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长袖弹性长袖在石墨烯7997gn 中
艺术。079970000 7997gn XS-S XS-S-S-S-SS-S 079970002 7997GN M-L M-L M-L 079970004 7997GN XL-XL-XXL XL-XL-XXL
Fe3O4/氧化石墨烯/壳聚糖的复合合成
在这项研究中，合成了氧化物 /壳聚糖复合材料的Fe 3 O 4 /氧化二壳含量，以降解亚甲基蓝色染料。使用XRD，SEM-EDS，VSM和UV-VIS DRS Instruments对合成产品进行表征。使用共沉淀方法合成的Fe 3 O 4 /氧化石墨烯 /壳聚糖复合材料导致具有磁性特性的深褐色粉末。XRD表征在2θ= 35,49°时显示衍射峰，晶体尺寸为23,29 nm。SEM-EDS表征显示骨料形态和C（83,20％），O（11,70％），Na（1,00％），N（0,70％）和Fe（2,50％）。VSM表征显示磁化值为25,39 EMU/g。UV-VIS DRS表征表明Fe 3 O 4 /氧化石墨烯 /壳聚糖的带隙值为1,40 eV。
纳米结构石墨烯上非aacenes的有效光生成
通过低温扫描隧道显微镜和光谱学的低温扫描隧道显微镜和光谱研究，已经研究了在RU（0001）上生长的纳米结构上的外延地石墨烯（纳米结构上的外延石墨烯）上的非成激素的表面光学。存在空间位于前体被吸附的区域中的空间位置，并在电磁频谱区域进行努力访问的区域，在那里进行N-π *跃迁，允许将前体转化为100％。在最新的理论计算的帮助下，我们表明，这种高收率是由于传入的光以及随之而来的电子转移到前体的无弹性散射机制的有效人数。我们的发现是实验证实，表面状态可以在复杂的表面光化学中发挥重要作用
开发由石墨烯氧化石墨烯
首席研究者已经对GO纳米片的基本物理特性和应用进行了研究。在GO纳米片和GO膜中的离子电导率中，我们发现离子电导率超过了Nafion的电导率。在还原形式的情况下，RGO，还通过还原方法成功控制了P型，N型和解体半导体特性的降低形式。此外，GO的氧官能团是负电荷的，杂种是通过与各种金属离子的静电相互作用形成的，并且发现以RGO杂种，金属氧化物和金属纳米颗粒的降低形式在RGO纳米片上支持。在GO和RGO纳米片的合成中，使用液体等离子体掺杂了各种原子，并且通过热液合成和Freeze-Drysing从GO和RGO纳米片形成的3D结构也成功。因此，着重于研究获得的材料中的钻石相变，我们首先合成了N-RGO的氮掺杂钻石。尽管结果是初步的，但我们观察到在纳米颗粒相中T C = 30 K的Meissner效应，而在大量相中，T C = 130 K。此外，从高温和高压在高压中合成的钻石显示出T C = 65 K的铁磁过渡。此外，它们还致力于合成硼掺杂和氧气掺杂的钻石。这些结果表明，在掺杂的钻石中开发各种功能材料的有效性，并且有必要迅速促进掺杂或表面修饰的钻石的研究和开发。
在室温下观察石墨烯中电流的漩涡
在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。 ∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。 †这些作者也同样贡献。在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。†这些作者也同样贡献。
引用了原始发表的论文（记录的版本）：Amirpour，S.，Orbay，R.，Thiringer，T。等（2024）。高温导电石墨烯
这项研究介绍了一种创新的多学科设计方法，用于高度导电和轻巧的针脚的散热器，利用石墨烯技术的优势。主要目的是优化电动汽车（EV）中基于硅碳化物（SIC）的逆变器的热管理。在模块上，在模块上进行了综合分析，包括扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱（EDS），在模块上进行了全面的分析。采用3D结合传热（CHT）方法的详细流体动力学模型用于评估与冷却液接触的SIC功率开关的热行为。多学科分析最初是在基于铝制的散热器上实施的，经过实验验证，随后与石墨烯进行了比较。与热链设计中的石墨烯的整合表现出显着的改进，包括在6 L/min min流体流量的情况下，传热系数（HTC）增加了24.4％，热电阻（接收到流体）降低了19.6％。因此，与铝制版本相比，基于石墨烯的散热器中的SIC芯片的温度升高11.5％。通过采用石墨烯而不是传统金属实现的SIC逆变器的冷却解决方案的改进，作为概念证明。这表示在性能和功率密度之间的关键平衡方面向前迈出了一步。
无政府主义者的石墨烯
全天。这意味着您只需要在启动时输入所有者密码，这使其非常强大。对于默认密码，请选择一个弱密码 +短锁定时间的组合，或一个强密码² +更长的锁定时间。第一个选项使信任限制密码尝试的速率限制了secure element²⁸。第二个选项并不能够信任限制速率，鉴于它可以通过安全的元素漏洞绕过，但是如果设备在解锁时无人看管，则配置文件数据是脆弱的。，如果您每天不多次解锁该设备，则还可以拥有一个强密码 +锁定时间。请记住，如果警察抓住您的设备（例如在白天的房屋突袭中），则应该将其关闭，至少应该锁定（该命中率（启动倒计时）至下面提到的自动重新启动功能）。•在默认用户配置文件中，您可以使用
磁场中石墨烯纳米板的方向
使用外部田地对齐各向异性纳米颗粒是释放其巨大潜力的新型应用潜力的主要障碍之一。最著名的例子是石墨烯，这是一个2D纳米材料家族，自发现以来就受到了极大的关注。使用石墨烯增强机械，热，电或气势屏障特性，赋予抗菌特性等，在很大程度上取决于控制其在基质材料（即聚合物）内的方向的能力。在这里，我们总结了使用磁场的石墨烯取向的最新进展。审查涵盖了与磁场相互作用的基础物理学，理论连续性力学框架诱导取向，典型的磁场方向设置以及用来增强材料的穿孔量的最新进展的摘要。当前的趋势，当前对齐技术的局限性被突出显示，并确定了该领域的主要挑战。
石墨烯在改善热耗散和电性能中的作用
石墨烯是在二维蜂窝晶格中排列的单层碳原子，由于其出色的热和电性能，引起了人们的重大关注。其高热电导率（约5000 W/m·K）实现有效的散热，使其成为增强电子设备中热管理的理想材料。石墨烯有效地进行热的能力在各种应用中都利用，包括散布器，热界面材料和复合材料，改善了电子产品（例如处理器和LED）的性能和可靠性。除了其热益处外，石墨烯还具有非凡的电导率，电子迁移率达到200,000cm²/v·s。这种特殊的电导率是由于该材料的DELACALIGETINACTRAIGEDI-π电子和最小散射，从而显着增强了电子成分的性能。石墨烯用于导电油墨，晶体管，超级电容器和电池，推动柔性电子，高速晶体管和能量存储技术的进步。尽管有优势，但仍在大规模生产和将石墨烯集成到现有技术中的挑战。需要解决与生产成本，材料质量以及与其他物质兼容性相关的问题。正在进行的研究重点是改善合成技术和探索新的应用，并有望在各个行业中产生变革性的影响。简介石墨烯的优质热和电气性能可在热耗散和电子性能方面进行实质性改进，并可能扩大其应用并增强技术创新。