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硅通孔技术是一种有前途的、可优先实现三维集成电路（3-D IC）可靠互连的方法，可将多个芯片的热量沿垂直方向传递到热沉。本文提出了一种新的硅通孔（TSV）通用模型来研究3-D IC的热性能。首次研究了锥环TSV的传热特性。详细比较和分析了不同侧壁倾角和TSV绝缘层厚度对3-D IC散热的影响。正如预期的那样，我们提出的模型与现有模型的结果一致性很好，这表明考虑横向传热和TSV结构的模型可以更有效、更准确地预测温度分布。此外，研究发现锥环TSV具有更优异的散热性能。关键词 : 3-D集成电路，解析热模型，
三维热分析模型...
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