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观察Cspbbr3量子点膜中从超荧光到偏光国家凝结的过渡
摘要由于偶极气中的量子相关性多体物理学以及基于合作量子状态的超快明亮辐射场的光学应用，因此超级荧光效应受到了广泛的关注。在这里，我们不仅展示了观察超荧光效应，还可以通过外部应用耦合光场的调节维度来控制激子合奏的合作状态。在一个在分布式bragg repetor上覆盖的钙钛矿量子点薄膜薄膜薄膜的轻度杂种结构中揭示了一种称为合作激子 - 波利顿的新的准粒子。在非线性阈值上方，极化缩合发生在具有同步激子的至关重要作用的下极化分支上的非零动量状态。从超级荧光到偏振子凝结的相变表现出线宽下降的典型特征，宏观相干性的增加以及加速的辐射衰减速率。这些发现有望为超亮性和非常规连贯的光源打开新的潜在应用，并且可以使合作效应用于量子光学元件。
带有过渡的缺陷微腔 - 沉积物
使用过渡金属二进制基因生成元（TMDC）单层作为活性材料的创新微型和纳米层的研究和开发，由于其独特的电气，机械和光学特性，引起了极大的关注。在本报告中，详细介绍了被自组装并整合到介电分布式的bragg旋转结构中的光子缺失的微腔的制造，该结构完全封装了杜松子化的单层（WSE 2）（WSE 2）。WSE 2单层带有六角硼的封装过程产生的气泡会诱导微虫腔中的抛物线光子缺陷。这些缺陷导致直径依赖性的三维光学配置，这是通过实验研究和数值模拟确认的。此外，在谐振器中观察到输入输出特性中的显着非线性和激发功率依赖性的线宽缩小，表明激光操作通过光子自相关测量结果进行了验证。光子缺失的腔全部均在单个单层样品上形成，这表明多波长发射光子应用的潜在优势，并促进了基于TMDC的Prestruction Prestructuction Photonic-Donic-Defect Microlasers用于大规模制造。
六边形的氮化硼中量子发射器的变色
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐（HBN）容纳了一系列量子发射器，可以使用诸如高温退火，光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里，我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性，从而降解功能。具体来说，我们表明，在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention，并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的，在HBN的电子束辐射中，B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性，尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定，并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求，这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
SIA PFAS 联盟术语表
术语 定义 3D 三维 5G/6G 用于无线互联网连接和通信的第五代和第六代蜂窝技术。 ABT 制造设备减排 ACGIH 美国政府工业卫生学家会议 AI 人工智能 AIX 阴离子交换 ALD 原子层沉积 铝蚀刻 包括磷酸、硝酸和乙酸的水性混合物。 AMHS 自动化物料处理系统 ANSI 美国国家标准协会 防 EBO 防环氧树脂渗漏 防反射涂层 用于减少表面界面光反射的顶部或底部涂层，以更好地控制光刻中的线宽。 APM 氢氧化铵（28 wt %）、过氧化氢（30 wt %）和水的混合物，也称为 SC1。 水基 以水为溶剂的混合物。 ARC 防反射涂层 ArF 氟化氩 物品 由一种或多种物质和混合物制成的物体，在生产过程中被赋予特殊的形状、表面或设计，其功能比其化学成分更受决定，无论是单独使用还是与其他物品、物质和混合物组装在一起。此外，用于制造半导体加工设备、支持设备、设施设备的材料，以及其他含有 PFAS 的购买或生产物品。组装、测试和包装
极化纳米天线中超窄谐振的主动和被动调谐
光学纳米天线能够在纳米尺度上压缩光并增强光与物质的相互作用，因此对光子器件和光谱学具有重要意义。其中，由支持声子极化子的极性晶体制成的纳米天线（声子纳米天线）表现出最高的品质因数。这是因为这些材料固有的低光损耗，然而，由于它们的介电性质，阻碍了纳米天线的光谱调谐。在这里，通过近场纳米显微镜监测，在很宽的光谱范围（≈ 35 cm − 1 ，即共振线宽 ≈ 9 cm − 1 ）内实现了声子纳米天线中超窄共振的主动和被动调谐。为此，将由六方氮化硼制成的单个纳米天线放置在不同的极性基底上（例如石英和 4H-碳化硅），或用高折射率范德华晶体 (WSe 2 ) 的层覆盖它，以改变其局部环境。重要的是，通过将纳米天线放置在费米能量变化的门控石墨烯单层顶部，可以实现纳米天线极化子共振的主动调谐。这项工作提出了具有超窄共振的可调极化子纳米天线的实现，可用于主动纳米光学和（生物）传感。
太阳能 - Infoscience -EPFL
节能窗口用于增加立面的热绝缘。这种绝缘窗口包含超薄的多层，透明的银色涂层，充当红外镜，可大大降低通过建筑物内部辐射发生的热损失。这些所谓的低发射涂层彻底改变了建筑物的隔热场，但也降低了太阳热增益系数，从而降低了冬季节能的潜力。在寒冷的气候下绝缘窗户应在EM波的传播中实现选择性行为。理想情况下，应该传输太阳能并反映中红外辐射，从而减少建筑物的加热需求。本科学论文介绍了基于有限差分时间域（FDTD）的数值研究，该研究重点介绍了银等离子体方形纳米霍尔阵列的光传递特性，并探讨了它们在绝缘窗口中的潜在应用。发现，周期性为350 nm且线宽为50 nm的纳米尔阵列具有出色的特性，并代表了在低E涂层中获得高太阳热增益的好候选者。这些发现有助于理解纳米荷尔阵列中的等离子效应，并提供有关此类结构在开发高级绝缘窗口中具有增强光学性能的实际应用的见解。
六方氮化硼超表面实现全可见光谱高品质纳米光子学
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10]，而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是，由近场增强驱动的应用，如生物分子传感，依赖于高共振品质因数（Q）（定义为共振波长除以线宽），因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知，共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性，因此推动了基于高折射率材料体系（如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓）的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性，但由于它们的带隙能量处于中间水平，因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制，在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是，对于可见波长范围，存在大带隙和无损材料的竞争
InAs 胶体量子点固体中的顺序共钝化可实现高效的近红外光电探测器
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料，因为它们避免了重金属，同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而，III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体：这项工作表明，先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD，并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下，这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器，该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果，斯托克斯位移减少 25%，第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍，并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE)，这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。
浅施主电子顺磁共振分析
我们通过电子顺磁共振（EPR）光谱研究了n型Si掺杂-Ga 2 O 3块体样品的传导机制，并证明了室温下GHz频率范围内的载流子动力学。Si浅施主EPR和传导电子自旋共振（CESR）光谱表现出不寻常的线宽和线形温度依赖性，这表明了可变范围的跳跃传导和施主聚集。EPR信号强度的温度依赖性可以用40K以下和40K以上温度范围内能量为4meV和40meV的两个热激活过程来拟合。40meV的值归因于Si浅施主的电离能，表明跳跃通过导带进行。在T=130K以上和室温以下，可以观察到传导电子自旋共振（CESR），线宽B<1G减小，这表明自旋翻转散射可忽略不计。为了说明 Ga 2 O 3 中浅施主的异常行为，我们分析了 ZnO 中的氢浅施主，我们观察到了不同的“经典”行为，其特点是施主在 40K 以下定位，在 T=90K 以上导带中发生热电离。在 ZnO 中，由于高温下谱线过度增宽，因此只能在 90K 的小温度范围内观察到 CESR。
纳米线量子点对原子过渡的可逆调整
不降低发射光子的性质，并且可以独立用于同一芯片上的单个NW-QD，到目前为止仍然是一个挑战。解决此问题对于将光子与需要MHz相连的量子系统与Sub-GHz精确的量子系统（例如原子集合）在量子网络中充当记忆的量子系统至关重要。在这里，我们演示了一种可逆的调整方法，可以将NW-QD的发射频率通过sub-GHz精度调整为300 GHz以上。我们通过气体凝结实现这一目标，然后通过局部激光消融将其部分逆转。此过程可很好地调节用于量子点的应力，从而调整其发射频率。我们通过调整跨原子共振的发射单光子的频率来验证该方法的精度和稳定性，以探测其吸收和分散体。我们观察到在D 1-Line共振下，在热纤维蒸气中，NW-QD的单光子吸收多达80％，并且与D 1-LINE基态的超精细转变相关的组速度下降75倍。我们观察到NW-QD发射的二阶自相关函数，寿命或线宽的效果没有明显的效果，最多可以调音300 GHz，并且在调音高达100 GHz时，我们看到对NW-QD的细胞结构分裂的影响最小。