XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System碳键合
具有改进的新型晶圆级粘合剂键合...
我们报告了一种通用方法，用于提高软烤 BCB 键合堆栈中键合后晶圆对准精度和 BCB 厚度均匀性。该方法基于新型 BCB 微柱，在键合过程中充当锚点。锚点结构成为键合界面的自然组成部分，因此对键合堆栈的光学、电气和机械性能的干扰最小。我们研究了固定锚点密度和各种锚点高度与粘合剂 BCB 厚度的关系，这些性能也不同。我们证明了对准精度可以提高大约一个数量级，并且该工具可以接近基本的键合前对准精度。我们还证明了该技术对 2 – 16 μ m 的大范围 BCB 厚度都有效。此外，我们观察到，对于 8 – 16 μ m 范围内的 BCB 厚度，厚度不均匀性降低了 2 – 3 倍。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
不同引线的键合拉脱力/剪切力分析
[1]《超声波焊接》，第 8 章，载于：《焊接手册》第 9 版第 3 卷，《焊接工艺》，第 2 部分，美国焊接学会，迈阿密，2007 年。[2] AA Fedulova、Yu.A. Ustinov、EP Kotov、VP Shustov 和 ERYavich，《多层印刷电路板技术》，无线电和通信，莫斯科，1990 年（俄罗斯语）。[3] QJ Chen、A. Pagba、D. Reynoso、S. Thomas 和 HJ Toc，《铜线及其他 - 银线是铜的替代品吗？》 , 载于：2010 年第 12 届电子封装技术会议，IEEE，2010 年，第 591-596 页。[4] P. Liu、L. Tong、J. Wang、L. Shi 和 H. Tang，铜线键合技术的挑战与发展，微电子可靠性，2012 年，第 52 卷，第 6 期，第 1092-1098 页。[5] ZW Zhong，使用铜线的引线键合，微电子国际，2009 年，第 26 卷，第 1 期，第 10-16 页。 [6] A. Shah、T. Rockey、H. Xu、I. Qin、W. Jie、O. Yauw 和 B. Chylak，《银线先进引线键合技术》，载于：2015 IEEE 第 17 届电子封装与技术会议 (EPTC)，IEEE，2015 年，第 1-8 页。[7] ZW Zhong，《使用铜线或绝缘线的引线键合概述》，《微电子可靠性》，2011 年，第 51 卷，第 1 期，第 4-12 页。
混合晶圆键合中的 CMP 挑战回顾...
ST Microelectronics 和 LETI：S. Lhostis、A. Farcy、E. Deloffre、F. Lorut 等人在拉斯维加斯电子元件和技术会议 ECTC 上发表演讲（2016 年）。
半导体晶圆键合：科学、技术与应用 17
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
键和与与之相关的键 - ...
GST的结论标志着巴黎野心周期中的关键点。作为当事方采取国内缓解措施的义务的一部分，其目的是实现其NDC，23每五年进行一次NDC 24（在COP30 25之前的下一个9-12个月）进行NDC进行交流，并确保每个连续的NDC“反映其最高的野心”，26党也必须提供重要信息。正如Katowice在Katowice的COP中规定的那样，当事方应提供特定的信息，以实现“清晰，透过的和理解和理解” 27和“有关如何通过[GST]的结果告知其[NDCS]的准备信息。” 28商品及服务税的结果，包括其关键政策信号，必须通过其NDC来告知当事方的实施工作。要求各国在2025年第一季度提交的新NDC必须包括有关当事方对这些信号采取行动的信息。到2025年，COP28对气候行动的影响的程度将成为重点。
基于椰子的农业生态系统用于碳螯合
摘要椰子（Cocos nucifera L.）是一种多年生作物，可提供主食，并在许多发展中国家用作经济作物。其生产主要受气候，土壤和疾病的影响。温室气体（GHG）排放构成的威胁，尤其是负责全球变暖和气候变化的二氧化碳（CO 2），呼吁迫切需要减轻气候变化，通过探索环境友好的方式来隔离气氛。椰子养殖及其农业生态系统是可以通过固存存储CO 2的方法之一，并有助于减少大气中存在的CO 2的当前增加。尽管椰子种植园具有与热带森林相似的特征和功能，但它的能力比热带森林更好。除了椰子种植还改善了农民的收入和生计外，这对于利用基于椰子的农业生态系统的潜力来碳固存，以及碳交易所需的投资机会，以及帮助气候变化适应和缓解计划所需的投资机会。
基础临床社会医学统合讲义
09：00-09：50 Tadaki（国家传染病研究所）感染性病理学对Covid-19的贡献10:00-10：00-10：50 Yamazaki Akira（大阪大学）（大阪大学）细胞介导的免疫反应对SARS-COV2 11:00-11：00-11：00-11：00-11：50 ARASE NAO（OSAKA NAO）介绍了OSAKA NAO（OSAKA NAO），以下简13：00-13：50 Nishiura Hiroshi（京都大学）Covid -19的传染病流行病学194：00-14：50 Sato Yoshi（Tokyo）新颖的Coronavirus大学的演变15:00-15：00-15:50-15：50