图 1:kMC 模拟结束时气体种类 (a, b) 和 SEI 产物 (c, d) 的平均分数随施加电位的变化。模拟是在两种条件下进行的,反映了 SEI 形成的不同方式。为了模拟在靠近负极处形成 SEI 的情况,在形成显著的界面层 (a, c) 之前,允许在没有隧道势垒的情况下进行还原 (D = 0 . 0 ˚ A)。由于电极很可能在高施加电位下被覆盖,因此在实际电池环境中可能无法进入低电位区域 (低于 +0.5V vs Li/Li + 的施加电位)。因此,该区域已被阴影化。为了模拟远离负极处形成 SEI (b, d) 的情况,在存在部分电子绝缘的界面层的情况下,相对较厚的隧道势垒 (D = 10 . 0 ˚ A) 减缓了还原速度。提供了表示平均值标准误差的误差线,但通常太小而无法看到。