1. 将速度控制器连接到电机和接收器。不要连接电池。 2. 打开发射器并将油门杆移至全油门。 3. 连接电池:三音旋律声音 -(仅适用于 LiPO:)电池计数的蜂鸣序列 - 长蜂鸣 - 三音旋律 - 第一个编程参数的蜂鸣声(参见参数表)。如果没有发出确认信号,请检查接收器是否工作正常;或者为油门通道操作伺服反向。 4. 编程模式由八个可用参数的不断重复循环组成。这八个参数由不同的蜂鸣序列指示(参见参数表)。 5. 要选择特定参数,请在发出下一个参数的蜂鸣信号之前将油门杆移至停止位置。 6. 您现在位于设置菜单,您可以从最多三个设置中选择一个,具体取决于参数。各种设置也由不同的蜂鸣序列表示(参见设置表)。 7. 如果您想要更改设置,只需在听到蜂鸣声后向上移动油门杆即可进行相应设置。确认旋律表示已采用该设置。其他参数通过蜂鸣声指示并可选择。或者,您可以通过拔下电池退出编程模式。8. 选择参数 7 或 8 后,控制器将退出编程模式并在正常模式下工作。
研究 [12–15],这使得拟谷盗成为比较遗传学、分子生物学、进化和发育等不同生物过程的绝佳模型 [2, 10, 11]。鉴于果蝇的衍生生物学,拟谷盗也
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路(如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器)日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能的不断增长的需求转化为更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸,组件的接触焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求,需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔和小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用;但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两类 HDI 技术:两级交错微孔(基本 HDI)和(最多)三级堆叠微孔(复杂 HDI)。本文介绍了按照 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 mm 间距时,该技术成功通过了所有测试。在 0.8 mm 间距时,在互连应力测试 (IST) 和导电阳极丝 (CAF) 测试中会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。简介通常认为 HDI PCB 有两个主要驱动因素:(1) 关键元件的小间距和高 I/O 数量;(2) 这些元件的性能不断提高,导致电路板上的信号线速度加快。微孔的使用可以缩短信号路径的长度,从而提高信号完整性和电源完整性。由于扇出内的密集布线,关键网络可能会受到串扰。在 1.0 mm 间距元件的引脚之间布线差分对需要精细的线宽和间距。0.8 mm 间距元件的埋孔之间不再可能进行差分对布线。需要在扇出区域内分割线对,分割长度决定了分割对对信号完整性的影响。单端网络宽度的变化以及差分对间距和/或走线宽度的变化将导致阻抗不连续。因此,选择合适的层结构和过孔类型将同时改善布线能力和信号完整性。在定义 HDI PCB 技术参数时,一个重要的考虑因素是元件间距和 I/O 数量不能独立处理。间距为 1.0 mm 的高引脚数元件(> 1000 引脚)可能需要使用微过孔来减少总层数或改善受控阻抗线的屏蔽。另一方面,仅具有两排焊球的 0.5 mm 间距元件的逃逸布线可在不使用微孔和细线宽和间距的情况下进行。增加层数以便能够布线一个或多个高引脚数元件将导致 PCB 厚度增加,这会通过限制通孔纵横比影响最小通孔钻孔直径,从而再次限制布线可能性。为了定义 HDI 技术参数,需要了解过去、现在和未来太空项目中使用的面阵器件 (AAD) 的规格。纵观目前正在开发的复杂太空元件,间距为 1.0 mm 的陶瓷柱栅阵列 (CCGA) 仍将是未来几年的首选封装。例如,新的 Xilinx FPGA (RT-ZU19EG: CCGA1752) [1]、CNES VT65 电信 ASIC (CCGA1752) [2] 和欧洲航天局 (ESA) 的下一代微处理器 (NGMP, CCGA625) [3] 就是这种情况。间距较小的柱状网格阵列 (0.8 毫米) 已在研发中得到展示 [4],尽管尚未发现商业实现。带有非塌陷高铅焊球的陶瓷球栅阵列 (CBGA) 用于军事和航空航天应用 [5]。当间距为 0.8 毫米及以上 (0.5 毫米) 时,陶瓷 (即密封) 封装会成为可靠性风险,因为更小的间距 (0.8 毫米) 会降低封装的可靠性。
研究 [12–15],这使得拟谷盗成为比较遗传学、分子生物学、进化和发育等不同生物过程的绝佳模型 [2, 10, 11]。鉴于果蝇的衍生生物学,拟谷盗也
8. Mazur, MM;Pianaro, SA;Portella, KF;Mengarda, P.;Bragança, MDOGP;Ribeiro Junior, S.;Santos de Melo, JS;Cerqueira, DP,使用脉冲直流磁控溅射在陶瓷电绝缘体上沉积并表征 AlN 薄膜。表面与涂层技术 2015,284,247-251。https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.06.082。