Field Effect Devices (FET) 4.1 JFET: Construction, symbol, operation, V-I & transfer characteristics MOSFET: Construction, operation, symbol, V-I & transfer characteristics of the DMOSFET & E-MOSFET (theoretical description only for JFET & MOSFET) 4.2 DC Circuit Analysis: DC load line, Q-point & region of operation, common MOSFET configurations of common source (CS), common drain (CD) & common gate (CG),分析偏置电路(仅针对E-MOSFET&D-MOSFET的数值示例; NO JFET)4.3 AC分析:AC负载线,MOSFET的小信号(AC)模型及其等效电路,小信号(AC)的小信号(AC)共同源(CS)配置MOSFET MOSFET AMPLIFIER(包括数字)(数值)>
模块 I:电子学简介 [12 小时] 电子设备及其应用、信号、模拟和数字信号、放大器。线性波形整形电路:RC LPF、积分器、RC HPF、微分器。半导体特性、固体分类、硅能带、本征和非本征半导体、半导体电流、霍尔效应、扩散电流、漂移电流、迁移率和电阻率。模块 II:半导体二极管 [12 小时] pn 结理论、V-I 特性、负载线分析、二极管等效电路、二极管电路分析、过渡电容和扩散电容。二极管电路的应用;整流器、限幅器、钳位器。滤波电路、特殊用途二极管:齐纳二极管、LED、光电二极管、隧道二极管、变容二极管、肖克利二极管。激光基础知识。模块 III:BJT 和 FET [12 小时]
摘要- 为单引擎双座滑翔机上的有效载荷系统制造了定制锂离子电池。在形成电池管理系统的软件开发阶段,为了在充电和放电过程中提供安全性,需要一些参数来指示电池的状况。因此,在本研究中,在 42 Ah 锂离子电池中进行了电等效电路方法和自适应扩展卡尔曼滤波器中使用的充电状态估计过程。结果,平均绝对误差和均方根误差的值小于 1%。在实际过程中,从未发现过真正的误差值。给出噪声以确定扩展卡尔曼滤波器和自适应扩展卡尔曼滤波器 (AEKF) 算法之间的自适应能力。此外,将主 SoC 设置为某个值以查看估计精度。研究表明,该方法可以应用于有效载荷系统的 BMS 软件的开发。
印度理工学院罗尔基分校 系/中心/学院名称:化学工程系 科目代码:CHL-544 课程名称:锂离子电池基础 LTP:3-1-0 学分:4 学科领域:PEC 课程大纲:电化学基础、电化学电池;一次电池、二次电池(铅酸电池、镍镉电池、镍氢电池);锂离子电池基础知识:工作原理、电池组件、阳极材料、阴极材料、电解质、隔膜、充电、放电;锂离子电池的制造/组装、形成过程、老化和容量分级、测试电化学性能、安全性;外形尺寸、锂离子电池的应用(便携式电子产品、电动汽车、固定式储能等)、不同应用中的具体要求、电池模块和组、热管理、电池管理系统、电池老化/退化、热失控、安全问题、等效电路建模、基于物理的建模、锂离子电池中的传输现象、锂离子电池的回收。
摘要 — 锂离子电池储能系统 (BESS) 凭借其当前的技术和经济成熟度,在满足智能电网环境中的短期灵活性要求方面具有巨大潜力。然而,必须详细建模非线性电池系统特性的复杂性及其相邻电力电子接口的控制。更详细和准确的组件建模,通过同时考虑组件和系统级方面,可以改进整个电力系统优化研究。因此,本文开发了锂离子电池的等效电路模型 (ECM),并将锂离子镍锰钴 (NMC) 电池单元建模为二阶等效电路 (SOEC),包括 C 速率、温度、充电状态和老化效应。其次,开发了 DC/DC 和 DC/AC 转换器接口的详细控制器设计方法,以实现高级电网集成研究。总体而言,BESS 集成设计通过 Simulink Simpowersystems 平台中的仿真研究得到验证。
机器学习是人工智能的特定应用,它允许计算机通过一组算法从数据和经验中学习和改进,而无需重新编程。在储能领域中,机器学习最近成为了电池建模的一种新方法,不仅是为了确定电池的当前充电,而且还可以预测其未来的健康状况和剩余使用寿命。在这篇评论中,我们首先讨论文献中研究的两种类型的电池模型,以进行电池状态预测:等效电路和基于物理的模型。基于这些模型的当前局限性,我们展示了机器学习技术的前景,以快速准确的电池状态预测以及所涉及的主要挑战,尤其是在高吞吐量数据生成中。此外,我们建议将物理学和领域知识纳入,以开发更容易解释和可解释的机器学习模型。总体而言,我们将数据驱动的机器学习视为一种有希望的建模技术,它可以在将来打开电池制造,使用和优化的新的,令人兴奋的机会。
在本文中,我们提出了一种称为自旋扭矩二极管(STD)的纳米级旋转射频(RF)检测器的电气模型。提出了一种用于模型参数提取的完整方法。得出了与STD的等效电路,并将设备电阻非线性的建模与自旋扭转二极管效应一起。提出了一种详细的逐步方法,以使用常规的直流测量,RF散射参数(S-Parameter),连续波和功率表征提取模型参数。参数提取后,与单个STD的测量结果进行了比较,成功验证了模型。最后,提出的STD电气模型用于预测基于2-STD的RF检测器体系结构的行为。仿真结果突出了提出的建模方法的兴趣,以研究合适的RF检测器体系结构,以提高单个或多体RF检测的RF-DC转换效率。
摘要:设计并制作了一种基于复合右手-左手 (CRLH) 原理的小型零阶谐振天线,在 30 GHz 下无需金属通孔即可实现贴片状辐射。将两个 CRLH 结构的镜像连接起来以设计无通孔天线。研究了等效电路、参数提取和色散图,以分析 CRLH 天线的特性。制作了天线并通过实验验证。测得的天线在 30 GHz 下的实际增益为 5.35 dBi。设计的天线在 10 GHz 带宽内没有杂散谐振。利用所提出的 CRLH 天线和 Butler 矩阵设计了一个无源波束形成阵列。采用基板集成波导来实现 Butler 矩阵。CRLH 天线连接到 4×4 Butler 矩阵的四个输出。对于馈送 CRLH 天线的 4×4 Butler 矩阵,从端口 1 到端口 4 的激励,扫描角度分别为 12 ◦、−68 ◦、64 ◦ 和 −11 ◦。
量子计算理论的一个基本结果,即“安全存储原理”,表明总是有可能采用量子电路并产生一个等效电路,该电路在计算结束时进行所有测量。虽然这个过程是时间高效的,这意味着它不会在门数量上引入大量开销,但它使用了额外的辅助量子比特,因此通常不是空间高效的。很自然地,人们会问是否有可能在不增加辅助量子比特数量的情况下消除中间测量。我们通过展示一种同时具有空间效率和时间效率的消除所有中间测量的程序对这个问题给出了肯定的答案。特别是,这表明空间有界量子复杂度类的定义对于允许或禁止中间测量具有鲁棒性。我们方法的一个关键组成部分(可能具有独立意义)涉及表明许多标准线性代数问题的良好条件版本可以由量子计算机在比传统计算机可能占用的更少空间中解决。
在本研究中,主要目标是设计单通道运算放大器 IS-OU1 的宏模型,其主要特点如下: 15 V 电源电压、失调电压 7 mV、低电源电流 ~1.3 mA、斜率 ~0.4 V/ s、开环增益 ~100-110 dB、增益带宽积 ~0.7-1 MHz、输出电压摆幅 14 V。为了使用 SPICE 对运算放大器进行建模,选择了基于 npn 型双极晶体管的非线性运算放大器模型 [3, 5]。运算放大器的等效电路如图 1 所示。然后,计算电路中运算放大器元件的参数,使其与运算放大器特性相适应,并将其写成子电路,如图 2 所示。宏模型可以用作 Micro-Cap 12 模型编辑器中的 .SUBCKT 命令的子电路,作为 SPICE 电路程序 [6, 7],这使我们能够获得 IS-OU1 运算放大器的 SPICE 宏模型。之后,为了测试运算放大器,将获得的宏模型作为 IS-OU1.lib 库文件添加到 Micro-Cap 12 程序库中。