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World File Search System电阻率
Sharef-简介-EN-1.pdf
. 使用磁法和甚低频地面法以及无人机、感应极化 (IP)、自然电位 (SP)、电阻率成像 (ERT) 和电磁法 (vTEM) 进行矿物勘探地球物理调查。地球物理和地质调查和技术在地下水勘探、岩土现场研究、考古勘探、环境研究和地热能中的应用。
高率Picsecond光电探测器（HRPPD）程序
最大化耦合到外部读数板我最大程度地减少阳极厚度，同时保持机械稳定性通过探索材料，模式和电阻率来优化内部电阻阳极设计和测试像素化读数板的限制2。使用Gen-II LAPPD的10 cm×10 cm版本进一步优化探测器设计，
MIl-Handbook-263B-ESD.pdf
静电屏蔽。..., , ....静电。...........设备。ESD 保护处理。.......ESD 保护材料。......ESD 保护包装。.......ESD 敏感度 (ESDS) 分类。场感应模型。地面。.......处理或处理。硬地面。人体模型：1 1 感应。输入保护 1 I 绝缘材料。LRU。........部分。.......受保护区域。...保护性处理。保护性包装。保护性存储。.电阻率。....软土地基。....SRU。.......
数据表 - 99.5% Al2O3 高纯度氧化铝陶瓷...
@10MHz 9.58 9.92 10.20 @1000MHz 9.30 - - @8500MHz 9.37 9.61 9.82 耗散因数，tan @10MHz 0.00003 0.00009 0.00040 @1000MHz 0.00014 - - @8500MHz 0.00009 0.00014 0.00025 损耗因数，K l .tan @10MHz 0.00029 0.00089 0.00408 @1000MHz 0.00130 - - @8500MHz 0.00084 0.00135 0.00245 体积电阻率，ohm.cm: >10 14 2.0x10 11
C-V测量和双盒陷阱富含SOI底物的建模
高抗性（HR）硅在胰上石（SOI）底物，具有富含陷阱的（TR）层（图。1（a））广泛用于RF芯片。富含陷阱的层是一种捕获自由载体并因此消除盒子基底界面处的寄生通道的多层膜，使底物能够保留其高标称电阻率，从而导致较低的损失并改善线性性[1，2]。然而，捕集层中的部分结晶和杂质污染会影响局部电阻率，因此，RF性能[3]。为了解决这些问题，Uclouvain和Soitec提出了一种名为Double-Buried-Oxide（D-Box）TR底物的新结构，如图1（b）[4]。该结构在TR层下方结合了第二个薄氧化物（Box2），以防止TR层和硅基板之间的直接接触。在本文中，我们通过电容 - 电压（C-V）测量来表征D框结构。Box2的存在消除了整体耗竭层对C-V性能的影响，从而简化了分析。D-box结构还可以在晶圆级别表征TR层。
激光定向能量沉积制造高性能NbMoTa–Al2O3多层复合结构
摘要：传统的制备金属—陶瓷复合结构的方法，由于金属与陶瓷材料之间的热膨胀系数等性能差异，容易产生分层、开裂等缺陷。激光定向能量沉积（LDED）技术具有在成形过程中可以改变材料成分的独特优势，该技术可以克服成形复合结构时存在的问题。本研究利用LDED技术制备了多层复合结构，不同的材料采用各自合适的工艺参数进行沉积。先沉积一层Al 2 O 3 陶瓷，再沉积三层NbMoTa多主元合金（MPEA）作为单一复合结构单元。在φ20 mm×60 mm圆柱体上表面成形了由多个复合结构单元组成的NbMoTa–Al 2 O 3 多层复合结构试件，耐磨性较NbMoTa提高了55%。平行成形方向电阻率为1.55×10 − 5 Ω×m，垂直成形方向电阻率为1.29×10 − 7 Ω×m，成功获得了一种电各向异性的新型材料，本研究为智能材料及新型传感器的制备提供了实验方法和数据。
铬补偿的砷化甘氨酸传感器...
材料硅GAAS：CR CDTE平均原子重量14 32 50密度（g/cm3）2,33 5,32 5,32 5,85带隙（EV）1,12 1,43 1,5电阻率（OHM-CM） 480 400 100 𝜇𝜏电子> 1 1-5e-4〜1E-3孔> 1〜1e-4 1-4 1-10e-6稳定性（10分钟）<0.01％<0.1％<0.1％1％1-10％
MS8205能量转换的材料
课程的目的本课程是对高级材料处理的介绍，重点是微型/纳米电子。对于那些希望专门从事微电子设备制造的人来说，这是至关重要的。它也是第四年提供的更先进的微电子选修模块的先决条件。该主题包括基本半导体操作和设备物理学的简介。该课程涵盖了半导体技术的基础知识，从裸硅到成品。过程步骤包括散装晶体生长，氧化，扩散，离子植入，薄膜沉积，光刻和蚀刻。将突出显示从过程步骤中影响材料特性的因素。纳入最先进的半导体过程中的新材料。引入了光刻和膜沉积中的高级技术，以及先进的新型设备。预期的学习成果（ILO）在课程结束时，您应该能够：1。计算掺杂半导体的载体电阻率，电导率和载体浓度。2。解释掺杂浓度如何影响硅的电阻率，电导率和载体迁移率。3。解释典型的硅晶圆制造过程的目的，包括热
地下洞室的地球物理探测
abtract：在本文中，我们介绍了在洛林盐盆地和高级 - 荷马族杂质中选择的实验地点进行的地球物理研究的合成。这些研究是在使用高分辨率地震，微重力和电阻率的技术的伴有（科学和工业）研究计划（科学和工业）研究计划的框架内进行的。该研究的目的是三倍：（1）通过增强了每种技术的生成和优化的扫描和优化程序，以增强和优化P和S地震振动源，以定义特权应用程序领域，并定义有关地球体物理数据联合解释的一般站点（3）的一般环境（3）的限制。尽管数据的质量很高，但结果证明了腔体环境中地球物理反应的复杂性，这主要是由于分辨率和腔的比例深度/维度之间的妥协以及填充的性质（盐水，水，水，空气）的性质。在泥石雷矿山的情况下，相应的地球物理异常可以与根据档案记录所知的Marlpit的确切位置相关。钻探运动已经确认在唯一高分辨率地震数据上鉴定出的Marlpit的局部崩溃。k eywords：腔，检测，人力资源，微重力，电阻率，分辨率。
![arxiv：2402.19453v1 [cond-mat.mtrl-sci] 29年2月29日，2024年2月](/simg/7\716dc0ccdd9be08de3bc87efaf314de4d02b8709.webp)
arxiv：2402.19453v1 [cond-mat.mtrl-sci] 29年2月29日，2024年2月
扭曲的双层石墨烯（TBLG）已成为一种令人兴奋的新型凝分物理学平台。然而，尚不完全了解TBLG中的电子波（E -PH）相互作用及其对电子传输的影响。在这里，我们显示了E -PH相互作用和电阻率的第一原理计算，具有13.2和21.8度的较大扭曲角度。这些计算克服了关键的技术障碍，包括高达76个原子的大型单位细胞，E-PH相互作用的Brillouin-Zone折叠以及由于AA堆叠域而引起的不稳定的晶格振动。我们表明，由于层呼吸（LB）声子引起的E-PH相互作用增强了大角度TBLG中的间隔散射。这种相互作用有效地耦合了这两层，否则它们会以如此大的扭曲角度脱钩。结果，TBLG中的声子受限的电阻率偏离了魔术角附近的单层石墨烯和TBLG的温度线性趋势特征。综上所述，我们的工作量化了TBLG中的E -PH相互作用和散射机制，从而揭示了较大的层间耦合效应在大扭曲角度上。