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World File Search System等效电路
脊髓背角的多尺度计算机模型揭示与慢性疼痛相关的网络处理变化
与疼痛相关的感觉输入在脊髓背角 (SDH) 中经过处理，然后传递到大脑。这种处理极大地影响了刺激是否被正确或错误地感知为疼痛。在识别组成 SDH 的兴奋性和抑制性神经元类型方面已经取得了重大进展，并且有一些关于神经元类型如何连接的信息，但尚不清楚整个回路如何处理感觉输入或这种处理在慢性疼痛条件下是如何被打乱的。为了探索 SDH 功能，我们开发了一个受实验数据严格约束的回路计算模型。我们的模型包括基于电导的神经元模型，这些模型可重现脊髓神经元的特征性放电模式。根据可用的定性数据，兴奋性和抑制性神经元群体通过其遗传标记表达、放电模式或形态进行突触连接。使用遗传算法，根据一系列机械刺激强度下的初级传入发放率（模型输入），调整突触权重以重现投射神经元发放率（模型输出）。不同的突触权重组合可以产生等效电路功能，揭示可能造成不同电路对扰动或病理损伤产生异质反应的退化。为了验证我们的模型，我们验证了它对抑制的减少（即去抑制）和特定神经元类型的消融的反应方式与实验一致。经过验证，我们的模型为解释实验结果和在计算机上测试假设提供了宝贵的资源，以计划用于检查正常和病理性 SDH 电路功能的实验。
T.Y.B.Sc. （纳米科学和纳米技术） suvitribwi phule pune（lniversity B.Sc. （生物技术）_05072024.pdf M.Sc.教学大纲（物理）（模式-2023） B.Sc. （微生物学）_06062024.pdf T. Y. B. Sc。电子科学 CI M.Tech._newsyllabus_29052023.pdf 时间表端s.e._2019-pat。
太阳能简介，温室效应，阳光的特性，光子的能量，在黑暗和照明下的P-N连接，光产生的电流，I-V方程，特征，电池参数的上限，太阳能电池的损失，等效电路中的损失，各种参数的效果对高效率，Solar Cells对高效率的效果，对高iSC的设计，高iSc for for高iSC填充，指定量和指定因素（antireflerfflection和Antirefly cop），指定（ARC），ARC）（ARC），ARC）。少数族裔载体寿命和扩散长度测量。硅太阳能电池的设计，薄膜太阳能电池。单元2：敏化太阳能电池：（9个讲座）简介，光电化学电池的基础，构造，DSSC机制，能量带图，重要参数，工作电极和反电极的特性，电解质和染料的性能，电解质和染料的特性，制造过程，效率，效率，效率，优势，优势，优势，脱离量化量，降级solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar solar dot dot dot dot dot dot dot dot dot dot dot dot。Unit 3: Polymer Solar Cells: (9 lectures) Introduction, history of the polymer solar cells, planar heterojunction solar cells, bulk heterojunction solar cells, excitons in polymers, donor and acceptors polymers, mechanism of photon absorption and power generation, evolution of polymer solar cell designs, hybrid polymer solar cells.单元4：钙钛矿太阳能电池：（9个讲座）介绍，钙钛矿太阳能电池的历史，钙钛矿太阳能电池的操作，设计和工作原理，钙钛矿太阳能电池的优势和缺点，比较孔洛克斯岩石太阳能电池与其他太阳能电池的光子转化效率的比较。
大学赠款委员会净局
单元I对半导体的简介，固体中的能带，有效质量的概念，状态的密度，费米水平。pn连接，二极管方程和二极管等效电路，二极管中的故障，齐纳二极管，隧道二极管，金属半导体连接 - 欧米克和肖特基触点，JFET的特征和同等电路，MOSFET，MOSFET。低维半导体设备 - 量子井，量子线，量子点。高电子迁移式晶体管（HEMT），太阳能电池 - I-V特征，填充因子和效率，LED，LCD和柔性显示器。未来设备的新兴材料：石墨烯，碳纳米管（CNT），ZnO，SIC等。单元-II IC制造 - 晶体生长，外延，氧化，光刻，掺杂，蚀刻，隔离方法，隔离方法，金属化，粘合，薄膜沉积和表征技术：XRD，TEM，SEM，EDX，EDX，薄膜，薄膜和无源设备，MOS技术和Mos设备和莫斯设备和莫斯式的NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS和CMOS的缩放，NMOS和CMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS，NMOS和CMOS缩放，CMOS和CMOS和CMOS的缩放电压，NMOS和CMOS逆变器，电荷耦合设备（CCD） - 结构，电荷存储和传输，VLSI设计的基础，贴纸图，布局设计规则。单元III叠加，Thevenin，Norton和最大功率传递定理，网络元素，网络图，节点和网格分析。拉普拉斯变换，傅立叶变换和Z变换。时间和频域响应，被动过滤器，两个端口网络参数：Z，Y，ABCD和H参数，传输函数，信号表示，状态可变的电路分析方法，AC电路分析，瞬态分析，零和极点，Bode图。
电子产品
单元 1：放大器 16 小时 多级放大器：多级放大器的需求和使用、总增益、级联与共源共栅。RC 耦合放大器。达林顿放大器 - 电路、电流增益、Zi、Zo、优点。功率放大器：电压与功率放大器、功率放大器的需求、分类 A 类、C 类（仅提及）B 类：推挽放大器、工作、效率（推导）、交叉失真、谐波失真、互补对称（无变压器）。比较。调谐放大器：需要单调谐和双调谐、工作、频率响应曲线、优点和缺点、耦合说明。JFET - 类型 - p 沟道和 n 沟道、工作和 IV 特性 - n 沟道 JFET、参数及其关系、BJT 和 JFET 的比较。共源放大器、MOSFET：E&D、MOSFET – n 沟道和 p 沟道、构造、工作、符号、偏置、漏极和传输特性、CMOS 逻辑、CMOS 反相器 - 电路、工作和特性。单元 2：反馈放大器和振荡器 10 小时反馈：反馈类型正反馈和负反馈、框图、反馈对 Av、BW、Zi 和 Zo 的影响（仅适用于电压串联反馈放大器电路）。振荡器的需求；正反馈、储能电路 – 振荡、谐振频率。巴克豪森振荡准则、LC 调谐振荡器 - Colpitts 和 Hartley 振荡器、振荡频率（无推导）、最小增益、优点和缺点、RC 振荡器 - 相移和 Wein 桥振荡器（无推导）、频率和最小增益、晶体振荡器、压电效应、等效电路、串联和并联谐振电路、Q 因子。非正弦振荡器：非稳态多谐振荡器，工作波形，频率公式（仅提及），单稳态多谐振荡器，双稳态多谐振荡器（触发器概念）。 单元 3：集成电路 04 小时 IC555 框图和引脚图。 IC555 应用 - 非稳态（推导）和单稳态多谐振荡器，压控振荡器。 施密特触发器。 IC 稳压器：LM317，IC78XX，79XX 系列（框图） 单元 4：运算放大器（Op-Amp） - 理论与应用 11 小时 Op-Amp 框图，引脚图 IC741，规格，理想和实际运算放大器参数的特性 - 输入偏置电流，输入失调电压，输出失调电压，CMRR，斜率 SVRR，失调零，开环运算放大器限制，闭环运算放大器。负串联反馈放大器的框图，反相和非反相反馈电路，增益，R if ，R of 。虚拟接地，单位增益带宽积。应用：加法器 - 反相和非反相，减法器，比例变换器，缓冲器，积分器，微分器（理想和实用）。比较器，过零检测器，有源滤波器 - 巴特沃斯一阶低通、高通、带通、带阻、全通滤波器。二阶滤波器（仅提及）。自学：04 小时 IC 制造技术。推荐教科书 1、运算放大器和线性电路，Ramakanth Gayakwad PHI，第 5 版，2015 年。2. 应用电子学教科书，RS Sedha
Ph.D.入学考试教学大纲2024年1月Ph.D.入学考试教学大纲2024年1月
1。基本电子PN连接二极管，硅的能带，内在和外部硅。硅的运输：扩散电流，漂移电流，迁移率和电阻率。载体，PN连接二极管，Zener二极管，隧道二极管，BJT，JFET，MOS电容器，MOSFET，LED，PIN，PIN和AVALANCHE PHOTO DIODE的产生和重组。二极管，BJT，MOSFET和模拟CMO的小信号等效电路。简单的二极管电路，剪裁，夹紧，整流器。晶体管的偏见和偏置稳定性； FET放大器。2。数字电子逻辑大门：或者，或者不nand，non，nor，ex-or，ex-nor;布尔代数，错误检测和校正代码，karnaugh地图，多路复用器和弹能器，BCD算术电路，编码器和解码器，触发器：S -R，J-K，J-K，T，T，D，D，Master-Slave，Edge，Edge触发； p-n连接，D/A和A/D转换器的切换模式操作。3。微处理器简介微处理器，8085/8086微处理器：体系结构和框图； 8085/8086微处理器的指令集：数据传输说明，算术说明，分支说明，循环说明； 8255 PPI芯片建筑； 8259可编程中断控制器，8237 DMA控制器。4。数字信号处理离散时间信号，离散时间系统，时间信号的采样，数字过滤器，多段数字信号处理，ADSP 2100，DSP处理器，DSP的应用，DSP IN：通信，语音处理，图像处理，生物医学和雷达5。D.C.电动机和感应电动机等7。工业驱动器的电动驱动器组件；电气驱动器的选择；电动驱动器的动力学；时间和能量的计算；瞬态操作损失；稳态稳定性和负载均衡。闭环控制相位锁定环（PLLL）控制；电动机加热和冷却的热模型；运动税和电动机等级类别。启动；制动和电动机的速度控制；象限驱动器；负载类型；过程行业使用的扭矩和相关控件；选择电动机和继电器。无刷直流电动机，步进电机，切换的不情愿马达6。电力系统一般布局和热电站的主要组件（简而言之）。可用的水电；选择用于水力发电站的地点；他们的分类；布局和主要组件（简而言之）。核电站 - 拟合能量；一般布局和主要组件（简而言之）；废物处理；核反应堆的类型（简而言之）；一般布置和主要组成部分（简而言之）；核辐射的类型及其作用。使用同步冷凝器改进系统的功率。传输系统计算电阻，电感，单导体的电容，多导体，单相和三相传输线的计算；换位;双电路线；皮肤和接近效应；广义ABCD常数；短和中线的表示和稳态分析；调节和效率；名义– T和PI电路；长线：电流 - 电压关系，双曲线解；冲浪阻抗；冲浪阻抗载荷；总电路等效表示；费兰蒂效应；电源通过传输线；一条线的反应性发电 /吸收；动力传输能力；分流和系列补偿（简而言之）。
UHF频段无源RFID传感器的研究与设计
图 1-1：物联网示意图 ................................................ . ................................................. ...................7 图 1-2：不同类型的条形码；一维或线性、堆叠线性和二维 [3]。................................................ . ................................................. ................................................. .....7 图 1-3：安全元件（智能卡、护照、重要卡）市场的全球预测（2010 年至 2018 年售出数百万件） – Eurosmart [4] .... ... ……………………………… ................................8 图 1-4：2017 年非接触式市场：销量（单位：百万台）[4] ……………………………… ......9 图1-5：战争期间利用反向散射原理与雷达操作员进行通信 [7]。................................................ . ................................................... 31 图 1-26：带有外力传感器进行跟踪的 RFID 标签食品 [25] ................................... 33 图 1-27：a) 使用基于石墨烯的外部功能化区域的 RFID 传感器b) 电阻随相对湿度变化而变化的结果 [22] ................................................... 33 图 1-28：通信 RFID 传感器系列模拟................................................ ................. 35 图 1-29：具有阈值检测功能的生物 RFID 传感器：a) RFID 传感器剖面图，b) 俯视图，c) 不可逆石蜡基底的影响：芯片最小激活功率随温度变化的变化[61]。................................................ . ................................................. ...................................................... 39 图1 -30：示例取自带有敏感天线的 RFID 传感器文献，左侧：完全由石墨烯制成的天线 [47]，右侧：由石墨烯精细部件组成的天线 [72]。...................................... 41 图 1-31：取自[76]的结果：a) 900 MHz 下蒸馏水的电特性 b ) RFID 传感器的最小激活功率，针对不同气温进行测量和平均。...................................... 43 图 1-32：结果取自[48]：a) 示意图由 Pt_rGO 实现功能化的射频识别 (RFID) 传感器标签。b) 柔性 RFID 传感器的照片。c) RFID 传感器的测量结果作为氢浓度的函数。................................................ . 43 图 2-1：无源 UHF RFID 传感器的天线功能化检测策略 ................................. ....... 56 图 2-2：无源 UHF RFID 标签的等效电路 [1] ........................................ ................................................ 57 图 2 -3: 辐射图偶极子与各向同性偶极子的比较 [5] ................................................ 59 图 2-4：极化电磁波的特征，a) 垂直极化，b) 水平极化和 c) 圆极化 [6] ........................................ . ................................................. ................................................. ....... 60 图 2-5：RFID 阅读器和标签之间的读取距离示意图 ................................ ................................................. 60 图 2-6：材料与电阻率的关系 [8] .... ................................................... ................................................... 62 图 2-7：法拉第实验：电枢电容器 [10] ................................ 62 图 2-8：电容器上电场感应的偶极矩原子 [10] ................................................ . .... 63 图 2-9：极化现象示意图 [10] ................................................ .. ................................... 64 图 2-10：复介电常数随频率的变化 [14] ................................................... 66 图2-11：实部和虚部复介电常数的计算....................................................... ................................. 66 图 2-12：介电常数和损耗对天线反射系数的影响....................... 67 图 2-13：小麦面筋的复介电常数与相对湿度 (RH) 的函数关系，频率为 868 MHz，温度为 25°C [13]。................................................ . ................................................. ................................................. ...................................... 68 图 2-14：拟议传感器天线的组成示意图。................................................ . ............ 69 图 2-15：用不同的方法对球体进行网格划分： (a) 球体的几何形状；使用 (b) 四面体 (FEM)、(c) 正交单元 (FDTD) 和 (d) 三角形 (MoM)[21]。...................................... 70
Gregory L Plett PDF
电池技术和建模：一种全面的资源，发展了对电化学细胞如何工作的数学理解，对于最大化电池包的安全性，寿命和性能至关重要。这个新资源着重于创建基于物理的微型模型方程，连续尺度模型方程和减少阶模型方程，以提高我们对电池电池的理解。本书描述了常用的等效电路类型电池模型，并在不同的长度尺度上为基于物理的锂离子细胞的基于物理的基于物理的模型开发了方程。此外，它提出了一种称为“离散时间实现算法”的突破性技术，该技术会自动将基于物理的模型转换为高保真近似近似模型。Gregory Plett，科罗拉多州科罗拉多大学电气和计算机工程学教授，在电池研究和开发方面拥有丰富的经验。他拥有卡尔顿大学和斯坦福大学的学位，并在顶级期刊上发表了许多论文。他目前的研究重点是应用控制系统概念来管理和控制混合动力和电动汽车中使用的高容量电池系统。格雷戈里·普莱特（Gregory Plett）获得了他的硕士学位和Ph.D. 1992年和1998年分别获得了斯坦福大学电气工程学位。他于1998年加入了科罗拉多州科罗拉多斯普林斯大学（UCCS）的教职员工，目前是电气和计算机工程的教授。他还管理了由联邦和行业来源资助的研究项目。Gregory已在包括斯坦福大学，NacionalAutónomadeMéxico和UCCS的各个机构教授课程，并在著名的期刊上发表了论文。Gregory是IEEE的高级成员，并拥有多项专利作为共同发明者。他的研究重点是应用控制系统概念来管理混合动力和电动汽车中使用的大容量电池系统。当前的研究领域包括基于物理的建模，系统识别和细胞状态的估计。UCC高容量电池研究实验室提供了用于测试单元和模块的设备，从而实现了先进的算法原型和理论研究。Gregory教授控制系统的研究生课程，尤其是专注于电池控制以支持他的研究。格雷戈里（Gregory）出生于加拿大渥太华，获得了B.Eng。学位于1990年获得卡尔顿大学，此后一直在UCC担任学术职位。 UCCS研究人员正在进行有关估计电池的电荷，健康和寿命的研究，并使用模型预测控制方法和其他先进技术来预测功率和能量，以延长电池寿命。 实验室还专注于电池组的快速充电功能。 这项研究涉及理论和经验方法，并访问了自定义电池管理系统和模拟器项目等高容量设备和工具。学位于1990年获得卡尔顿大学，此后一直在UCC担任学术职位。UCCS研究人员正在进行有关估计电池的电荷，健康和寿命的研究，并使用模型预测控制方法和其他先进技术来预测功率和能量，以延长电池寿命。实验室还专注于电池组的快速充电功能。这项研究涉及理论和经验方法，并访问了自定义电池管理系统和模拟器项目等高容量设备和工具。
横向效应对大规模串联太阳能电池 EQE 测量的影响 S. Kasimir Reichmuth 1,2、A. Fell 1,3、G. Siefer 1、M. Schachtne
横向效应对大型串联太阳能电池 EQE 测量的影响 S. Kasimir Reichmuth 1,2 , A. Fell 1,3 , G. Siefer 1 , M. Schachtner 1 , D. Chojniak 1 , O. Fischer 1,2 , M. Mühleis 1 , M. Rauer 1 , J. Hohl-Ebinger 1 , MC Schubert 1 1 弗劳恩霍夫太阳能系统研究所 ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 电子邮件: kasimir.reichmuth@ise.fraunhofer.de, 2 Albert-Ludwigs-University, INATECH, Emmy-Noether-Strasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 3 AF模拟，Landstr。 33a，79232 年 3 月，德国 摘要：大规模钙钛矿/硅 (PSC/Si) 串联太阳能电池中的横向不均匀电池参数可能会显著影响器件性能。可以使用电致发光 (EL)、光致发光 (PL) 和热成像方法来分析吸收器的横向质量。除了对电池性能的整体影响外，这种横向效应通常不会在串联器件的 EQE 和 IV 特性中考虑，但可能会导致错误的测量结果。因此，我们认为有必要采用大面积 3D PSC/Si 串联模拟来了解横向不均匀性的影响，以及与非理想测量条件（例如太阳能电池的小面积或不均匀照明）的相互作用。我们使用 3D 模拟软件 Quokka3 的串联插件进行全电池 3D 串联模拟，该软件使用“等效电路”模型处理钙钛矿顶部电池表层，也可以处理 Si 底部电池，而不是求解漂移扩散模型。我们通过模拟和实验来量化非均匀电池特性（例如低局部分流电阻或电池吸收器的不均匀性）在 EQE 测量期间与照明和偏置条件相互作用的影响。通过模拟深入了解横向效应特别有趣，因为在通常亚稳态的 PSC/Si 串联电池中对此类详细效应进行实验研究极具挑战性。关键词：多结太阳能电池、校准、模拟、钙钛矿、III-V 族半导体 1 引言 最近，钙钛矿/硅串联电池 (PSC/Si) 在实验室大小样品中显示出 31.25% [1] 的效率，并且 6 英寸晶圆级 PSC/Si 已认证的效率为 26.8 ±1.2 % [2]。同时，首次商业化已宣布将于今年进行，旨在扩大尺寸和提高产量 [3]。在工业实施中，为实验室大小的电池建立的工艺适用于大规模产出。与小型实验室电池相比，横向效应对于全晶圆大小的电池可能更为重要。这可以解释在扩大规模过程中钙钛矿吸收剂的效率下降的原因 [4]。空间不均匀性对电池性能和这些电池的特性都有影响，例如，如果这些方法仅依赖于局部照明而不分析器件的整个区域，则会产生很大的误差。这对于 EQE 和 IV 特性至关重要，因为这可能会使结果与真实特性产生很大偏差，从而导致误解甚至误导电池开发。为了展示其重要性，我们通过实验和模拟，以局部和全照明 EQE 测量为例，研究了横向效应的影响。除了可能由不均匀的薄膜厚度引起的光学横向不均匀性之外，我们还研究了进一步/更复杂的电气 EQE 测量伪影的影响。这种伪影在两端多结器件中很常见，是由低分流电阻（R 分流）或反向击穿特性引起的 [5–7]，并且取决于偏置电压和偏置照明的光谱辐照度。借助最近发布的 3D 太阳能电池模拟工具 Quokka3 的串联功能，我们研究了局部分流等横向缺陷如何影响这种 EQE 伪影。
65 寄生电容对精度的影响...
UDC 621.317.727.1 https://doi.org/10.20998/2074-272X.2025.1.09 YO Haran，YO Trotsenko，OR Protsenko，MM Dixit 寄生电容对高压分压器刻度转换精度的影响目的。这项工作的目的是确定寄生电容对高压分压器刻度转换精度的影响。分析减少这种影响的可能性是高压测量的一个紧迫问题，特别是在输入电压的高频范围内。方法。在 100 Hz 至 1 MHz 范围内的正弦交流电条件下，在 QUCS 电路模拟器软件中对分压器等效电路进行了数学建模，考虑了寄生电容和电感。利用FEMM软件，采用有限元法模拟分压器高压臂采用电容分级绝缘模块中电容电流的密度分布。结果。计算结果表明，寄生电容电流百分比随屏蔽盘外半径与它们之间距离的比值而呈指数下降。但即使屏蔽盘外半径为3m左右，电容电流仍然占分压器测量电路中流动总电流的1%左右。建议不增加外半径，而是在屏蔽盘之间采用高压电容分级绝缘。结果发现，当寄生电容值变化时，大范围电压变换的误差稳定，并建议用同类型的高压模块来制造分压器的高压臂。独创性。获得了分压器尺度变换精度对其高压臂结构元件几何参数比值的依赖关系的建模结果。提出的解决方案是改变分压器高压臂的设计，这显著降低了其尺度变换误差对接地表面上结构元件寄生电容的显著变化的依赖性。实用价值。分压器高压臂特性的数学建模结果使得可以设计相同类型的高压模块用于批量生产，以便现场组装任何标称电压的宽带分压器，从而有可能集成到智能电网系统中。参考文献23，表1，图8。关键词：高压分压器、寄生电容、尺度变换精度。 В роботі розглянуто вплив будови високовольтного плеча подільника напруги на його характеристики.为了确保减少结构元件的寄生电容对有源部分的集总元件和外部物体的影响，已经研究了屏蔽集总元件的方法。通过数学建模确定了高压臂结构元件几何参数配比对高频区电压缩放误差的影响。根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压根据建模结果，选择了利用多层电容式绝缘对分压器有源部分的集总元件进行屏蔽的方法，保证了宽频率范围内缩放电压转换误差的稳定性。高压臂结构的拟议变化使我们能够切换到分压器的模块化结构并进行其批量生产。圣经。 23、表。 1，图。 8. 关键词：高压分压器，寄生电容，刻度转换精度。问题定义。高压分压器是微电子和高压测试和研究实验室中常见的大型电压转换器。然而，这些电气设备在电力工业中，特别是在高压电气设备中没有得到广泛的应用，因为它们的结构不允许摆脱许多缺点，这些缺点使它们作为宽带大型高压转换器集成到模拟或数字变电站中变得复杂[1]。例如，在实验室条件下，对于高压分压器，在很宽的频率范围内获得了0.1量级的大范围电压转换误差，但是这种分压器结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体会严重影响其高压臂的寄生电容。此类物体上的寄生电容会显著影响高频下大规模电压转换的精度。此外，高压臂的集总元件的复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，根据客户的特定任务生产高压分压器使建立此类设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著提高电能质量指标的测定、高压设施过程的安全性和自动化程度的可能性。由于这些和其他原因，高压分压器尚未被用作大规模高压这些电气设备并未广泛应用于电力工业，特别是高压电气设备，因为它们的结构存在许多缺点，使得它们难以作为宽带大规模高压转换器集成到模拟或数字变电站中 [1]。例如，在实验室条件下，高压分压器在很宽频率范围内的大规模电压转换误差约为 0.1，但这种分压器的结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体，会显著影响其高压臂的寄生电容。这些物体上的寄生电容会显著影响高频大规模电压转换的精度。此外，高压臂集总元件复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，为客户的特定任务生产高压分配器使建立这种设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著改善电能质量指标的确定、高压设施的安全性和自动化的可能性。由于这些原因和其他原因，高压分配器尚未被用作大规模高压设备。这些电气设备并未广泛应用于电力工业，特别是高压电气设备，因为它们的结构存在许多缺点，使得它们难以作为宽带大规模高压转换器集成到模拟或数字变电站中 [1]。例如，在实验室条件下，高压分压器在很宽频率范围内的大规模电压转换误差约为 0.1，但这种分压器的结构复杂，不适用于风荷载、降水和温度变化。在开放式开关设备中，分压器附近存在不同电位（或接地）的物体，会显著影响其高压臂的寄生电容。这些物体上的寄生电容会显著影响高频大规模电压转换的精度。此外，高压臂集总元件复电阻的温度依赖性会影响分压器的比例因子。此外，为客户的特定任务生产高压分配器使建立这种设备的统一批量生产系统变得复杂。这限制了显著改善电能质量指标的确定、高压设施的安全性和自动化的可能性。由于这些原因和其他原因，高压分配器尚未被用作大规模高压设备。高压分压器尚未被用作大规模高压高压分压器尚未被用作大规模高压