可能的不确定性来源是离子飞行时间信号上峰的重叠。这可以通过将峰值近似为正常分布而进行数值整合的预期重叠来表征,如图6 a。由于离子飞行器信号的峰重叠而引起的不确定性的最大贡献来自(32 s + 31 p)峰泄漏到32 p峰。这估计为典型操作贡献了9±2 µ V·µ s,从而对R的分数贡献,因此T MEAS为0.005±0.001。不确定性的另一个来源是确定T BBR的初始时间。也就是说,状态抽水的有限时间和电离坡道需要有效的T BBR处理,我们允许较小的有限偏移。偏移量大约为13.5 µs,可以通过测量脉冲泵激光器和到达检测器的电离电子之间的时间来找到。但是,可以通过优化理论和实验之间的一致性来更精确地实现此偏移,如图主要文本的3。请注意,32 P状态的最大化的形状和时间对温度并不特别敏感(仅幅度高度敏感),因此执行此校准并不等于通过已知温度校准系统。拟合产生的t bbr等于泵送结束与电离坡道的开始之间的时间,加上13.97 µ s。此拟合的不确定性
矩阵辅助激光解吸电离(MALDI)是一种在蛋白质组学和代谢组学生物学研究中常用的软电离质谱(MS)的一种形式[1-3]。在没有自动进料器的情况下并行快速处理多个样本的能力使其适合于高通量和单细胞应用[4-6]。该方法的关键是使用激光器中的能量促进离子物种产生的矩阵或工程底物[7,8]。底物的特性,包括其化学,电导率和微图像冲击样品电离效率,从而使测量敏感性[8-11]。例如,微米级井可用于隔离不同组成样品,因此可以分别分析它们[12-14]。井阵列也与活动[15,16]或被动加载技术[12,17]兼容,以简化样品的准备。但是,MALDI-MS需要在分析之前将样品干燥。当液滴在平坦的表面上干燥时,由于咖啡环效应,它们倾向于分配有关周长的分析物[18,19]。类似的过程发生在圆柱井中,导致沿周围的降水[20,21],在该井中,由于壁被激光闭塞而抑制信号。两种情况下的结果均降低了灵敏度和由于样本斑点不均匀性而引起的测量变异性增加[18,22]。
蚀刻工艺。等离子系统用于电离反应气体,离子被加速轰击表面。蚀刻是通过化学反应和蚀刻物质的动量传递的组合而发生的。湿蚀刻的典型蚀刻曲线:
空气•带电颗粒/微生物的静电沉淀。因此,静电过滤器由两个单独的部分构建:•电离部分•收集/沉淀部分。在第一阶段粒子和微生物中'(即细菌,孢子,酵母)充电发生在电离部分,通过产生正阳性或负电晕放电的电极。在第二阶段中,在一组平行的电动电荷收集板上,在收集部分中发生了先前带电的颗粒和微生物的静电沉淀。这些板之间生成的电场捕获颗粒并将其捕获在收集板的表面上。与板的接触会导致任何微生物的立即破坏,并避免在细菌裂解时释放内毒素,就像机械过滤器所发生的那样。
众所周知,地面宇宙辐射 (TCR) 会导致硅和碳化硅功率器件中发生电离事件,从而导致灾难性的后果 [1]。因此,功率器件的设计和可靠运行需要准确表征电荷沉积和收集过程。目前,量化功率器件对 TCR 的敏感性最常见、最快速的技术是基于粒子加速器中的高能粒子辐照 [2]。由于这些测试是在高加速条件下进行的,因此转换到真实的 TCR 环境并不总是很简单。在本文中,我们提出了一种实验装置,用于监测半导体功率器件中由电离辐射产生的非破坏性单电离事件的发生,以收集有关电荷产生和收集过程的精确统计数据。谱测量系统的设计方式使其可以部署在大量实验配置中,其中收集的电荷、计数率和 DUT 的额定电压可能会有很大变化。具体来说,光谱仪需要记录器件中产生的每个电离事件,这些事件的电荷脉冲范围从 1 fC 到 2 pC,以及其时间戳和波形。该系统需要处理高压器件(额定电压高达 3.5 kV),尽量减少偏置纹波和电压随时间漂移。为了提高收集数据的统计意义,需要并行测试器件。因此,系统必须对大输入电容(高达 2 nF)保持稳定,并为大输入电容提供准确的结果
摘要:制备了NiO/β-Ga2O3异质结栅场效应晶体管(HJ-FET),并通过实验研究了在不同栅极应力电压(VG,s)和应力时间(ts)下器件的不稳定性机制。发现了器件在负偏压应力(NBS)下的两种不同退化机制。在较低的VG,s和较短的ts下,NiO体陷阱捕获/脱捕获电子分别导致漏电流的减少/恢复。在较高的VG,s或较长的ts下,器件的传输特性曲线和阈值电压(VTH)几乎永久地负移。这是因为界面偶极子几乎永久地电离并中和了异质结界面上的空间电荷区(SCR)中的电离电荷,导致SCR变窄。这为研究NiO/β-Ga2O3异质结器件在电力电子应用中的可靠性提供了重要的理论指导。
现代加速器首选非侵入式测量方法来表征束流参数。电离轮廓监测器 (IPM) [1–3] 和束流诱导荧光监测器 (BIF) [4–8] 被广泛用作许多加速器中的非侵入式束流轮廓监测器。在此类监测器中,粒子束与残留气体相互作用,导致气体分子电离或发射荧光。束流与气体相互作用产生的副产物可以通过外部电磁场(离子和电子)收集,或使用独立光学系统(荧光)检测,以提供初级束流的一维分布信息。根据背景压力水平,它们通常需要较长的积分时间或加载额外的工作气体。后者将产生较大的压力凸起区域,并可能导致初级束流性能下降