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World File Search System硫族化物
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
卤化物和硫属化物钙钛矿半导体的不同振动特性及其对光电性能的影响
1 麻省理工学院材料科学与工程系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 2 魏茨曼科学研究所化学与生物物理系，以色列雷霍沃特 76100 3 博洛尼亚 INSTM-UdR 工业化学系“Toso Montanari”，意大利博洛尼亚 40129 4 林雪平大学物理、化学和生物系（IFM），瑞典林雪平 SE-581 83。 5 Mork Family 南加州大学化学工程与材料科学系，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089 6 魏茨曼科学研究所分子化学与材料科学系，以色列雷霍沃特 76100 7 Ming Hsieh 南加州大学电气与计算机工程系，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089 8 南加州大学纳米成像核心卓越中心 (CNI)，美国加利福尼亚州洛杉矶 90089（日期：2024 年 10 月 11 日）
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
丙烯酸及其生物学活性研究的新咪唑-5-氮杂化合物的合成和表征
新的咪唑-5-氮杂化合物的合成5 - （（（e）-Benzylidene）-3-（（4'-（（（Z）-Phenyldiazenyl）） - [1，1，1'-二苯基] -4-4- ylive- 2-乙烯基）-3-乙烯基-3，5-二氢-4 h-imidazol-4--在此工作，并在此工作。α，β-β-不饱和羧酸与硫二酰氯化物作为起始材料的反应，导致（E）-4-苯乙烯-2-氯羟唑-5（4 h） - 一（化合物A3）在两个步骤中通过苯甲酰氨酸和苯二氮的芳族芳族含有苯甲酸盐和芳族的水分，然后在两个步骤中处理了苯甲酸盐和芳族的水中，并在水中含有芳族的水含量和水中的水。耦合反应。 通过FT-IR，1 H-NMR和13 C-NMR光谱法对合成化合物的特征进行了表征。 抗菌和抗氧化活性的研究表明，这些分子中的一些是作为潜在的抗菌和抗氧化剂的。 k e y w o r d sα，β-β-不饱和羧酸与硫二酰氯化物作为起始材料的反应，导致（E）-4-苯乙烯-2-氯羟唑-5（4 h） - 一（化合物A3）在两个步骤中通过苯甲酰氨酸和苯二氮的芳族芳族含有苯甲酸盐和芳族的水分，然后在两个步骤中处理了苯甲酸盐和芳族的水中，并在水中含有芳族的水含量和水中的水。耦合反应。通过FT-IR，1 H-NMR和13 C-NMR光谱法对合成化合物的特征进行了表征。抗菌和抗氧化活性的研究表明，这些分子中的一些是作为潜在的抗菌和抗氧化剂的。k e y w o r d s
Janus 铬二硫族化合物中的无场自旋轨道扭矩切换
摘要：我们预测磁性铬基过渡金属二硫属化物 (TMD) 单层在其 Janus 形式 CrXTe（其中 X = S、Se）中具有非常大的自旋轨道扭矩 (SOT) 能力。Janus 结构固有的结构反演对称性破坏导致巨型 Rashba 分裂产生较大的 SOT 响应，相当于在非 Janus CrTe 2 中施加 ∼ 100 V nm −1 的横向电场所获得的响应，这完全超出了实验范围。通过对精心推导的 Wannier 紧束缚模型进行传输模拟，发现 Janus 系统表现出与最有效的二维材料相当的 SOT 性能，同时由于其平面内对称性降低，还允许无场垂直磁化切换。总之，我们的研究结果表明，磁性 Janus TMD 是超紧凑自感应 SOT 方案中终极 SOT-MRAM 设备的合适候选者。关键词：自旋轨道扭矩、过渡金属二硫属化物、二维材料、范德华铁磁体
混合和有机光伏国际会议 (HOPV24)
097 Stefania Riva（乌普萨拉大学物理与天文学院 X 射线光子科学系能量材料凝聚态物理学）、Soham Mukherjee、Corrado Comparotto、Sergei M. Butorin、Mahmoud Abdel-Hafiez、Jonathan Scragg、Håkan Rensmo、Garima Aggarwal、Abdel Rahman Allan、Evelyn Johannesson、Fredrik O.L.Johansson, Gabriel J.Man, Dibya Phuyal, Konstantin A. Simonov、Justus Just、Konstantin Klementiev 探索硫族化物钙钛矿 BaZrS3 的生长机制、材料化学和电子结构
水系可充电多价金属离子电池过渡金属二硫属化物正极材料的最新进展
摘要：可再生能源发电是应对能源消耗快速增长的一种有希望的解决方案。然而，可再生资源（如风能、太阳能和潮汐能）的可用性是不连续和暂时的，这对下一代大型储能装置的生产提出了新的要求。由于成本低、原材料极其丰富、安全性高和环境友好，水系可充电多价金属离子电池（AMMIB）最近引起了广泛关注。然而，一些挑战阻碍了 AMMIB 的发展，包括其电化学稳定性较窄、离子扩散动力学较差以及电极不稳定。过渡金属二硫属化物（TMD）因其独特的化学和物理性质而被广泛研究用于储能装置。层状 TMD 的宽层间距离对于离子扩散和插层来说是一种很有吸引力的特性。本综述重点介绍了 TMD 作为基于多价电荷载体（Zn 2+ 、Mg 2+ 和 Al 3+ ）的水系可充电电池阴极材料的最新进展。通过本综述，重点介绍了高性能 AMMIB 的 TMD 材料的关键方面。此外，还讨论了开发改进型 TMD 的其他建议和策略，以启发新的研究方向。
药物介绍：ziprasidone作用机转
发行人：陈志：周周主：药品咨询组：药品咨询组药品咨询组：台南巿胜利路药品咨询组：台南巿胜利路138号号：（06）2353535转25152515 http：// http：// www。ncku.edu.tw/~pharmacy/ 1207号：ziprasidone
III-V 族半导体与硅外延杂化过程中的晶相控制
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES，蒙彼利埃大学，法国国家科学研究院，F- 34000 蒙彼利埃，法国 电子邮箱：jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学，雷恩国立应用科学学院，法国国家科学研究院，FOTON 研究所 – UMR 6082，F-35000 雷恩，法国 Dr. M. Ramonda CTM，蒙彼利埃大学，F- 34000 蒙彼利埃，法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik，Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV，Hausvogteiplatz 5-7，10117，柏林，德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学，法国国家科学研究院，纳米科学与技术中心纳米技术，91120，帕莱索，法国 关键词：外延生长，反相域，单片集成，III-V 半导体，硅衬底