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硅二橙锂在硅光子学上的量子前景
分子电子的领域与使用分子术的使用来允许，控制和操纵两个电极之间的电气传输。[1,2]探索的基本工具是电极|分子|电极“分子连接”。[3–6]分子连接的设计与追求分子电子的早期动机对齐，这一直基于以下概念：适当设计的分子可以作为执行电路元件的基本功能的一个（或更多）。为此，执行电线功能的分子，[7]开关，[8]二极管，[9]直径，[10]晶体管，[11]，[11]和高效的电阻[12] [12]及其在连接中的电特性。最近的注意力已转向分子连接的特性，这些连接范围延伸到了电气的模仿
铁电纤锌矿 Al1-xScxN 单晶的现象学热力学能量密度函数
开发了铁电纤锌矿氮化铝钪 (Al 1 − x Sc x N) 固溶体的 Landau – Devonshire 热力学能量密度函数。该函数使用现有的实验和理论数据进行参数化，能够准确再现块体和薄膜的成分相关铁电特性，例如自发极化、介电常数和压电常数。发现纤锌矿结构保持铁电性的最大 Sc 浓度为 61 at. %。对 Al 1 − x Sc x N 薄膜的详细分析表明，铁电相变和特性对基底应变不敏感。这项研究为新型铁电纤锌矿固溶体的定量建模奠定了基础。
det-脑医疗微波成像
医学微波成像（MMWI）是一种医学成像的替代类型，在过去20多年的少数医疗应用中显示出令人鼓舞的结果。与其他成像方式相比，这是一种有吸引力的成像方式，其非侵入性，非离子化辐射，低功率和相对较低的成本。此外，MMWI的安装，操作和维护成本可能较低。所有这些特征使MMWI成为筛查几种疾病或疾病的有吸引力的成像方式。MMWI使用微波辐射来基于生物组织的不同介电特性（在层析成像微波成像的情况下）或生物组织之间的介电对比度（对于雷达微波成像）。
高频LTCC应用的铜硼酸盐的烧结，微观结构和介电性能
摘要：通过固态合成和烧结，基于两个铜硼酸盐和Cu 3 b 2 O 6的新陶瓷材料，并将其表征为低介电介电介电常数的有希望的候选者，用于很高的频率电路。使用加热显微镜，X射线衍射测量法，扫描电子显微镜，能量分散光谱镜检查和Terahertz时间域光谱研究了陶瓷的烧结行为，构成，显微结构和介电特性。研究表明，频率范围为0.14–0.7 THz的介电介电常数为5.1-6.7，介电损失低。由于低烧结温度为900–960℃，基于铜硼酸盐的材料适用于LTCC（低温涂层陶瓷）应用。
对p-gan动态ron降解的热效应...
摘要在这项工作中，已经使用脉冲模式电压应力分析了正常的p-gan algan/gan hemts对正常的p-gan algan/gan hemts降解的热效应。与Gan-On-Si Hemts的显着降解特性相比，由于更高的热边界导导，在Gan-On-SIC中抑制了降解的动态R，而离子化的受体样bu样陷阱较低。不同的电特性，以揭示与热效应相关的陷阱。最后，已经进行了二维设备模拟，以探究对降解动态R的热效应的物理洞察力。关键字：陷阱，降解的动态R，Algan/Gan Hemts，脉冲模式应力，底物，温度分类：电子设备，电路和模块（硅，硅，com-poundeminconductor，有机和新型材料）
表面表征和低能辐照的PANI/PBS聚合物纳米复合材料
摘要：在这项工作中，使用溶液制备方法制备了聚苯胺（PANI）（PANI）（PANI）和铅硫纳米颗粒（PBSNP）的纳米复合样品，以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射：5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD，SEM，DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。 此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。
研究光电设备的掺杂钡陶瓷材料的物理化学和光学特征
Ambikapur-497001，印度Chhattisgarh，4 M.Sc.-Student，化学系，Pt。Ravishankar Shukla大学，Raipur，Chhattisgarh摘要：这项研究研究了掺杂的钛酸钡（Batio 3）陶瓷的结构，介电和光学性质，突显了它们用于高级电子应用的潜力。钛酸钡是一种突出的铁电材料，以系统的方式与各种元素一起掺杂，以改善其功能属性。通过X射线衍射（XRD）的方式描述了晶体结构和相位发展，展示了掺杂如何影响晶格参数和相位稳定性。介电特征，例如损失切线和介电常数，揭示了掺杂剂对介电行为和铁电特性的影响。光学研究，包括UV-VIS光谱法检查了带隙和光透射率，这对于光电子用途至关重要。发现，靶向掺杂可以有效地改变钛酸钡陶瓷的结构，介电和光学特性，使其非常适合电容器，传感器和其他电子设备。这项研究为优化钛酸钡陶瓷提供了宝贵的见解，以在各种技术应用中实现卓越的性能。也已经观察到某些掺杂剂减少了带隙的能量，从而导致更好的光学透明度和可调折射率，这对于光电应用非常有价值。关键字：钛盐（Batio 3），掺杂陶瓷，介电特性，光学特性，1。引言钛酸钡（Batio 3）钙钛矿结构的陶瓷，由于其出色的介电，铁电和压电性特性，一直是电子应用中的基础材料[1]。这些独特的特征使Batio 3在各种电子设备中必不可少，包括多层陶瓷电容器（MLCC），热敏电阻，执行器和传感器[4]。该材料的高介电常数和可调节的铁电特性对电容器特别有益，在该电容器中，有效的能量存储至关重要[10]。但是，随着电子技术的发展，越来越多的需求以进一步增强和优化Batio 3的内在特性，以满足
硫杂质对结构、电子和
石墨烯及其衍生物是具有二维六边形结构的突破性材料，具有出色的电导率、强度和柔韧性。它们的多功能性和化学可改性性使其可用于电子、储能、传感器、生物医学等领域。正在进行的研究凸显了它们在推动技术和解决全球挑战方面的潜力 [1]。在这种结构中，粒子的行为类似于狄拉克无质量费米子，从而产生许多合适的电特性，使石墨烯成为设计和制造未来纳米电子元件的合适候选材料 [2-4]。因此，近年来，科学家扩大了在二维材料领域的研究，这些研究成果导致了新二维材料的诞生 [5,6]。二维材料的一个值得注意的点是，可以通过应用吸收、杂质污染、产生缺陷或应用其他物理特性等变化来改变其特性 [7-11]。最重要的和
O2等离子体处理对电学和介电常数的影响...
研究了 O 2 等离子体处理对 Ba 0 ： 7 Sr 0 ： 3 TiO 3 (BST) 薄膜电特性和介电特性的影响。将沉积态和退火态的 BST 薄膜暴露于 O 2 等离子体后，BST 薄膜的漏电流密度可以得到改善。通常，在施加 1.5 V 电压下，与未经等离子体处理的样品相比，漏电流密度可以降低 3 个数量级。研究发现，等离子体处理改变了表面形貌。BST 薄膜的电容降低了 10% 至 30%。等离子体处理样品的漏电流密度的改善和介电常数的降低可归因于 BST 薄膜中碳污染的减少。时间相关电介质击穿 (TDDB) 研究表明，所有样品在 1 V 电压偏置下均有超过 10 年的使用寿命。© 2000 Elsevier Science Ltd. 保留所有权利。