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2024 IEEE自定义集成电路会议（CICC）21
3:50 pm 11-6：70-通道频率频率的每通道冷冻-CMOS IC的7.4μW和860μm²，半导体Qubits的μs读取“ Quentin Schmidt先生（法国）1，Brian Martinez（France）1，Thomas Houriez（France）（France）1，France）1，Brian Martinez先生（France）。 （法国）1，Aloysius Jansen博士（法国）2，Xavier Jehl博士（法国）2，Tristan Meunier博士（法国）3，GaëlPillonnet博士（法国）1，GérardBilliot（法国）1，法国先生（法国）1，Adrien Morel（法国）4，France（France）（France）（France）5，France）5，5，France）5，5，5，France），5，5大学。Grenoble Alpes，CEA，Leti，F-38000 Grenoble，法国，2。大学。Grenoble Alpes，CEA，Pheliqs，F-38000 Grenoble，法国，3。Quobly，F-38000 Grenoble，法国；大学。Grenoble Alpes，CNRS，Institut Neel，F-38000 Grenoble，法国，4。Symme，Univ。Savoie Mont Blanc，法国Annecy，5。大学。Grenoble Alpes，CEA，List，F-38000 Grenoble，法国）
电子电路 II – SECA1401
理想放大器将提供稳定的输出，该输出是输入信号的放大版本。但是，由于设备参数变化或环境温度变化以及设备的非线性，实际放大器的增益和稳定性并不是很好。可以通过反馈技术避免此问题，其中将输出信号的一部分反馈到输入并与输入信号相结合以产生所需的输出。反馈可以是负的（负反馈）或正的（正反馈）。在负反馈中，输出信号的一部分从输入信号中减去，在正反馈中，输出信号的一部分添加到输入信号以产生所需的输出。负反馈在几乎所有放大器偏置电路的稳定中都起着非常重要的作用，它使静态点的位置变得稳定。因此，它可以保持放大器增益值不受温度变化、电源电压等的影响。反馈可分为两种类型。
标准电路Explorer的副本第4-6th
●从证据中参与论证：当学生测试他们的电路设计时，他们可以根据其结果来辩论不同配置的有效性。●构建解释和设计解决方案：课程的动手性质使学生可以为他们的发现和设计解决方案构建解释，以应对电路挑战。
超导电路中的量子信息和量子光学
超导量子电路是开发可扩展量子计算机最有前途的解决方案之一。超导电路采用超导制造技术和微波技术制造而成，尺寸从几微米到几十米不等，在低温下表现出叠加和纠缠等独特的量子特性。本书全面、完整地介绍了超导量子电路的世界以及它们在当前量子技术中的应用。作者首先描述它们的基本超导特性，然后探讨它们在量子系统中的应用，展示它们如何模拟单个光子和原子，并最终在高度连接的量子系统中表现为量子比特。特别关注这些超导电路在量子计算和量子模拟中的前沿应用。这本通俗易懂的教材是为研究生和初级研究人员编写的，包含大量家庭作业和例题。
Microlens在光子整合电路上的集成
在本文中，我们讨论了3个示例，其中微透镜可以成为解决光纤阵列和光子积分电路（PIC）之间耦合挑战的有用工具。这项工作中使用的（阵列）通过光孔反射方法实现了（可以单层集成在PIC的背面，或者可以单独地集成在PIC的后侧，或者可以在PIC的设备侧安装。第一个示例涉及在感应图片的背面蚀刻的硅微透镜（在C波段中运行），目的是用于放松的对齐公差，并使设备侧没有接口纤维。第二个示例涉及实施4毫米长的工作距离扩展的梁（30 µm模式场直径，C型波段）界面，用于电信/数据量应用程序，该应用程序也极大地放松了PIC上的GRATINAL耦合器和A纤维阵列之间的横向和纵向对齐公差。最终示例涉及在这个长的工作距离扩展的梁界面中的隔离器的集成。隔离器堆栈由偏振器（0.55 mm厚），非重生法拉第旋转器（485 µm厚的薄膜闩锁Faraday旋转器）和半波板（HWP，91 µm石英）组成。我们获得了宽带操作，表现出非常低的（1至1.5 dB之间）的插入损失和良好的灭绝比（17至20 dB之间）C波段（约1550 nm）
最坏情况电路分析申请准则-DTIC
6.0 WORST CASE CIRCUIT ANALYSIS (WCCA) EXAMPLES .......................... 65 6.1 Digital Circuit Example .......................................................................................... 65 6.1.1 General Circuit Description ......................................................................... 65 6.1.2 Overview Of Theory Of Operation ............................................................ 68 6.1.3 Critical Timing参数................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... ........................................................................................... 77 6.2.2模拟零件数据库................................................................................................................................................................. ....................................................................... 79 6.2.4.2 Root-Sum-Squared Analysis ............................................................. 80 6.2.5 Monte Carlo Analysis ................................................................................... 85 6.2.6 Analog Circuit Conclusions ......................................................................... 87
2024 IEEE 定制集成电路会议 (CICC) 21
3:50pm 11-6：每通道 7.4μW 和 860μm² 的冷冻 CMOS IC，用于半导体量子位的 70 通道频率复用 μs 读出 » Quentin Schmidt 先生（法国）1 、Brian Martinez 先生（法国）1 、Thomas Houriez 先生（法国）1 、Baptiste Jadot 博士（法国）1 、Dr. Aloysius Jansen (法国) 2 , Xavier Jehl 博士 (法国) 2 , Tristan Meunier 博士 (法国) 3 , Gaël Pillonnet 博士 (法国) 1 , Gérard Billiot 先生 (法国) 1 , Adrien Morel 博士 (法国) 4 , Yvain Thonnart 博士 (法国) 5 , Franck Badets 博士（法国）1 (1.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，Leti，F-38000 格勒诺布尔，法国，2. 大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，PHELIQS，F-38000 格勒诺布尔，法国，3. Quobly，F-38000 格勒诺布尔，法国；大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CNRS，尼尔研究所，F-38000 格勒诺布尔，法国，4. SYMME，大学。萨瓦勃朗峰，安纳西，法国，5.大学。格勒诺布尔阿尔卑斯，CEA，List，F-38000 格勒诺布尔，法国）
