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World File Search System电阻率
新型非常规超导体UTe2 的单晶生长方法研究进展
度变化。数据来源于文献[1]。图2。第一个发现UTE 2超导率：（a）电阻率的温度依赖性； （b）低温特异性热数据的电贡献的温度依赖性。数据取自参考。[1]。
在渔船上安装太阳能制冷机
纳米材料具有独特的性质，例如高表面积、增强的反应性以及可调的物理和化学特性，并且在重金属检测方面显示出巨大的潜力。特定功能化的量子点可与特定分析物结合。特定的结合能力会引起电子特性的变化，从而引起传感器基质的化学电阻响应。从这个角度来看，开发了一种与汞离子结合的传感器基质。然后将该传感器基质印刷在条带上，以便能够测量条带暴露于分析物（甲基汞）时电阻率的变化。可以使用掌上设备测量电阻率的变化，该设备显示水样中的汞污染水平。在掺有甲基汞的真实水样以及鱼血样本中测试了污染水平。
GNP/Ag可拉伸导电墨水对电导率的影响
这项研究旨在开发和制定高度热的石墨烯杂交导电墨水组合石墨烯纳米颗粒（GNP），银片（AG）和乙酸银（SA），作为与化学和有机溶剂混合的导电填充剂。具有改进的性质，它克服了传统材料的局限性，同时保留其有益特征。研究评估了材料对环境因素（例如温度和湿度）的响应的电阻率和特性如何影响其在各种应用中的性能。为了开发高度热的石墨烯杂交导电墨水，使用石墨烯纳米颗粒（GNP），银片（AG）和乙酸银（SA）作为有机溶剂混合的导电填充剂，使用石墨烯纳米颗粒（GNP），银片（AG）和银片制定了新的导电墨水。为了将一批物质变成粉末，它们被超声处理，然后搅拌以形成混合物成粉末。在250oC固化1小时之前，将粉末滴入有机溶剂，1-丁醇和萜醇，然后使用思想搅拌机混合以形成糊状。使用网状模具，将GNP混合糊印在铜基板上。使用刮板，将混合GNP糊剂应用于底物条的三个选定点上的选定网格（3mm x 3mm）。为了评估性能，将混合GNP导电墨水的电阻率设置为基线，并将其与在不同温度 - 湿度水平不同的电阻率读数进行了比较。这意味着混合导电墨水具有良好的热稳定性。GNP混合室温基线和施用不同温度湿度后的GNP混合动力均以电气和机械性能进行比较。随着温度升高，样品的所有点的平均电阻率测量值保持稳定或降低。它表明，随着温度 - 湿度的增加，墨水的电导率显着降解。这表明墨水能够在一定温度范围内维持其结构完整性和特性。未来的工作应调查在机械变形下改善墨水性能的策略，例如使用添加剂或新颖的印刷技术。
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
半导体微电子和纳米电子项目
NIST的前身国家标准局（NBS）于20世纪50年代中期开始工作，以满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在20世纪60年代初，该局向美国材料与试验协会（ASTM）和（美国）电子工业协会（EIA）寻求行业指导。ASTM的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS科学家开发了一种实用的非破坏性方法，其精度是以前破坏性方法的十倍。该方法为五项工业标准和广泛用于校准工业测量仪器的电阻率标准参考材料奠定了基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机制。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
PdTe2单晶中具有角度依赖性的量子振荡
(0) m AT = + 数据。(b) 施加磁场 H =1 kOe 测得的沿 ab 平面 ab（红色）和 c 轴 c（蓝色）的磁化率与 T 的依赖关系。(c) 指定温度下的横向磁阻 MR ab；(d) 使用图 (c) 中的数据生成的科勒缩放图。实线是科勒形式与数据的拟合。(e) 在 2 K 下，对于 H // c 和 H // ab 之间的各种角度（角度在插图中定义），最高 35 T 的 MR ab 。红线表示 10 T 以上的数据与幂律 MR H 的拟合。插图：指数 κ 的角度依赖性。(f) 图中所示温度下测得的霍尔电阻率 (ρ H ) 和相应的方程 (2) 拟合值（红线）。插图：25 K 时的霍尔电阻率显示符号变化。
在 300 毫米玻璃晶圆上大规模制造表面离子阱
由于其优异的介电性能，玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率（5000 Ω·cm）硅衬底（20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5）相比[24]，本文采用的玻璃衬底（Corning SGW 8.5）在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025，体积电阻率为 10 10 Ω·cm（数据可从产品信息表获得）。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层，并使制造程序变得更加简单。此外，透明玻璃（波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%）可以使光的传输和收集更加灵活，例如，通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料（如蓝宝石和石英）相比，玻璃不仅成本低，而且可制造性更先进，可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
AEM 数据的认知三维地质体素建模方法
摘要 航空电磁 (AEM) 数据已被证明可用于近地表地质测绘，而且在世界范围内收集的数据越来越多。然而，将测量的电阻率数据转换为岩性数据并不是一件简单的任务。因此，充分利用这些数据仍然具有挑战性。在进行成功的地质解释和构建合理的 3D 地质模型之前，必须考虑许多限制。在本文中，我们提出了一种对 AEM 数据进行 3D 地质建模的方法，其中将这些限制与认知和知识驱动的数据解释一起考虑。建模是通过使用体素建模技术和为此目的开发的工具迭代执行的。基于 3D 电阻率网格，这些工具允许地质学家选择定义 3D 模型中任何所需体积形状的体素组。八叉树建模的最新发展确保使用有限数量的体素进行精确建模。