机构名称：
¥ 1.0
摘要 — 氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 是一种新兴的超宽带隙半导体，在辐射探测中的应用引起了广泛关注。在本文中，我们利用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在蓝宝石上生长的高电阻率非故意掺杂 (UID) ε-Ga 2 O 3 薄膜制造了超快 X 射线探测器。该探测器采用横向金属半导体金属 (MSM) 结构，在 100 V 时表现出 < 2 nA 的低暗电流，在 40 V 和 X 射线剂量率为 0.383 Gy/s 时其灵敏度高达 28.6 nC/Gy 或 ∼ 1 . 0 × 10 6 nC/(Gy · cm 3 )。在切换 X 射线照明下观察到探测器稳定且可重复的瞬态响应。此外，该探测器实现了全宽50 ns的脉冲X射线探测，其时间分辨率约为7.1 ns。这些结果表明，MOCVD生长的高电阻率UID ε-Ga 2 O 3薄膜在超快X射线探测方面具有巨大的潜力。
基于无意辐射的脉冲 X 射线探测器
主要关键词
相关文件推荐
