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World File Search System电阻率
使用聚合物作为抑制层的二氧化钌薄膜的低温区域选择性原子层沉积
与其他过渡金属氧化物相比，RuO 2 具有独特且有前途的性能。RuO 2 因其卓越的异相催化 [1] 和电催化 [2] 能力而闻名。它是一种导电性极强的氧化物（≈ 35 µΩ cm），电阻率与钌金属相当。这种材料的化学和热稳定性增加了它的吸引力。此外，钌的稀缺性和高成本要求我们了解 RuO 2 的微观特性。[3] RuO 2 薄膜具有低电阻率、优异的扩散阻挡性能、高温稳定性和耐化学腐蚀性，在大规模集成电路中有着广泛的应用。[4,5] 除了 Ru 之外，RuO 2 还可用作铜沉积的种子层。 [6,7] 它具有比 Pt 更好的蚀刻能力，这意味着 RuO2 可以借助 O2/CF4 放电中的反应离子蚀刻 (RIO) 轻松图案化。[8] 最近还有研究表明，RuO2 可以作为下一代 Ru 基互连中 Ru 扩散的优异阻挡层。[9]
带有普朗克散射的电子遵守标准轨道...
a）库酸盐ND-LSCO的示意性温度掺杂阶段，显示了pseudoGap阶段（PG）[11]，零场中的超导相（SC），电荷密度波区域（CDW）[12,13] [12,13]，与奇怪的金属行为（SM）大致不同，与Fermi-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu-liqu cerprion（fl）不同。b）在磁场b = 16 t中，平面电阻率𝜌（𝐽∥𝑎）的温度依赖性与氧化铜平面（𝐵∥𝑐）（对于我们的三个丘陵样品），所有这些样品都具有掺杂p = 0.24：nd-lsco（红色）； LSCO S1（绿色）; LSCO S2（蓝色）。这三个表现出在T〜70 K下方的完美t线性依赖性，其斜率非常相似。在20-70 K（虚线）间隔中从线性拟合中推断出的残余电阻率分别为𝜌0 = 28、12和48 𝜇Ω cm。在10 K以下的下降至零是由于超导性，在此相对较低的场上并非完全抑制。
发射温度对激发接触的APCVD Poly-SI特性的影响
摘要。我们证明了由大气压化学蒸气沉积制造的硼掺杂的多晶 - 硅质（poly-si），以形成驱动的钝化接触。层有关其结晶石尺寸，电阻率和钝化特性的不同层层。从X射线衍射测量值中，定量得出的结论是，较高的射击峰温度会增加poly-SI的结晶石尺寸，最高为10 nm。这种结晶石尺寸的变化与电阻率成反比，这对于更高的发射温度而言大大降低。对于较薄的聚-SI层和较高的射击温度，发现较高的隐含开路电压（IV OC）和较低的饱和电流密度（J 0），这很可能是由于从SIN X：H层到界面氧化物的氢扩散时间差异。尽管没有观察到（p）poly-si的水泡，但在高点火温度下，sin x：h层的水泡> 900°C会损害薄层的钝化。实现了708 mV的最大IV OC和〜12 fa/cm 2的最小J 0。
基于质子的化学物质水溶液
的回忆设备，电阻取决于应用电信号的历史的电元素，是未来数据存储和神经形态计算的领先候选者。回忆设备通常依赖于固体技术，而水性回忆设备对于生物学至关重要 - 相关应用，例如下一代 - 一代大脑 - 机器接口。在这里，我们报告了一个简单的石墨烯 - 基于水的水性设备，具有长期和可调的内存，由可逆电压调节 - 诱导的界面酸 - 通过通过石墨烯选择性质子渗透来启用的基本平衡。表面 - 特异性振动光谱验证了石墨烯电阻率的记忆是否来自通过石墨烯的滞后质子渗透而产生的，这显然是从石墨烯/水界面上界面水的重组。质子渗透会改变石墨烯CAF 2底物上的表面电荷密度，从而影响石墨烯的电子迁移率，并引起突触 - 例如电阻率动力学。结果为开发实验性直发和概念简单的基于水解的神经形态电离的方式铺平了道路。
Fe3O4/氧化石墨烯的电性能分析...
在这个全球化时代，社会的需求随着技术进步而继续增加。技术越复杂，对电力和能源存储的需求就越高。当今广泛使用的储能介质是锂电池。但是，由于锂电池的价格很高，因此克服锂电池高价的解决方案是用碳基材料（例如氧化石墨烯）代替锂电池电极。氧化石墨烯可以由生物量废物制成，其中之一是玉米棒垃圾。是使用修改后的鹰嘴豆法合成的，并与Fe 3 O 4纳米颗粒合成，该纳米颗粒由三种组成变化组成，即20％：80％； 30％：70％；和40％：60％。fe 3 O 4 /使用LCR计对氧化石墨烯纳米复合材料进行表征。使用LCR计的表征数据结果获得了每次比较Fe 3 O 4 /氧化石墨烯氧化物纳米复合材料的电阻率值，即1.65 x 105Ω.m，1.25 x 105Ω.m和5.85 x 104Ω.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.m.Fe 3 O 4/氧化石墨烯纳米复合材料的电导率值分别为6.09 x 10 -6 s/m，8.07 x 10 -5 s/m和1.72 x 10 -5 s/m。Fe 3 O 4 /氧化石墨烯纳米复合材料的电容值分别为1.96 x 10 -7 F，2.55 x 10 -7 F和4.30 x 10 -7 f。在20％的比例中发现了Fe 3 O 4 /石墨烯氧化物纳米复合材料的最大电阻率值：80％组成变化，Fe 3 O 4 /氧化石墨烯氧化物纳米复合材料的电导率和电容值的比例为40％：60％组成的比率。随着Fe 3 O 4组成的增加，电导率和电导值增加，但电阻率值降低。
使用自电位表面 (SPS) 进行洞穴探测......
1 degéomagnétisme，瑞士大学，瑞士，marcus.gurk@unine.ch 2中心D'Hydrogéologie，瑞士大学，瑞士大学，弗兰克（Frank.bosch.bosch.bosch.bosch.bosch@unine.ch exprient for Selferation for Selferation for Selferation for Selferation forefface facee）火山区。前提是满足了两个条件，他们在实验上发现了负自力（SP）异常的范围与不饱和区域的厚度之间的线性关系。第一个条件是不饱和区域的电阻率与底层和水饱和区的电阻率之间的强对比度。第二条件是不饱和区域的同质性。SP地图的定性解释表明，最大负值的线对应于排水轴和两个分水岭之间边界的最小负值线（Jackson＆Kauahikaua（1987））。我们期望类似的条件在碳酸盐含水层中有效。尤其是在karstic洞穴中，空气层产生的电阻率对比必须很重要，因此SPS技术可用于检测这些结构。是由这一假设的动机，与水文地质学中心Neuchâtel（Chyn）进行了实验。2调查区域实验实验是在Vers-Chez-Le-Brandt（Bosch＆Gurk，2000年）的洞穴上进行的，该实验是在法国附近的瑞士Jura Mountains，CantonNeuchâtel的折叠式石灰石中进行的（图。1）。在该地区中生代石灰石和泥浆中，被薄薄的季节沉积物覆盖。洞穴的发展为腔/阿格维亚上喀布尔的石灰石的方向约为N140°（图2），长度约为260m。该序列的泥土层允许开发一条小的地下河。构造特征（例如断层）在洞穴内可见（Müller，1981）。这些罢工方向与瑞士折叠的jura中控制压裂和凸出的局部应力参数（主剪切= N0°，σ1= N130°-N150°，σ2= N40°-N50°）。
线粒体在与Desmin突变相关的心肌病的发展中的关键贡献
摘要：异质性超导性发作是Cuprate和基于铁的家族的高-T C超级导管的常见现象。它是由从金属到零抗性状态的相当广泛的过渡表现出来的。通常，在这些强烈的各向异性材料中，超构型（SC）首先显示为孤立域。这会导致t c以上的各向异性过量电导率，并且传输测量值提供了有关样品内部深处的SC结构域结构的宝贵信息。在大量样品中，这种各向异性SC发作给出了SC晶粒的平均形状，而在薄样品中，这也表明SC晶粒的平均大小。在这项工作中，在各种厚度的FESE样品中，测量了层中的和内层的电阻率。为了测量层间电阻率，使用FIB制造了跨层的FESE MESA结构。随着样品厚度的降低，观察到超导过渡温度T C的显着增加：T C在厚度〜40 nm的微生物中从散装物质的8 K提高到12 K。我们应用了分析和数值计算来分析这些数据和早期数据，并发现了FESE中SC域的纵横比和大小与我们的电阻率和Diamamnetic响应测量相一致。我们提出了一种简单且相当准确的方法，用于估计各种小厚度样品中T C各向异性的SC域的长宽比。讨论了FESE中的nematic和超导域之间的关系。我们还将分析公式推广到异质各向异性超级导管中的电导率，以与两个具有相等体积分数的两个垂直方向的细长SC结构域的情况，对应于基于Fe的各种FE基超导体中的nematic结构域结构。
进行聚合物对最近的进展进行了全面综述
摘要：聚合物通常与绝缘子有关，世界上每个人都在学习不触摸磨损的电线，您可能会从暴露的导电金属线中受到冲击。我们都知道塑料不会导致电力，并且可以用来隔离电线并保护我们免受电流的侵害。我们大多数人都认为聚合物（塑料）可作为较重的结构材料（例如钢和木材）的轻重替换。传统上，它们被用作绝缘子，以防止电气导体产生电击。通常与绝缘子相关的聚合物可能是一个非常好的导体，这是一个非常出乎意料的发现，即可以使某些聚合物像金属铜一样有效地进行电流，这对许多人来说是一个惊喜，并获得了2000年诺贝尔化学奖。（该奖项授予Alan J. Heeger，Alan G. MacDiarmid和Hideki Shirakawa。）他们总是需要与离子成分的一些“求职”；但是，电阻率可能极低。聚合物等聚合物的可用性和低成本使导电聚合物的领域成为繁荣的行业。导电聚合物已进入许多其他字段索引项 - 聚合物，电导率，电阻率，掺杂，聚乙烯，聚苯胺。
基于无意辐射的脉冲 X 射线探测器
摘要 — 氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 是一种新兴的超宽带隙半导体，在辐射探测中的应用引起了广泛关注。在本文中，我们利用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在蓝宝石上生长的高电阻率非故意掺杂 (UID) ε-Ga 2 O 3 薄膜制造了超快 X 射线探测器。该探测器采用横向金属半导体金属 (MSM) 结构，在 100 V 时表现出 < 2 nA 的低暗电流，在 40 V 和 X 射线剂量率为 0.383 Gy/s 时其灵敏度高达 28.6 nC/Gy 或 ∼ 1 . 0 × 10 6 nC/(Gy · cm 3 )。在切换 X 射线照明下观察到探测器稳定且可重复的瞬态响应。此外，该探测器实现了全宽50 ns的脉冲X射线探测，其时间分辨率约为7.1 ns。这些结果表明，MOCVD生长的高电阻率UID ε-Ga 2 O 3薄膜在超快X射线探测方面具有巨大的潜力。