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World File Search System能垒
酶静电优化研究进展...
图 4. 静电逆设计问题包括寻找反应周围带电残基或点电荷的最佳位置，以降低反应势垒。考虑围绕狄尔斯-阿尔德反应的分区球面，分区的每个斑块分配一个电荷密度（蓝色 - 带负电；红色 - 带正电），理论上可能的环境总数是无限的，因为任何一点的电荷都可以是任何实数值，并且分区可以无限精细。这产生了巨大的搜索空间。此外，由于静电环境的各种配置会产生类似的反应势垒，以及可能的解决方案完全改变反应途径，而这在蛋白质中不再可行，因此解决方案将不唯一。Hartke 和 Sokalski 试图通过使用机器学习或最小化给定反应的 𝐸 !"## 来确定最佳催化环境，从而减少这个搜索空间。
非晶态HfO_2中的氧空位和氢
非晶态二氧化铪 (a-HfO 2 ) 广泛用于电子设备，例如超大规模场效应晶体管和电阻存储单元。a-HfO 2 中氧空位 (OV) 缺陷的密度对非晶态材料的电导率有很大影响。最终，OV 缺陷是造成导电细丝路径形成和断裂的原因，而导电细丝路径可用于新型电阻开关设备。在这项工作中，我们使用从头算方法研究了 a-HfO 2 中的中性 OV。我们研究了 OV 的形成能、双 OV 的结合能、不受干扰和在氢原子附近存在时的 OV 迁移以及氢原子向 OV 的迁移。与结晶 HfO 2 中的势垒 (2.4 eV) 相比，a-HfO 2 中存在浅而短程的 OV 迁移势垒 (0.6 eV)。附近的氢对 OV 迁移的影响有限；然而，氢可以通过在OV之间跳跃而轻易扩散。
表面活性剂胶束在金属-水界面吸附的自由能分布
摘要 我们通过全原子分子动力学 (MD) 模拟研究了阳离子和不带电表面活性剂分子及其胶束在金属-水界面上的吸附行为。我们的模拟表明，未聚集的表面活性剂分子在金属表面强烈吸附，没有任何自由能垒。胶束的吸附行为则截然不同。阳离子表面活性剂的胶束在吸附时会经历一个长距离自由能垒，这是因为这些胶束周围存在反离子和水合水的环，当胶束接近表面时，这些环会受到干扰。不带电表面活性剂的胶束周围没有反离子的环，因此表现出无障碍的吸附自由能曲线。阳离子和不带电表面活性剂的胶束都会通过在金属表面解体而强烈吸附。在崩解状态下，组成胶束的分子重新排列，以实现分子轴与表面平行的平躺配置或分子轴与表面垂直的直立配置。
AlN/GaN/AlN 高电子器件中 94 GHz 时为 2.2 W/mm
通过AlGaN/GaN/InGaN结构实现8 W mm 1，通过N极性GaN HEMT实现94 GHz时8 W mm 1 [3]。这些结果对于商业（5G及以上、汽车雷达）和国防（SATCOM、雷达）应用越来越重要，所有这些应用都在向毫米波频率范围（30 – 300 GHz）推进。为了进一步提高GaN HEMT的优势，我们的研究小组在氮化铝（AlN）缓冲层上引入了HEMT。[4 – 6]通过用AlN替换AlGaN顶部势垒并用AlN替换典型的GaN缓冲层，AlN/GaN/AlN异质结构具有更高的热导率、改善了薄GaN通道（<30nm）的载流子限制，并且与其他传统顶部势垒材料（如AlGaN或InAlN）相比，顶部势垒具有出色的垂直可扩展性。其他研究小组也展示了基于AlN 的器件的有希望的结果，包括基于AlN 衬底的HEMT，在X 波段实现15 W mm 1 [7] ，AlN 缓冲区击穿功率为 5 MV cm 1 [8] 。已经展示了使用AlN 顶部势垒的HEMT，包括GaN HEMT 记录f T = f max 为454/444 GHz，[9 – 11] PAE 为27% ，相关输出功率为1.3 W的W 波段功率放大器，[12] 噪声系数小于2的K a 波段低噪声放大器，[13] 以及40 GHz 时为4.5 W mm 1 [14] 。所有这些器件都基于AlN/GaN/AlGaN 异质结构。 AlN/GaN HEMT 已显示出 Ga 极性 HEMT 在 W 波段的创纪录输出功率，在 94 GHz 时 P out ¼ 4 W mm 1。[15] 除了射频 (RF) HEMT 之外，氮化铝还具有单片集成大电流 GaN/AlN p 型场效应晶体管 (pFET) [16 – 18] 和晶体 AlN 体声波滤波器 [19] 的潜力，这两者都是通过 AlN 缓冲层实现的。SiC 衬底以衬底集成波导 (SIW) 和天线的形式实现了进一步的集成。[20] 这种集成生态系统被称为 AlN 平台，使高功率氮化物互补金属氧化物半导体 (CMOS)、RF 滤波器、单片微波集成电路 (MMIC) 以及 RF 波导和天线共存于一个单片芯片上。[21]
面向固体电解质机械模型...
图 1：kMC 模拟结束时气体种类 (a, b) 和 SEI 产物 (c, d) 的平均分数随施加电位的变化。模拟是在两种条件下进行的，反映了 SEI 形成的不同方式。为了模拟在靠近负极处形成 SEI 的情况，在形成显著的界面层 (a, c) 之前，允许在没有隧道势垒的情况下进行还原 (D = 0 . 0 ˚ A)。由于电极很可能在高施加电位下被覆盖，因此在实际电池环境中可能无法进入低电位区域 (低于 +0.5V vs Li/Li + 的施加电位)。因此，该区域已被阴影化。为了模拟远离负极处形成 SEI (b, d) 的情况，在存在部分电子绝缘的界面层的情况下，相对较厚的隧道势垒 (D = 10 . 0 ˚ A) 减缓了还原速度。提供了表示平均值标准误差的误差线，但通常太小而无法看到。
Sanjit Kumar Swain，博士 - 硅谷理工学院
栅极工程 TM-DG 异质结构 MOSFET 上的势垒厚度以抑制 SCE 和 SOC 应用的模拟、RF、线性性能调查” IEEE 电子设备加尔各答会议，EDKCON-2018，（IEEE XPLORE 印刷中）2018 年 11 月 24-25 日，加尔各答。29. SMBiswal、B.Baral、Sanjit Kumar Swain、SKPati “性能分析
一种导电聚合物衍生的 N 掺杂碳纳米纤维支撑 Li2S 涂层，适用于高质量负载的 Liâ•fiS 电池
摘要 摘要 © 2020 Elsevier BV Li2S 作为锂硫正极材料的潜在候选材料的商业化因其低电子电导率、“穿梭效应”和初始能垒而受到阻碍。在这项工作中，通过基于溶液的化学方法制备了纳米级 Li2S 颗粒涂覆的碳纳米纤维。受益于这种合成方法，可以获得均匀的 Li2S 层而没有任何团聚。由于 Li2S 颗粒的尺寸较小，在第一次充电过程中观察到较小的能垒，这意味着以较小的截止电压更容易激活 Li2S。此外，碳纳米纤维作为基质可以增强正极的导电性。此外，为了验证所制备材料的潜在实际应用价值，我们制备了活性材料负载量高（约 3 mg cm−2）的 Li2S 正极，其表现出优异的循环和倍率性能，在 0.1C 时初始比容量为 916.2 mA hg−1，在 2 C 时仍可达到 321 mA hg−1 的容量。这种良好的性能可以归因于独特的基于溶液的合成方法，从而获得了涂覆在碳纳米纤维上的小而均匀的 Li2S 颗粒。
CaAlSiN3 Eu2+荧光粉/纳米氧化铝颗粒的界面结合力...
及其复合材料在高湿度应用条件下仍然面临着磷水解的挑战。了解硅与 CaAlSiN 3 ：Eu 2+ 之间的界面黏附力对于该材料的开发和应用具有重要意义。在本文中，首先通过实验测量和比较了硅/原始 CaAlSiN 3 ：Eu 2+和硅/水解 CaAlSiN 3 ：Eu 2+复合材料的力学性能，其中水解反应后复合材料的拉伸强度和杨氏模量都有所增加。然后，采用第一性原理密度泛函理论 (DFT) 计算在原子水平上研究硅分子在原始和水解 CaAlSiN 3 [0 1 0] 上的黏附行为。结果表明：（1）硅分子通过范德华（vdW）相互作用在原始 CaAlSiN 3 [0 1 0] 上形成弱吸附，而由于界面处形成了氢键，硅分子在水解 CaAlSiN 3 [0 1 0] 上的吸附强度大大增强；（2）瞬态计算表明，由于吸附能增加以及表面粗糙度增加，硅在水解 CaAlSiN 3 [0 1 0] 上的滑动能垒高于在原始 CaAlSiN 3 [0 1 0] 上的滑动能垒。总的来说，本文的研究结果可以指导 LED 封装中荧光粉的选择、储存和工艺，也有助于改善高湿度条件下使用的 LED 封装的可靠性设计。
策略与战术
目标：执行击球跑垒战术。 描述：设置整个防守组，并将一名跑垒员放在一垒（见图 9.2）。教练应投球并控制投手的速度和位置，要求击球手尝试击球到二垒防守者腾出的空位，以试图将跑垒员推进到下一个垒位并避免双杀。请记住，无论投球位置如何，都要要求击球手尝试击球。跑垒员应尽可能向前推进，而不会被淘汰。让进攻组球员每人有两次击球机会，然后轮换防守组中相同数量的球员。按以下方式给每个击球组加分： • 击球使跑垒员推进到三垒或本垒可得两分 • 击球仅使跑垒员推进到二垒可得一分 • 击球不使跑垒员推进的击球不得分 为了使游戏更容易，请执行以下操作： • 让击球手从球座上击球。 • 指示内野手让球穿过外野。 • 允许领先者。为了让比赛更难，请执行以下操作：• 投出更难的球。• 不允许领先。• 投出好球区外的球，让击球手保护好