，46 其在恒定弛豫时间近似 (CRTA) 和刚性带近似 (RBA) 下的玻尔兹曼半经典方程下工作。47,48
通过碱性替代品调整CS2Agbibr6双栖息地单晶的结构和光电特性
发现用于光电应用的基于铅的有机无机钙钛矿材料引发了光伏材料研究的革命。尽管它们具有出色的材料，例如强光吸收，长期充电载体寿命与高载流子迁移率结合使用，生产成本较低，长期不稳定以及铅的毒性目前妨碍了他们在工业试验量表中的部署。[1]为了克服这一缺点，已提议将双重钙蛋白酶与一般的For-Mula A 2 1 + M 1 + M'3 + X 6提议为候选材料，可在perovskites的大量扩展研究领域提供无铅替代方案。在钙钛矿目录的该分支中研究的第一批材料之一是CS 2 Agbibr 6，显示了设备[2,3]的高稳定性[2,3]和低有效的载体质量[4]，其长载体重组寿命
屏障厚度对INGAN/GAN非对称多量子孔结构的光电特性的影响
gan/gainn非对称多量子发光二极管具有不同潜在的屏障厚度（5和15 nm），通过使用金属有机化学蒸气沉积来生长。狭窄的屏障结构改善了设备的性能，包括电致发光积分强度的超线性增加，高电流密度下效率下降的降低，波长漂移的降低，向前电压的降低以及壁插头效率的提高。这是由于量子屏障的厚度变窄，这会导致量子井之间的电场较小，量子限制性鲜明效应的弱化，跨设备活动区域的载体分布更均匀，以及电子泄漏的抑制。
PVC：NH4I 固体聚合物电解质 (SPE) 的阻抗和介电特性：高电阻率 SPE 的制造步骤
1 苏丹王子大学数学与科学系，邮政信箱 66833，利雅得 11586，沙特阿拉伯；muaffaqnofal69@gmail.com 2 哈米德·马吉德先进聚合物材料研究实验室，苏莱曼尼大学科学学院物理系，Qlyasan Street，Sulaimani 46001，库尔德斯坦地区政府，伊拉克 3 科马尔科技大学工程学院土木工程系，苏莱曼尼 46001，库尔德斯坦地区政府，伊拉克 4 苏莱曼尼大学科学学院化学系，Qlyasan Street，Sulaimani 46001，库尔德斯坦地区政府，伊拉克；hewa.ghareeb@univsul.edu.iq 5 人类发展大学健康科学学院科学医学实验室系，苏莱曼尼 46001，库尔德斯坦地区政府，伊拉克； jihad.chemist@gmail.com 6 数学与科学系，女子校区，苏丹王子大学，邮政信箱 66833，利雅得 11586，沙特阿拉伯；elhamdannoun1977@gmail.com 7 化学系，科学学院，诺拉公主大学，邮政信箱 84428，利雅得 11671，沙特阿拉伯；sialsaeedi@pnu.edu.sa * 通信地址：shujahadeenaziz@gmail.com
热压缩模制PVDF/ ... div>的压电特性
聚（乙烯基氟化物），PVDF。PVDF显示了五个称为α，β，γ，δ和ε相的结晶多晶型物。其中，β相具有压电特性，但α相在热力学上更稳定。将添加剂掺入PVDF可以促进β相形成。在这项研究中，通过热压缩成型制造了具有不同SIC含量的PVDF-NANO SIC复合材料，并研究了SIC对PVDF的晶体结构，结晶度和压电性能的影响。通过SEM研究了复合样品的微观结构。制备的样品完全致密，密度超过理论密度的97％。通过FTIR分析确定β相的量，并根据DSC分析得出PVDF的结晶度。最后，通过压电酯测量样品的压电特性。结果表明，通过将SIC含量提高到1 wt％，样品的β相，结晶度和灵敏度的量增加，然后降低。