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界面电介质对 FeRAM 设计的影响......
摘要 — 随着铁电铪锆氧化物 (HZO) 在铁电微电子学中的应用越来越广泛，了解有意和无意电介质界面的集成影响及其对铁电薄膜唤醒和电路参数的影响变得非常重要。在这项工作中，测量了在具有 NbN 电极的 FeRAM 应用的电容器结构中铁电 Hf 0.58 Zr 0.42 O 2 薄膜下方添加线性电介质氧化铝 Al 2 O 3 的影响。观察到由线性电介质产生的去极化场会导致铁电体的剩余极化降低。氧化铝的添加还会影响 HZO 相对于施加的循环电压的唤醒。与 FeRAM 1C/1T 单元的设计密切相关，观察到金属-铁电-绝缘体-金属 (MFIM) 设备会根据氧化铝厚度和唤醒循环电压显著转移与读取状态相关的电荷。测量结果显示读取状态分离减少了 33%，这使存储单元的设计变得复杂，并说明了设备中清晰接口的重要性。
InGaAs-SOI 界面缺陷的可靠性调查...
这项工作研究了铟镓砷 (InGaAs) SOI-FinFET 中界面缺陷在高性能应用中的可靠性。In 0.53 Ga 0.47 As 是一种很有前途的下一代晶体管材料，因为它具有高电子迁移率，这对于高速和高频应用至关重要。然而，界面陷阱电荷 (ITC) 的存在会严重影响器件的性能和可靠性。我们全面分析了 InGaAs SOI-FinFET 中的 ITC，研究了它们对线性性能参数（如 VIP2、VIP3、IIP3、IMD3、HD2 和 HD3）的影响。所有结果表明，优化界面质量对于提高 InGaAs SOI-FinFET 的可靠性和性能至关重要。这项工作为缺陷机制提供了宝贵的见解，并为改进制造工艺以实现更可靠的高性能 InGaAs-SOI-FinFET 提供了指导。因此，基于 InGaAs 的 FinFET 是最适合下一代使用的高性能半导体器件。 InGaAs 具有优异的电子迁移率和高饱和速度，为高频和高速应用提供了显著的优势，使其成为硅的理想替代品。
光电子发射和界面从头理论研究...
了解 Si(001) 上替代高 K 电介质的外延生长：应用于氧化镨。《真空科学与技术杂志》美国真空学会 B 官方杂志，微电子处理与现象，2003 年，21，1765。
ISA 界面研究 - 环境学院
然而，法规文本并未提供任何符合立法要求的 HMI 规范。本研究旨在填补这一空白，通过评估多种针对 ISA 的替代 HMI 设计，既考察它们在促进速度合规方面的有效性，也考察它们对驾驶员的接受度。所有选定的 HMI 都允许驾驶员覆盖反馈（即，如果他们选择超速，可以按照法律要求这样做），但所提供的反馈存在很大差异。在实验中，参与者没有选择关闭 ISA 反馈，因为这实际上会否定研究的目的。对驾驶员的接受度尤为重要，因为对 ISA 系统感到厌烦的驾驶员可能会倾向于关闭它，正如法规第 (b) 条所允许的那样，从而大大降低 ISA 的安全效益。
ISA 界面研究 - 环境学院
然而，法规文本并未提供任何符合立法要求的 HMI 规范。本研究旨在填补这一空白，通过评估多种针对 ISA 的替代 HMI 设计，既考察它们在促进速度合规方面的有效性，也考察它们对驾驶员的接受度。所有选定的 HMI 都允许驾驶员覆盖反馈（即，如果他们选择超速，可以按照法律要求这样做），但所提供的反馈存在很大差异。在实验中，参与者没有选择关闭 ISA 反馈，因为这实际上会否定研究的目的。对驾驶员的接受度尤为重要，因为对 ISA 系统感到厌烦的驾驶员可能会倾向于关闭它，正如法规第 (b) 条所允许的那样，从而大大降低 ISA 的安全效益。
2+3 Way Power-Data电池界面
界面适用于各种版本的摇摆内管中电池和非移动框架电池。我们获得专利的，精明的连接系统通过极其紧凑的设计和大量的交配周期来说服。即使在湿度，振动或冲击等极端条件下，可靠的数据和电力传输也是一个问题。对于42 V以上的变体，我们提供触摸保护。
机器学习协助金属的界面催化 -
2％PD/CEO 2（58.8±2.1 KJ mol -1）> 0.1％PD/CEO 2（43.8±2.2 kJ mol -1），表明0.1％PD/CEO 2具有原子分散的PD物种的催化剂在CO 2水电中产生了本质上的活性。通过表面PD原子归一化的反应速率进一步证实了这一点，该反应速率通过PD含量（表S1）和通过CO滴定确定的PD分散（图s6）。观察到，随着PD载荷的降低，反应速率显着提高，其中0.1％PD/CEO 2催化剂不仅仅仅催化CO 2氢化为CO，而且表现出更多的
等离子体在界面电荷转移中的作用
缺乏对金属 - 触发器界面处等离子体介导的电荷转移的详细机械理解，严重限制了有效的光伏和光催化装置的设计。与直接的金属到 - 触发器界面电荷转移相比，由金属中等离子体衰变产生的热电子产生的热电子的间接转移的相对贡献是相对的贡献。在这里，当对共振激发时，我们证明了从金纳米棒到氧化钛壳的总体电子转移效率为44±3％。我们证明，其中一半源自通过激发等离子的直接界面电荷转移。我们能够通过多模式的频率分辨方法来区分直接和间接途径，通过单粒子散射光谱和具有可变泵波长的时间分辨瞬态吸收光谱测量均相等离子体线宽。我们的结果表明，直接等离子体诱导的电荷转移途径是提高热载体提取效率的一种有希望的方法，该方法主要通过非特异性加热而导致的金属内在衰减。
多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t