p1.1 2d Andreas BeerUniversitätRegensburg接近性诱导的交换交互和动态电荷转移在Mose2/Crsbr van-der-waals异质结构带有正交旋转纹理
静电放电(ESD)可以定义为在接近度不同或通过直接接触的不同静电电位的体之间的电荷转移。当两个物体具有不同的电荷颗粒(正和负)时,电荷从一个身体转移到另一个身体。
摘要 — 现代神经调节系统通常提供大量的记录和刺激通道,这降低了每个通道的可用功率和面积预算。为了在面积限制越来越严格的情况下保持必要的输入参考噪声性能,斩波神经前端通常是首选方式,因为斩波稳定可以同时改善(1/f)噪声和面积消耗。现有技术中,通过基于输入电压缓冲器的阻抗增强器解决了输入阻抗大幅降低的问题。这些缓冲器对大型输入电容器进行预充电,减少从电极吸取的电荷并有效提高输入阻抗。这些缓冲器上的偏移直接转化为电荷转移到电极,这会加速电极老化。为了解决这个问题,提出了一种具有超低时间平均偏移的电压缓冲器,它通过定期重新配置来消除偏移,从而最大限度地减少意外的电荷转移。本文详细介绍了背景和电路设计,并介绍了在 180 nm HV CMOS 工艺中实现的原型的测量结果。测量结果证实,发生了与信号无关的缓冲器偏移引起的电荷转移,并且可以通过所提出的缓冲器重新配置来缓解这种电荷转移,而不会对输入阻抗增强器的操作产生不利影响。所提出的神经记录器前端实现了最先进的性能,面积消耗为 0.036 mm2,输入参考噪声为 1.32 µV rms(1 Hz 至 200 Hz)和 3.36 µV rms(0.2 kHz 至 10 kHz),功耗为 13.7 µW(1.8 V 电源),以及 50 Hz 时的 CMRR 和 PSRR ≥ 83 dB。
我们提出了一种高度可扩展的方法来计算驱动导体中的电荷转移统计数据。该框架可应用于非零温度、强耦合到终端以及存在非周期性光物质相互作用的情况,远离平衡。该方法将所谓的介观引线形式与完整计数统计相结合。它产生了一个广义量子主方程,该方程决定了电流波动的动态和电荷交换概率分布函数的高阶矩。对于一般的时间相关二次汉密尔顿量,我们提供了闭式表达式,用于计算系统、储层或系统-储层相互作用参数的非微扰状态下的噪声。通过访问电流及其噪声的完整动态,该方法使我们能够计算非平衡配置中电荷转移随时间的变化。动态表明,在驱动系统中,平均噪声应在操作上谨慎定义所涵盖的时间段。
对自动离网设备的需求导致了诸如“ Photobatteries”之类的设备的开发,这些设备将光能收获和电化学能源存储整合在同一架构中。尽管最近报告了几种光生化学和设计,但对光电子和反电极之间电荷转移所需的物理条件的见解很少。在这里,我们使用具有染色敏化的Tio 2光电极,三碘化物(I - /I 3-)天主解和具有不同插入电位的阳极来确认光电在传导频带quasi-fermi水平(e fc)的定位时,我们只有可行的插入,我们使用染色器2光电极(I - /I 3-)天主教徒和阳极的位置。我们还表明,如果电池和太阳能电池的电压不匹配,电池充满电后充满电后的寄生反应可以加速。在相同的光磁盘中多种阳极的整合确保了良好的测量条件,使我们能够明确地证明光片中电荷转移所必需的物理条件,这是现场有争议的主题。
摘要:随着单原子引入光催化,基底电子和几何结构的微小变化可以带来更高的能量转换效率,而其背后的微观动力学却很少被阐明。本文采用实时时间相关密度泛函理论,探索了微观尺度上单原子光催化剂(SAPC)在水分解中的超快电子和结构动力学。结果表明,与传统光催化剂相比,负载在石墨相氮化碳上的单原子Pt大大促进了光生载流子,并有效地将激发电子与空穴分离,延长了激发载流子的寿命。灵活的氧化态(Pt 2+ 、Pt 0 或Pt 3+ )使单原子作为活性位点来吸附反应物并在光反应过程的不同阶段作为电荷转移桥催化反应。我们的研究结果为单原子光催化反应提供了深刻的见解,并有利于高效SAPC的设计。关键词:单原子光催化剂、热电子/空穴电荷转移、超快载流子和结构动力学、时间相关密度泛函理论、水分解
Lin、Hong-Ji Lin 和 Chien-Te Chen,“由于自旋极化电荷转移,磁铁矿纳米粒子的碳封装可增强室温下的磁性”,应用物理快报 118,072403 (2021)。 1.1.3 Jiann-Shing Lee*、Yuan-Jhe Song、Hua-Shu Hsu、Chun-Rong Lin、Jing-Ya Huang 和 Jiunn Chen*,“碳包覆磁铁矿纳米粒子的磁性增强”,合金与化合物杂志 790, 716-722 (2019) 1.1.4 Jiunn Chen*、Hua-Shu Hsu、Ya-Huei Huang、Di-Jing Huang,“磁铁矿中自旋相关的光学电荷转移来自透射光磁圆二色性”,物理评论 B 98, 085141 (2018) 1.1.5 Jiunn Chen*、Yi-Shao Lai、Yi-Wun Wang、CR Kao,“Al-Cu 金属间化合物生长行为研究”,微电子可靠性 51, 125-129 (2011),(邀请论文) 1.1.6 HS Hsu*、PY Chung、JH Zhang、SJ Sun、H. Chou、HC Su、CH Lee、J. Chen 和 JCA Huang “Observation of bias-dependent low field positive magneto-resistance in Co-doped amorphous carbon films” Applied Physics Letters 97, 032503 (2010).
1。HU-491T管理部门2。MA-491T操作研究3.CY-491T电荷转移在等离子体4中。HU-493T心理学简介5。CY-401T聚合物材料及其应用6 PH-419T未来派材料7。pH-429T材料不完美和应用8。HU-402T工程经济学9。HU-409T经济学中的定量方法10。HU-407T外贸贸易上述列表需要扩展/修改。部门选修课清单