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World File Search System电荷密度
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如
量子细胞自动机
摘要。我们制定了一种由量子设备阵列组成的细胞自动机 (CAS) 计算新范式——量子细胞自动机。这种范式中的计算是边缘驱动的。输入、输出和功率仅在 c 阵列的边缘传输；不需要直接向内部细胞传输信息或能量。这种范式中的计算也是使用基态进行计算。该架构的设计使得阵列的基态配置受输入确定的边界条件的影响，产生计算结果。我们提出了使用由量子点组成的双电子细胞来实现这些想法的具体方法，这在当前制造技术范围内。细胞中的电荷密度沿两个细胞轴之一高度极化（对齐），暗示了双态 CA。一个细胞的极化通过库仑相互作用以非常非线性的方式在相邻细胞中引起极化。量子细胞自动机可以执行有用的计算。我们表明，与门、或门以及反相器可以构建并互连。
补充材料
正文中显示的计算是使用 Quantum Espresso (QE) 第一性原理程序包 [ S1 , S2 ] 执行的。我们使用密度泛函理论 (DFT) 计算电子结构。使用专为处理表面科学问题而设计的 BEEF-vdW 交换关联函数 [ S3 ]。我们使用 A. dal Corso 的超软伪势 [ S4 , S5 ]，动能截止为 1360 eV，电子态占有率的高斯涂抹为 0.27 eV。通过以 Γ 为中心的 12 × 12 × 1 Monkhorst-Pack (MP) 网格 [ S6 ] 对布里渊区进行采样来评估电子态和电荷密度。动力学矩阵和声子微扰势使用 QE 包的 PHonon 代码中实现的密度泛函微扰理论 (DFPT) 进行评估。具体而言，动力学矩阵和微扰势是在 Γ 中心的 6 × 6 × 1 q 网格中进行评估的。我们使用电子声子 Wannier (EPW) 代码来评估电子声子 (e-ph) 矩阵元素 [S7、S8]，定义为
高-TC Fe- ...
在引言中，我们对发现较高的材料的发现（SC）的发现进行了简短的历史调查，这些材料并非纯粹的状态。对于这种材料，在存在不同掺杂剂的情况下，向SC状态的过渡发生。最近在高压基材料中，SC在室临界温度下获得。在本文中，我们介绍了代表Infini-tum晶体的分离群集的计算结果，该簇是rh和pd作为掺杂剂的结果。所有计算均使用程序套件高斯16进行。使用高斯09.在嵌入式群集的情况下，应用了MP2电子相关水平的嵌入式聚类方法的方法。在NBO种群分析中揭示了两个主要特征：电荷密度转移从自旋密度转移的独立性，以及具有元素密度但没有旋转密度的轨道的存在。这类似于安德森（Anderson）的无旋转，并证实我们在先前出版物中的结论，即超导性的可能机制可以是安德森（Anderson）对高层callates高的T C超导性产生的RVB机制。
电容电压和电流的表征
本研究通过 CV 和 IV 分析研究了新型 MIS 结构 TiN/Al 2 O 3 /P-Si 的电性能，采用 Silvaco TCAD 软件进行模拟。检查各种参数，包括频率、温度、氧化物厚度、表面条件和掺杂水平，揭示了它们对器件特性的影响。模拟结果与理论预期非常吻合，验证了模拟方法的有效性。发现温度变化会影响平带电压，可能是由于氧化物电荷密度和界面缺陷密度的变化，而在 77 K 至 300 K 的温度范围内观察到弱反转区。频率依赖性很明显，特别是在 1 GHz 时，对 CV 行为有显著影响。IV 分析揭示了不对称的温度激活，表明存在双传导机制。此外，更高的掺杂水平与负电压范围内的电流密度增加相关。对具有不同介电厚度的电容器的模拟漏电流表明行为不均匀，由于能带图不对称，从栅极注入电子导致与基板相比更高的电流密度。这强调了降低氧化物厚度对漏电流行为的影响。
“ EV ...
电动汽车是未来的方式。上升的电动汽车市场以及石油燃料的供应减少，要求开发更有效的电动汽车。电池管理系统（BMS）是任何电动汽车的重要组成部分。它由已编程的许多电路和电子电路（包括转换器和逆变器电路）组成，以监视和从电池系统中提取最大输出。化学反应决定了电池的性能。电池的性能会降低，因为化学物质衰减。结果，必须定期监控电池的这些功能。由于其高电荷密度和轻量级，锂离子电池已被证明是电动汽车生产商的流行选择。尽管这些电池的大小具有很大的功率，但它们的功率很高，但它们非常不稳定。至关重要的是，这些电池永远不会被过度充电或排放，需要使用电压和当前调节器。在本研究论文中，我们将借助Node MCU监视车辆的各个方面，例如电流，电压，SOC和温度，这是启用Wi-Fi的Microchip，该微芯片将将数据或关键参数发送到服务器，这是这样说的，因此我们可以通过这种方式来监视这些参数，并从任何地方监控这些参数并监视电池健康。
生物聚合物和植物电纳米生成剂（Tengs）的生物聚合物和仿生技术 由可调仿生离子极化诱导的软水凝胶中的巨型离子柔性
Triboelectric纳米生成器（Tengs）在为各种可穿戴设备获得可持续能源方面起着至关重要的作用。聚合物材料是量的重要组成部分。生物聚合物是适合Tengs的材料，因为它们具有降解性，自然采购和成本效果。在此，总结了常用生物聚合物和精心设计的仿生技术的最新进展。详细概述了天然橡胶，多糖，基于蛋白质的生物聚合物和其他常见的合成生物聚合物在Teng技术中的应用。根据其电力能力，极性变化和特定功能，讨论了每个生物聚合物的活性和功能层。还总结了特定生物聚合物的重要仿生策略和相关应用，以指导Teng的结构和功能设计。将来，对摩擦性生物聚合物的研究可能会着重于探索替代候选者，增强电荷密度和扩大功能。在本综述中提出了基于生物聚合物的tengs的各种可能应用。通过将生物聚合物和相关的仿生方法应用于Teng设备，Teng在医疗保健领域的应用，环境监测以及可穿戴/可植入的电子设备可以进一步促进。
“ EV ...
电动汽车是未来的方式。上升的电动汽车市场以及石油燃料的供应减少，要求开发更有效的电动汽车。电池管理系统（BMS）是任何电动汽车的重要组成部分。它由已编程的许多电路和电子电路（包括转换器和逆变器电路）组成，以监视和从电池系统中提取最大输出。化学反应决定了电池的性能。电池的性能会降低，因为化学物质衰减。结果，必须定期监控电池的这些功能。由于其高电荷密度和轻量级，锂离子电池已被证明是电动汽车生产商的流行选择。尽管这些电池的大小具有很大的功率，但它们的功率很高，但它们非常不稳定。至关重要的是，这些电池永远不会被过度充电或排放，需要使用电压和当前调节器。在本研究论文中，我们将借助Node MCU监视车辆的各个方面，例如电流，电压，SOC和温度，这是启用Wi-Fi的Microchip，该微芯片将将数据或关键参数发送到服务器，这是这样说的，因此我们可以通过这种方式来监视这些参数，并从任何地方监控这些参数并监视电池健康。
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电动汽车是未来的方式。上升的电动汽车市场以及石油燃料的供应减少，要求开发更有效的电动汽车。电池管理系统（BMS）是任何电动汽车的重要组成部分。它由已编程的许多电路和电子电路（包括转换器和逆变器电路）组成，以监视和从电池系统中提取最大输出。化学反应决定了电池的性能。电池的性能会降低，因为化学物质衰减。结果，必须定期监控电池的这些功能。由于其高电荷密度和轻量级，锂离子电池已被证明是电动汽车生产商的流行选择。尽管这些电池的大小具有很大的功率，但它们的功率很高，但它们非常不稳定。至关重要的是，这些电池永远不会被过度充电或排放，需要使用电压和当前调节器。在本研究论文中，我们将借助Node MCU监视车辆的各个方面，例如电流，电压，SOC和温度，这是启用Wi-Fi的Microchip，该微芯片将将数据或关键参数发送到服务器，这是这样说的，因此我们可以通过这种方式来监视这些参数，并从任何地方监控这些参数并监视电池健康。
对MOF吸收在羟基化和非羟基化金属氧化物表面上吸收的第一原理研究及其对MOS2原子层沉积的影响
对二维过渡金属二核苷的显着兴趣已通过可伸缩的蒸气相，例如化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）进行了许多实验研究。ALD通常允许较低的沉积温度，化学前体的成核需要与表面官能团的反应。用于研究ALD建模的一种常见的第一原理方法是计算提出的反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度功能理论（DFT）计算了部分电荷密度，状态（LDO）的局部密度（LDOS），不良电荷分析，吸附能和电荷密度差，以研究MOF 6在包括Al 2 O 3，HFO 2，HFO 2和MGO在内的三个氧化物表面上MOF 6的成核。我们的发现表明，羟基（OH）有助于降低MOF 6的前半循环期间的反应屏障，并促进氧化物底物上前体的化学吸收。这一发现得到了高离子MF X（M =金属，X = 1，2，3）在氧化物表面的键的支持。通过比较有和没有羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。