摘要 - 由于量子信息对噪声的敏感性信息如何,量子信息系统的实验实现将很困难。克服这种灵敏度对于设计能够在大距离内可靠地传输量子信息的量子网络至关重要。此外,表征量子网络中通信噪声的能力对于开发能够克服量子网络中噪声影响的网络协议至关重要。在这种情况下,量子网络断层扫描是指通过端到端测量在量子网络中的表征。在这项工作中,我们提出了由由单个非平凡的Pauli操作员进行的量子通道形成的量子星网网络的网络层析成像协议。我们的结果进一步进一步,通过引入分别设计状态分布和测量值的层析成像协议,进一步量子翼型星网络的端到端表征。我们基于先前定义的量子网络层析成像协议,并为恒星中的位叉概率独特表征提供了新的方法。我们基于量子Fisher信息矩阵引入了理论基准,以比较量子网络协议的效率。我们将技术应用于提出的协议,并对量子网络层析成像的纠缠潜在好处进行初步分析。此外,我们使用NetSquid模拟协议,以评估特定参数制度获得的估计量的收敛性。我们的发现表明,协议的效率取决于参数值,并激励搜索自适应量子网络层析成像协议。
摘要。大西洋子午翻转循环(AMOC)在塑造北大西洋地区及其他地区的气候条件方面起着至关重要的作用,其未来的稳定性是一个令人关注的问题。虽然对面对地表淡水强迫(FWF)的AMOC稳定性进行了彻底的研究,但其对变化CO 2的库里库反应在很大程度上没有探索,从而无法全面了解其在全球变暖下的稳定性。在这里,我们使用地球系统模型探索AMOC的稳定性,因为面对北大西洋和大气CO 2在180至560 ppm之间的FWF的组合变化。我们找到了与定性不同的对流模式相关的四个不同的AMOC状态。Apart from an “Off” AMOC state with no North Atlantic deep-water formation and a “Modern”-like AMOC with deep water forming in the Labrador and Nordic seas as observed at present, we find a “Weak” AMOC state with convection occurring south of 55° N and a “Strong” AMOC state characterized by deep-water formation ex- tending into the Arctic.在整个CO 2的范围内,关闭状态和弱状态是稳定的,但仅适用于正FWF。对于一系列正FWF,现代状态在高于前工业的CO 2下是稳定的,仅对于负FWF而言,对于较低的CO 2。最后,强度仅对高于280 ppm的CO 2和FWF <0.1 SV才稳定。Genally,AMOC的强度随着CO 2的增加而增加,并且随着FWF的增加而减小。我们的AMOC稳定性景观有助于解释寒冷气候中的AMOC不稳定性,尽管它并不直接适用于百年纪念时间尺度上对全球变暖的根本性瞬时反应,但它可以提供有关AMOC可能长期命运的有用信息。例如,虽然在工业前的范围下,AMOC在模型中是可以单位的,但对于高于400 ppm的CO 2浓度,OFF状态也变得稳定,这表明在较温暖的气候中的AMOC关闭可能是不可逆转的。
硅自旋量子比特的最新进展增强了它们作为可扩展量子信息处理平台的地位。随着单量子比特门保真度超过 99.9% [1],双量子比特门保真度不断提高[2-6],以及该领域向大型多量子比特阵列发展的步伐[7,8],开发高效、可扩展的自旋控制所需的工具至关重要[9]。虽然可以利用交流磁场在量子点 (QDs) 中实现单电子自旋共振 [10],但所需的高驱动功率和相关热负荷在技术上具有挑战性,并限制了可达到的拉比频率 [11]。随着自旋系统扩展到几个量子比特以外,最小化耗散和减少量子比特串扰的自旋控制方法对于低温量子信息处理将非常重要 [12]。电偶极自旋共振 (EDSR) 是传统电子自旋共振的一种替代方法。在 EDSR 中,静态梯度磁场和振荡电场用于驱动自旋旋转 [13]。有效磁场梯度的来源因实现方式而异:本征自旋轨道耦合 [14-16]、超精细耦合 [17] 和 g 因子调制 [18] 已用于将电场耦合到自旋态。微磁体产生的非均匀磁场 [19, 20] 已用于为 EDSR 创建合成自旋轨道场,从而实现高保真控制 [1]。方便的是,该磁场梯度产生了一个空间自旋轨道场。
曲线+ [26]。基本对中的变化通常由参数x-disp,y-disp,倾斜和尖端描述(如图s6),其中X-DISP描述了沿X轴的基本对的位移,Y- DESP描述了沿Y轴的碱基对的位移,倾斜描述了X轴围绕X轴的基本对的旋转角,尖端描述了围绕Y轴的碱基对的旋转。我们选择X- disp,y-disp,倾斜,目标碱基的尖端和DNA小凹槽的宽度,以研究从无偏的分子动力学模拟中研究两种DNA结构的差异。
要跟上对较小天线的需求,其性能提高和成本下降,大多数下一代体系结构都要求更高的IC(集成电路)芯片集成。与传统的包装配置相比,高级芯片包装技术(例如2.5D和3D)提供了更大的芯片兼容性和较低的功耗。鉴于这些优点,不可避免地采用先进包装。在高级包装中,铜支柱互连是一个关键的启用技术,也是下一个逻辑步骤。这项技术提供了多种好处,包括改善电气抗性,改善的电导率和导热性,简化的弱化金属化金属化(UBM)以及更高的I/O(输入/输出)密度。铜支柱允许的细球有助于该技术取代焊撞技术,该技术达到了最低的40微米。更精细的音高允许更高的I/O计数,从而提高性能。
摘要 本研究利用脉冲激光研究了不同电源电压、时钟频率和电路结构下时序逻辑电路对单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。实验的时序逻辑电路是采用 65 nm 体 CMOS 工艺制作的 D 触发器链。结果表明,随着电压的降低,电路的 SEU 灵敏度增加,尤其在低电压范围内,灵敏度增加显著。此外,时钟频率对时序逻辑电路灵敏度的影响主要与组合逻辑电路中产生的单粒子瞬变 (SET) 的传播有关。研究还发现,Set 架构电路在数据“0”测试期间对 SEU 更敏感,而 Reset 架构电路在数据“1”测试期间对 SEU 更敏感。此外,还利用 SPICE 模拟揭示了由 Set 结构和 Reset 结构引起的 SEU 故障机制。关键词:脉冲激光、单粒子翻转 (SEU)、电压、频率、电路结构分类:电子器件、电路和模块(硅、复合半导体、有机和新型材料)
随着当今电子产品的广泛应用,单粒子效应 (SEE) 已成为一个重大问题,不仅对于航空航天和军事等关键应用,而且对于汽车行业和医疗器械也是如此,因为可靠性始终是重中之重。这种担忧在包含电磁 (EM) 和电离辐射的环境中尤为明显,这些辐射与物质的相互作用可能会改变存储元件的状态,从而降低系统可靠性。技术规模的缩小增加了带电粒子撞击或由于传导 EM 干扰导致的电源总线波动影响多个单元的可能性;因此,导致多单元翻转 (MCU)。单纠错 - 双纠错 (SEC-DED) 代码是为存储系统提供可靠性的最常用技术之一。但是,SEC-DED 代码的标准实现不再适合提供信息可靠性,因为它们无法令人满意地处理每个编码字的大量位翻转,即 MCU 发生。在此背景下,本文提出了扩展矩阵区域选择代码 (eMRSC),这是 MRSC 的改进版本,它将之前发布的原始 16 位代码扩展为 32 个数据位的新 MRSC 版本。此外,还提出了一种新的数据矩阵区域方案,以减少生成的冗余位数。将提出的代码与众所周知的代码进行了比较,在所有实验中都表现出色。综合分析表明,提出的代码不仅可靠,而且实施成本低(即面积、编码/解码延迟和功率开销低)。
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 ( a ) 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 ( b ) Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
摘要 — 由于量子信息对噪声非常敏感,因此量子信息系统的实验实现将非常困难。克服这种敏感性对于设计能够可靠地在远距离传输量子信息的量子网络至关重要。此外,表征量子网络中通信噪声的能力对于开发能够克服量子网络噪声影响的网络协议至关重要。在这种情况下,量子网络断层扫描是指通过端到端测量来表征量子网络中的信道噪声。在这项工作中,我们提出了由单个非平凡泡利算子表征的量子信道形成的量子星型网络的网络断层扫描协议。我们的结果通过引入状态分布和测量分别设计的断层扫描协议,进一步提高了量子位翻转星型网络的端到端表征。我们以先前提出的量子网络断层扫描协议为基础,并提供了用于独特表征星型中位翻转概率的新方法。我们引入了一个基于量子费舍尔信息矩阵的理论基准来比较量子网络协议的效率。我们将我们的技术应用于所提出的协议,并对纠缠对量子网络断层扫描的潜在好处进行了初步分析。此外,我们使用 NetSquid 模拟所提出的协议,以评估针对特定参数范围获得的估计器的收敛特性。我们的研究结果表明,协议的效率取决于参数值,并激发了对自适应量子网络断层扫描协议的搜索。
摘要:静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明,翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关,并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。