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World File Search System电荷泵
辐射和对辐射敏感的晶体管的自发退火，门氧化物厚度为400和1000 nm
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。
SM2597.PDF-传感器和材料
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。
集成自偏置电源的设计...
1 硕士技术学者，2 助理教授 1&2 电子与通信工程系，1&2 Shri Ram 工程与管理学院，Banmore Gwalior，印度 摘要：最近，AC-DC 电力电子技术变得越来越高效和具有成本效益，但总有改进的空间。本研究论文涉及 APFC 恒流降压型开关电源中集成自偏置电源的设计和分析。它提出了一种有源功率因数校正 (APFC) 低侧恒流降压型 SMPS IC 中的集成自偏置 VCC 电源，该电源没有外部磁芯和铜线绕组。使用低侧恒流降压转换器的 7W LED 驱动器对设计的电路进行了评估和验证。实验结果表明，基于所提方案的 IC 具有出色的效率、EMI 性能并且功耗更低。所提出的电源电路的应用也可以扩展到其他转换器，例如降压、降压-升压、反激和 Zeta。索引术语 - APFC 低侧 CC 降压转换器、自偏置 VCC、电荷泵单元。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
具有高性能的单芯片双向神经接口...
摘要 — 单芯片双向脑机接口 (BBCI) 通过同时进行神经记录和刺激来实现神经调节。本文介绍了一种原型 BBCI 专用集成电路 (ASIC)，该集成电路由 64 通道时分复用记录前端、面积优化的四通道高压兼容刺激器和支持同时进行多通道刺激伪影消除的电子设备组成。刺激器电源集成在芯片上，通过谐振电荷泵从低压电源提供 ± 11 V 的顺从电压。高频 (∼ 3 GHz) 自谐振时钟用于减少泵送电容器面积，同时抑制相关的开关损耗。基于 32 抽头最小均方 (LMS) 的数字自适应滤波器可实现 60 dB 的伪影抑制，从而实现同时进行神经刺激和记录。整个芯片采用 65 纳米低功耗 (LP) 工艺，占地 4 平方毫米，由 2.5/1.2 V 电源供电，记录时功耗为 205 µ W，刺激和消除后端功耗为 142 µ W。刺激输出驱动器在最大输出功率为 24 mW 时可实现 31% 的直流-直流效率。
BQ41Z90 高度集成的 3–16 节电池电量监测计，具有 IT-DZT 算法和 ECC 认证功能 数据表 (Rev. A)
• 高度集成的电池组管理器，适用于 3 至 16 节串联电池应用 – 超低功耗 32 位 RISC 处理器 – 最多可对 16 节串联电池进行 ADC 测量，容差为 80V – 高精度 SoC 和 SoH，具有动态 Z Track ™ 测量算法 – 基于证书的安全保护闪存 • 带有两个独立 ADC 的精密模拟前端： – 高精度 18 位积分 delta-sigma 库仑计数器 – 带有输入转换和多路复用器的高精度 16 位 delta-sigma – 支持同时进行电流和电压采样 – 支持最多八个外部热敏电阻测量和一个内部温度传感器 • 强大的高端 NMOS FET 驱动器，具有快速开启和关闭时间 • 电荷泵支持预充电和预放电 NMOS FET 驱动器 • 并联配置支持可拆卸电池，带有独立的充电器和系统端口 • 电池平衡支持每节电池高达 50mA 的旁路电流 • 诊断寿命数据监视器和记录器 • 多主机通信支持：– I 2 C（高达 1MHz） – SMBus 3.2（高达 1MHz）• 多种电源模式，实现低静态电流运行• SHA-1、SHA-2 或 EC-KCDSA 身份验证，确保电池组安全
PLL 中的抖动功率权衡
I. 引言 锁相环 (PLL) 抖动问题表现在各种系统中，特别是在通信和数据转换器中。近年来，有几种趋势导致了对低抖动的需求。首先，更高的数据速率使得链路中大多数阶段的时序预算收紧。其次，有线和无线媒体中可用的带宽有限，需要采用频谱高效的调制方案，这进一步限制了时钟和本地振荡器 (LO) 生成中可容忍的抖动。第三，随着模数转换器 (ADC) 以更高的速度和分辨率为目标，其采样时钟抖动必须相应下降。最先进的 PLL 设计已经在 5.5 GHz 至 16 GHz 频率下实现了 50 至 75 fs rms 范围内的抖动值 [1]–[6]。先前的研究 [7]–[10] 已经研究了 PLL 中的抖动现象。本文的目的是制定 PLL 抖动和功耗之间的权衡，并预测前者降低到 10 fs 以下时的设计问题。通过扩展 [11] 中的工作，我们得出了表明未来面临巨大挑战的趋势。第二节概述了当今理想的抖动值，第三节介绍了我们的分析框架。第四节讨论了振荡器相位噪声的影响，第五节还考虑了参考贡献。第六节涉及电荷泵 (CP) 噪声。第七节和第八节分别分析了抖动对 ADC 的影响以及可以减轻抖动功率权衡的因素。
CIS 堆叠技术
灵敏度 - 数字成像 - 像素 - 量子效率 - 复位 - 正向偏置 - 区域板 - 通道电位 - 全帧成像器 - PPD - 采样频率 - 光子散粒噪声 - VGA - 产量 - 暗固定模式噪声 - 反向偏置二极管 - 收集效率 - 逐行扫描 - 动态范围 - 薄膜干涉 - 固定光电二极管 - 光谱灵敏度 - 饱和电压 - 双线性成像器 - 光子传输曲线 - 行间传输图像传感器 - 电荷耦合器件 - 微透镜 - 暗电流散粒噪声 - E SD - 条纹滤波器 - 数码相机 - 拼接 - 高斯分布 - 硅 - 热噪声 - 传感器结构 - 亮度 - 浮动扩散放大器 - 转换因子 - 闪烁 - MOS 电容 - 辐射单位 - 移位寄存器 - 带隙 - 黄色 - 补色 - 光电门 - 列放大器 - 纹波时钟 - 反转层 - CMOS 成像器 - 对数响应 - 普朗克常数 - 电荷泵 - 阈值电压 - 埋通道 CCD - 暗电流 - 噪声等效曝光 - MSB - 转换因子 -缺陷像素校正 - 边缘场 - 分辨率 - 双相传输 - 正透镜 - 角响应 - PRNU - 波长 - 帧传输成像器 - 电荷注入装置 - 测试 - 通道定义 - 摄像机 - 光晕 - 隔行扫描 - 彩色滤光片 - 自动白平衡 - 虚拟相位 - 拖尾 - 单斜率 ADC - 表面电位 - 耗尽层 - 垂直防光晕 - 多相钉扎 - 电子快门 - PAL - 埃普西隆 - 相关双采样 - 蓝色 - CIF - 洋红色 - 填充因子 - 延迟线 - 线性响应 - 规格 - 结深 - 复位噪声 - 线性图像传感器 - 光学低通滤波器 - 二氧化硅 - 光电二极管 - 勒克斯 - 闪光 ADC - 定时抖动 - 拥有成本 - 封装 - 光刻 - 有源像素传感器 - DSP - 积分时间 - 三相传输 - 光子通量 - 晶圆级封装 - 电荷泵 - 滤光轮 - 有效线时间 - 吸收深度 - 玻尔兹曼常数 - 弱反转 - LSB - 水平消隐 - 光栅滤波器 - 帧抓取器 - 原色 - 拜耳模式- 缩放 - 功耗 - 单色仪 - 模拟数字转换 - 光固定模式噪声 - 无源像素传感器 - 彩色棱镜 - SGA - 氮化硅 - 温度依赖性 - 负透镜 - sigma delta ADC - 混叠 - 插值 - 传输效率 - F 数 - 红色 - 动态像素管理 - 栅极氧化物 - 热漂移 - 热噪声 - 扩散 MTF - 有源像素传感器 - 泄漏器 - 1/f 噪声 - 青色 - 信噪比 - 孔径比 - 奈奎斯特频率 - 非隔行扫描 - 像素内存储器 - 四相传输 - 技术 - kTC 噪声 - 辐射损伤 - 离子注入 - MOS 晶体管 - 内透镜 - 光度单位 - 表面通道 CCD - 延时和集成成像器 - 宽高比 - 绿色 - NTSC - 单芯片相机 -可见光谱 - 调制传递函数 - 同步快门 - 马赛克滤光片 - 背面照明 - 色彩串扰 - 量化噪声 - 逐次逼近 ADC - 压缩 - 漏极 - 多晶硅 - 堆叠 - 光子转换 - 飞行时间 - 吸收系数 - DIL - 收集体积 - 孔 - 四线性成像器 - 单相传输 - 填充和溢出 - 收集效率 - 垂直消隐 - 源极跟随器 - 雪崩倍增 - 辐射 - 横向防晕 - 晶圆上测试 - 自感场 - 自动曝光 - 泊松分布 - 电荷复位 - 伽马
DRV8705-Q1汽车H桥智能门驱动器具有低侧电流感官放大器数据表（Rev. b）
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格： - 温度1级：–40°C至 +125°C，T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V（40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚（DRVOFF） - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉（nforts Intrump PIN）
汽车高压电池管理系统 2-...
• 符合 AEC-Q100 汽车应用标准 – 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 文档可帮助 ISO26262 系统设计达到 ASIL C • 高度集成的引爆管驱动器设计，针对汽车 EV 火药保险丝应用 – 电源、电流调节、诊断和安全功能的集成 – SPI 或基于硬件引脚的触发，提供灵活的接口选项和快速的触发反应 – 诊断功能，用于系统能量储存器电容器和引爆管健康监测 – 内置自检和诊断功能，用于电源、接口、驱动器和监视器 – 通过冗余电源、低侧和高侧驱动器以及二次监视逻辑实现可靠运行的架构 • 高达 28V（绝对最大值 40V）的工作电压 • 紧凑型 HVSSOP-28（DGQ）引线封装 • 两线负载接口，带有受保护的电流控制高端和受保护的二次低端开关 • 集成电荷泵，可将 MOSFET 压降降至最低• 4 线、可寻址、24 位 SPI，带 CRC 保护 – 允许多个设备在同一个 SPI 上运行 – 允许向多个设备广播命令。 • 可配置部署电流（1.2A，2ms；1.75A，0.5ms；最高 3.4A，0.5ms） • 可配置部署接口选项 – 带 PWM 或电平信号的 2 针 HW 触发器 – 带 CRC 的受保护 SPI 命令 • 全面的关断状态诊断 – 设备内置自检 – 驱动器输出和开关测试 – 接口测试 – 储能电容器测试 – 爆管电阻测试 • 可配置故障指示器 (nFAULT)