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基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
翻转课堂学习方法
摘要 — 关于如何通过课程设计和教学方式提高来自不同学术背景的大学生的人工智能素养，目前很少有系统的讨论。本研究介绍了针对大学生的人工智能素养计划的课程和教学方法，并收集并展示了参与者对其有效性的反馈。该课程侧重于机器学习、深度学习和开发人工智能应用程序。它采用翻转课堂学习方法和基于项目的学习方式进行授课。通过翻转课堂调查、焦点小组访谈和反思性写作收集的参与者反馈表明，他们喜欢翻转课堂学习方法，而基于项目的学习帮助他们形成了有关人工智能的概念和道德意识。建议将该计划扩展到更多的参与者，例如高中生和公众。本研究为人工智能素养计划的实施开辟了一条道路。它可能会指导和启发未来在培养来自不同学术背景的公民的人工智能素养方面开展实证和设计研究。
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
独立铁电超晶格中静电驱动的极化翻转和应变诱导的曲率
在涉及铁电氧化物的外延异质结构中，应变与电极化之间存在强耦合，机械和静电边界条件的组合为设计具有极大增强或全新功能的新型人工层状材料提供了巨大的机会。仅应变工程就可用于显著提高铁电体的转变温度，控制铁弹畴的类型和排列，甚至稳定名义上非铁电材料的铁电性。[1–3] 同时控制静电边界条件可以进一步创建具有多种形态、复杂有序、非平凡极性拓扑和增强磁化率的纳米级畴模式。[4–13]
科学中的想象力：从古代辩论到现代复杂材料研究的探索，提出一种翻转课堂教学方法
摘要 . 17 世纪文化大革命后，一些诗人认为科学正在扼杀艺术和诗歌之美。因此，人们认为想象力与科学方法背道而驰。幸运的是，这种观点现在已经被普遍抛弃，想象力在科学中的重要作用终于得到了充分的认可。特别是在材料科学领域，系统的结构和动力学特性通常是无法从其成分中预测的，因为它们通常来自由大量构建块组成的组件的新兴行为，因此想象力被认为是 (i) 思考实验、(ii) 解释实验结果和 (iii) 制备新材料的重要工具。这使得该主题绝对适合典型的翻转课堂方法。年轻的学生可以通过搜索几个世纪以来发生的辩论来首次了解想象力在科学中的应用：可以找到有趣的故事、辩论和有时令人愉悦的方面，这肯定会激发他们对研究的兴趣，直至研究现代复合材料。然后，在学校里，在老师的协调下，这些故事、想法和观点可以得到巩固。在这个范围内，显然跨学科性是一个关键因素，它肯定会从活动中出现。着眼于未来前景，还将报告最终评论和现代研究活动的例子，以展示想象力如何帮助建立智能程序来制备现代科学中的新材料。
低功率翻转电压追随者电流镜具有改进的输入输出阻抗
摘要。高性能子伏电流镜被广泛用于构建混合模式低功率VLSI系统。电流镜的性能取决于其关键参数，其中包括较大的操作范围，低输入合规性电压，宽秋千，大带宽以及非常低的输入和非常高的输出电阻。在本文中，显示了高性能低功率电流镜的设计。所提出的电流镜基于电压跟随器，使电流镜在低压下工作。为改善输入输出电阻，提出的电流镜由超级晶体管和超级cascode阶段使用。在微电瓦范围内的功率耗散时，直到1mA达到了最小误差的当前镜像。所达到的带宽为2.1 GHz，低输入和高输出电阻分别为0.407 ohm和50 giga ohm。在本文中还显示了过程角，温度分析和提议的电流镜的噪声分析。使用0.18 UM技术的HSPICE以0.5 V的双电源电压进行完整分析。
高可靠性应用中的精细铜支柱翻转芯片
要跟上对较小天线的需求，其性能提高和成本下降，大多数下一代体系结构都要求更高的IC（集成电路）芯片集成。与传统的包装配置相比，高级芯片包装技术（例如2.5D和3D）提供了更大的芯片兼容性和较低的功耗。鉴于这些优点，不可避免地采用先进包装。在高级包装中，铜支柱互连是一个关键的启用技术，也是下一个逻辑步骤。这项技术提供了多种好处，包括改善电气抗性，改善的电导率和导热性，简化的弱化金属化金属化（UBM）以及更高的I/O（输入/输出）密度。铜支柱允许的细球有助于该技术取代焊撞技术，该技术达到了最低的40微米。更精细的音高允许更高的I/O计数，从而提高性能。
定义的直接翻转福利计划授权
您目前有权从州雇员退休系统进行一次性付款。将资金汇入IRA或其他合格计划，例如递延薪酬计划，可能会有税收优惠。适用特定的IRS规则，因此请阅读本表上的所有信息，即直接档案表的封闭式定义的福利计划授权，并与合格的税务顾问或财务计划者进行交谈，然后再决定如何希望我们分配这笔钱。如果您认为过渡适合您，我们必须在您的工作终止日期的45天内收到完整的翻车表，或者您的付款减去所需的20％的联邦税款将直接支付给您。从SERS养老金计划中应纳税分配，如果您想将付款的应税部分缴纳税款，则必须通过“信任到信任”转让将钱直接从SERS汇出到您的金融机构：
65nm CMOS时序逻辑电路单粒子翻转灵敏度研究
摘要 本研究利用脉冲激光研究了不同电源电压、时钟频率和电路结构下时序逻辑电路对单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。实验的时序逻辑电路是采用 65 nm 体 CMOS 工艺制作的 D 触发器链。结果表明，随着电压的降低，电路的 SEU 灵敏度增加，尤其在低电压范围内，灵敏度增加显著。此外，时钟频率对时序逻辑电路灵敏度的影响主要与组合逻辑电路中产生的单粒子瞬变 (SET) 的传播有关。研究还发现，Set 架构电路在数据“0”测试期间对 SEU 更敏感，而 Reset 架构电路在数据“1”测试期间对 SEU 更敏感。此外，还利用 SPICE 模拟揭示了由 Set 结构和 Reset 结构引起的 SEU 故障机制。关键词：脉冲激光、单粒子翻转 (SEU)、电压、频率、电路结构分类：电子器件、电路和模块（硅、复合半导体、有机和新型材料）
AI 智能应用对日常生活之翻转与创新
从｢ AI 智能应用对日常生活之翻转与创新」专题报告中可以印证，人类的智慧和AI 科技，两方互相依赖，互惠互利，相辅相成，互相成就另一方， AI 科技的突飞猛进，不但使得人类的智慧得以更充分地展现，甚至藉由AI 而变得更添智慧，进而能做到以前人类做不到的事情。本专题报告内容含括了AI 与语音辨识、老人生活、工程建造、 5G 科技运用、运动、教育学习、人文等领域，人类的智慧结合AI ，未来似乎有无限想像的可能。刘炯朗院士主讲｢科技与人文的平衡-AI 靠哪边站」压轴，阐述了一个不同的观点来看科技和人文，两者分别代表着电脑和人脑，就像翘翘板的两端，而中间点就是AI 的文明思路。本专题报告密切结合了人工智慧与人文关怀，能让大家深入了解AI 科技在日常生活中的翻转、创新，以及它将给人类带来更多更方便的生活和更美好的未来。当然，我诚挚期盼着这本专题报告，藉由主讲者无私地分享精辟的见解，必然助益产官学研